広島大学 大学院先端物質科学研究科 半導体集積科学専攻

会議発表


2016年度

  1. R. Mizukami, S. Takeshima, T. Yamashita, and S. Higashi, “Improvement of Transfer Yield of Single-Crystalline Silicon Films and Fabrication of Thin-Film Transistors and Inverters on Plastic Substrate,” Ext. Abs. Int. Workshop Nanodevice Technologies 2017 (IWNT2017), (Higashi-Hiroshima, Japan, Mar. 2, 2017), pp. 44-45.
  2. S. Takeshima, R. Mizukami, T. Yamashita, and S. Higashi, “Miniaturization of Single Crystalline Silicon Layer Transferred to Flexible Substrate by Meniscus Force Mediated Layer Transfer Technique,” Ext. Abs. Int. Workshop Nanodevice Technologies 2017 (IWNT2017), (Higashi-Hiroshima, Japan, Mar. 2, 2017), pp. 46-47.
  3. H. Tamaru, H. Ikenoue, and S. Higashi, “Crystallization and Activation of As+ doped Amorphous Ge films by Excimer Laser Annealing,” Ext. Abs. Int. Workshop Nanodevice Technologies 2017 (IWNT2017), (Higashi-Hiroshima, Japan, Mar. 2, 2017), pp. 48-49.
  4. T. Hieda, H. Hanafusa, and S. Higashi, “Investigation on Crack Suppression Mechanism in Micro-Thermal-Plasma-Jet Crystallization of Amorphous Silicon Films on Flexible Glass Substrate,” Ext. Abs. Int. Workshop Nanodevice Technologies 2017 (IWNT2017), (Higashi-Hiroshima, Japan, Mar. 2, 2017), pp. 50-51.
  5. T. Taniguchi, H. Hanafusa, and S. Higashi, “Formation of Ohmic Contact for N-type 4H-SiC Layer by Silicon Cap Annealing,” Ext. Abs. Int. Workshop Nanodevice Technologies 2017 (IWNT2017), (Higashi-Hiroshima, Japan, Mar. 2, 2017), pp. 52-53.
  6. J. Inoue, H. Hanafusa, and S. Higashi, “Development of Self-Align Process Technique for 4H-SiC MOSFET with Thermal-Plasma-Jet Annealing,” Ext. Abs. Int. Workshop Nanodevice Technologies 2017 (IWNT2017), (Higashi-Hiroshima, Japan, Mar. 2, 2017), pp. 54-55.
  7. R. Mizukami, S. Takeshima, T. Yamashita and S. Higashi, “Fabrication of single crystalline silicon thin film transistors and logic circuits on plastic substrate by meniscus force mediated layer transfer technique,” 13th Int. Thin-Film Transistor Conf. 2017 (ITC2017), (Austin, TX, USA, Feb 23-24, 2017), pp. 17-18.
  8. T. Hieda, R. Shin, H. Hanafusa, S. Higashi, “Micro-thermal-plasma-jet Crystallization of Amorphous Silicon Films on Flexible Glass Substrate,” 34th Symposium on Plasma Processing (SPP34) / The 29th Symposium on Plasma Science for Materials (SPSM29), 17pB5.
  9. R. Nakashima, R. Shin, H. Hanafusa and S. Higashi, “Generation of Ultra High Power Thermal Plasma Jet (Super TPJ) and Its Application to Crystallization of Amorphous Silicon Films,” Proc. Int. Symp. Dry Process (DPS2016), (Sapporo, Hokkaido, Japan, Nov. 21-22, 2016). pp. 33-34.
  10. H. Harada, R. Shin, H. Hanafusa, S. Higashi, “Crystallization and Activationof P+ Dope a-Ge Film by Atmospheric Pressure Micro-Thermal-Plasma-Jet,” Ext. Abs. 2016 Int. Conf. Solid State Dev. Mat. (SSDM2016), (Tsukuba International Congress Center, Japan, Sept. 26-29, 2016), D-2-03.
  11. H. Hanafusa, R. Ishimaru, S.Higashi, “High-temperature Oxidation of 4H-SiC by Thermal-Plasma-Jet, 11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2016), (Halkidiki, Greece, Sept. 25-29, 2016), pp. 243-244. MoP.15. (p.34)
  12. R. Mizukami, S. Takeshima, T. Yamashita and S. Higashi, “Improvement of transfer yield of single-crystalline silicon films and fabrication of thin-film transistors on polyethylene terephthalate substrate,” International Conference on Flexible and Printed Electronics (ICFPE2016), (Yamagata, Japan, Sept. 6-8, 2016). O12-4. p. 88.
  13. S. Higashi, H. Harada, T. Nakatani, “Atmospheric pressure micro-thermal-plasma-jet irradiation on amorphous germaniumstrips and its application to thin film transistor fabrication,” 2016 Asia-Pacific Workshop Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Dev. (AWAD2016), (Hakodate, Japan, Jul. 4- 6, 2016), pp. 427-429.
  14. [Invited] S. Higashi, “Activation of Impurity Atoms in 4H-SiC Wafer by Atmospheric Pressure Thermal Plasma Jet Irradiation” Ext. Abs. 2016 Int. Workshop Junction Tech. (IWJT-2016), (Shanghai, China, May. 9-10, 2016), pp. 68-71.
  15. 東 清一郎、“超ハイパワー熱プラズマジェットによる核生成制御”、薄膜材料デバイス研究会 山陰特別研究会(土屋教授退職記念)(2017.3.21、清嵐荘).
  16. [招待講演] 東 清一郎、“熱プラズマジェットによる超急速熱処理と半導体デバイス応用”、日本物理学会 第72回年次大会(2017年)18pC34-5 (2017.3.17-20、大阪大学 豊中キャンパス).
  17. 原田 大夢、東 清一郎、花房 宏明、新 良太、“大気圧マイクロ熱プラズマジェットを用いた高移動度n型Ge膜の作製”、第64回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 14a-304-9(2017.3.14-17、パシフィコ横浜).
  18. 中島 涼介、花房 宏明、東 清一郎、“ハイパワー大気圧熱プラズマジェットの加熱特性評価とシリコン薄膜の結晶成長制御”、第64回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 14a-304-6(2017.3.14-17、パシフィコ横浜).
  19. 水上 隆達、竹島 真治、山下 知徳、東 清一郎、“中空構造SOI層を用いた低温転写における転写歩留まり向上とプラスチック基板上での単結晶シリコンTFTと論理回路の作製”、第64回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 14a-304-10(2017.3.14-17、パシフィコ横浜).
  20. 田丸 宏樹、池上 浩、東 清一郎、“エキシマレーザーアニールによる薄膜Geの溶融結晶化とn型不純物活性化”、第64回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 14a-304-3(2017.3.14-17、パシフィコ横浜).
  21. 谷口 太一、“シリコンキャップアニールによるn型4H-SiCのオーミック電極形成”、第64回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 15p-F204-8(2017.3.14-17、パシフィコ横浜).
  22. [招待講演]中島 涼介、新 良太、花房 宏明、東 清一郎、“ハイパワー大気圧熱プラズマジェットの生成とアモルファスシリコン結晶化への応用”シリコンテクノロジー分科会 第199回研究集会、pp. 7-12(2017.2.17、東京大学本郷キャンパス).
  23. [招待講演] 東 清一郎、“超ハイパワー大気圧プラズマジェットによる急速熱処理と単結晶シリコン成長技術への応用”、エコ薄膜研究会(2017.1.30、琉球大学).
  24. 寺本憲司、花房宏明、東清一郎、“大気圧熱プラズマジェットの磁場制御とSiCデバイス作製プロセスに向けた大面積熱処理への応用”、先進パワー半導体分科会 第3回講演会 P-78 pp. 200-201(2016.11.8-11.9、つくば国際会議場).
  25. 谷口 太一、花房 宏明、東 清一郎、“Si層挿入によるn型4H-SiCにおけるオーミックコンタクト形成要因の調査” 先進パワー半導体分科会 第3回講演会 P-84 pp. 212-213(2016.11.8-11.9、つくば国際会議場).
  26. 花房 宏明、東 清一郎、“大気圧熱プラズマジェットを用いた4H-SiC の熱酸化”、薄膜材料デバイス研究会 第13回研究集会、21p-O02 (pp.49-51)(2016.10.21-10.22、龍谷大学 響都ホール 校友会館).
  27. 中島 涼介、新 良太、花房 宏明、東 清一郎、“ハイパワー大気圧熱プラズマジェット照射によるシリコン薄膜の高速溶融結晶化と結晶成長制御”、薄膜材料デバイス研究会 第13回研究集会、21p-P01 (pp.56-58)(2016.10.21-10.22、龍谷大学 響都ホール 校友会館).
  28. 水上 隆達、竹島 真治、山下 知徳、東 清一郎、“中空構造 SOI 層を用いた低温転写における転写歩留まり向上とフレキシブル基板上での単結晶シリコンTFT と論理回路の作製”、薄膜材料デバイス研究会 第13回研究集会、22a-O03 (pp. 120-123)(2016.10.21-10.22、龍谷大学 響都ホール 校友会館).
  29. 竹島 真治、水上 隆達、山下 知徳、花房 宏明、東 清一郎、“中空構造 SOI 層を用いたフレキシブル基板への転写技術におけるパターン微小化”、薄膜材料デバイス研究会 第13回研究集会、22p-P02 (pp.133-135)(2016.10.21-10.22、龍谷大学 響都ホール 校友会館).
  30. 稗田 竜己、新 良太、花房 宏明、東 清一郎、“フレキシブルガラス基板上アモルファスシリコン膜の熱プラズマジェット結晶化”、第77回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 14p-B7-6(2016.9.13-16、朱鷺メッセ).
  31. 水上 隆達、竹島 真治、山下 知徳、東 清一郎、“中空構造SOI 層を用いた低温転写における転写歩留まり向上とフレキシブル基板上での単結晶シリコンTFT とインバータ回路の作製”、第77回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 15a-B10-3(2016.9.13-16、朱鷺メッセ).
  32. 中島 涼介、新 良太、花房 宏明、東 清一郎、“ハイパワー大気圧熱プラズマジェット照射によるシリコン薄膜の高速溶融結晶化”、第77回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 15a-B10-2(2016.9.13-16、朱鷺メッセ).
  33. 寺本 憲司、花房 宏明、東 清一郎、“交番磁場印加による大気圧熱プラズマジェットの走査と半導体基板の加熱”、 第77回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 15a-B7-8(2016.9.13-16、朱鷺メッセ).
  34. [招待講演] 東 清一郎、“大気圧プラズマによるIV 族半導体薄膜の結晶成長と欠陥制御”、第77回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 14p-B7-4(2016.9.13-16、朱鷺メッセ).
  35. 寺本 憲司、花房 宏明、東 清一郎、“外部磁場印加による大気圧熱プラズマジェット噴出方向制御と半導体基板の加熱”、2016年度 応用物理・物理系学会中国四国支部 合同学術講演会(Aa-10)P.21.(2016.7.31、岡山大学 津島キャンパス).
  36. 寺本 憲司、花房 宏明、東 清一郎、“外部磁場による大気圧熱プラズマジェット噴出方向制御”、第35回電子材料シンポジウム(2016.7.6-7.8、ラフォーレ琵琶湖)pp. 227-228.
  37. 中谷 太一、原田 大夢、東 清一郎、“大気圧マイクロ熱プラズマジェット結晶化ゲルマニウム膜の電気特性評価及び高性能薄膜トランジスタの作製”、電子情報通信学会技術研究報告・シリコン材料・デバイス研究会[SDM] 信学技報116(1)pp. 35-38.(2016.4.8-4.9、沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室).

 

2015年度

  1. T. Nakatani, S. Morisaki, and S. Higashi, “Fabrication of Thin Film Transistors by Atmospheric Pressure Micro-Thermal-Plasma-Jet Irradiation on Amorphous Germanium Strips,” Proc. Int. Symp. Dry Process (DPS2015), (Awaji Island, Japan, Nov. 5-6, 2015), pp. 41-42.
  2. R. Ishimaru, H. Hanafusa, K. Maruyama, S. Higashi, “Atmospheric Pressure Thermal-Plasma-Jet Oxidation of 4H-SiC,” 68th Annual Gaseous Electronics Conference/9th International Conference on Reactive Plasmas/33rd Symposium on Plasma Processing (ICRP-9/GEC-68/SPP-33), (Honolulu, Hawaii, Oct.12-16, 2015).
  3. S. Morisaki, T. Nakatani, R. Shin, S. Higashi, “Atmospheric Pressure Micro-Thermal-Plasma-Jet Crystallization of Amorphous Silicon Strips for High-Performance Thin Film Transistor Fabrication,” 68th Annual Gaseous Electronics Conference/9th International Conference on Reactive Plasmas/33rd Symposium on Plasma Processing (ICRP-9/GEC-68/SPP-33), (Honolulu, Hawaii, Oct.12-16, 2015).
  4. H. Hanafusa, K. Maruyama, R. Ishimaru, S. Higashi, “High Efficiency Activation of Phosphorus Atoms in 4H‐SiC by Atmospheric PressureThermal Plasma Jet Annealing,” 16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2015), (Giardini, Naxos, Italy, Oct. 4 - 9, 2015).
  5. M. Akazawa, S. Takeshima, A. Nakagawa, K. Hiramatsu and S. Higashi, “Formation of Single Crystalline Silicon with Midair Cavity for Meniscus Force-Mediated Local Layer Transfer and Fabrication of High-Performance MOSFETs on Insulator,” Ext. Abs. 2015 Int. Conf. Solid State Dev. Mat. (SSDM2015), (Sapporo, Japan, Sep. 27-30, 2015), PS-1-15.
  6. S. Morisaki, S. Hayashi, S. Yamamoto, T. Kasahara, T. Nakatani, and S. Higashi, “In-situ Observation of Zone-Melting-Recrystallization in Amorphous Silicon Stripsduring Atmospheric Pressure Micro-Thermal-Plasma-Jet Irradiation,” 2015 Asia-Pacific Workshop Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Dev. (AWAD2015), (Jeju Island, Korea, Jun. 29- Jul. 1, 2015), 230.
  7. [Invited] S. Higashi, “Silicon CMOS on glass and plastic - Crystallization and layer transfer approaches -,” Semiconductor Tech. Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors V, (Lake Tahoe, California, USA, Jun. 14-18, 2015).
  8. Y. Wang, S. Morisaki, S. Hayashi, A. B. Limanov, A. Chitu, S. Higashi and J. S. Im, “Melting and Solidification of Si Films Using Continuous Radiative and Non-Radiative Beams,” Abs. 2015 Mat. Res. Soc. Spring Meeting (San Francisco, USA, Apr. 6-10, 2015), A20.06.
  9. S. Morisaki, S. Hayashi, S. Yamamoto, T, Nakatani, and S. Higashi, “Micro-Thermal-Plasma-Jet Crystallization of Amorphous Silicon Strips and High-Sped Operation of CMOS Circuit,” Abs. 2015 Mat. Res. Soc. Spring Meeting (San Francisco, USA, Apr. 6-10, 2015), A23.06.
  10. 原田 大夢、中谷 太一、新 良太、東 清一郎、“大気圧マイクロ熱プラズマジェットを用いたP+ドープa-Ge膜の結晶化及び活性化”、第63回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 20p-S423-2(2016.3.19-22、東工大 大岡山キャンパス).
  11. 水上 隆達、中川 明俊、平松 和樹、竹島 真治、山下 知徳、東 清一郎、“中空構造SOI層を用いた低温転写技術におけるPET基板上高転写率の実現”、第63回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 20p-S423-16(2016.3.19-22、東工大 大岡山キャンパス).
  12. 中島 涼介、花房 宏明、東 清一郎、“ハイパワー大気圧熱プラズマジェット照射によるシリコン薄膜の高速溶融結晶化と連続結晶成長”、第63回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 20p-S423-4(2016.3.19-22、東工大 大岡山キャンパス).
  13. [招待講演]東 清一郎,「熱プラズマジェット(TPJ)を用いた熱処理技術の開発と電子デバイスプロセスへの応用」 日本真空学会2015年11月研究例会 (2015. 11. 17、広島工業大学広島校舎).
  14. 花房 宏明、東 清一郎、“大気圧熱プラズマジェット照射を用いたSiC中P不純物高効率活性化層の結晶性評価”、先進パワー半導体分科会 第2回講演会、P-48(pp.142-143)(2015.11.9-11.10、大阪国際交流センター).
  15. 中谷太一、森崎誠司、東清一郎、“アモルファスゲルマニウム細線への大気圧マイクロ熱プラズマジェット照射により作製した薄膜トランジスタの特性評価” 薄膜材料デバイス研究会 第12回研究集会、30p-O04 (pp. 47-50)(2015.10.30-10.31、龍谷大学 響都ホール 校友会館).
  16. 新 良太、 森崎 誠司、東 清一郎、“プラズマ処理及び大気圧マイクロ熱プラズマジェット照射によるシリコン膜中への不純物ドーピング” 薄膜材料デバイス研究会 第12回研究集会、31p-P08 (pp. 152-154)(2015.10.30-10.31、龍谷大学 響都ホール 校友会館).
  17. 竹島 真治、酒池 耕平、赤澤 宗樹、中川 明俊、東 清一郎、“中空構造SOI層の低温転写におけるFTIR-ATRを用いたシリコン/PET界面の化学結合状態評価”、第76回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 13a-1C-7(2015.9.13-16、名古屋国際会議場).
  18. 赤澤 宗樹、東 清一郎、“メニスカス力を用いた局所転写のための中空構造単結晶シリコンの形成”、第76回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 13a-1C-8(2015.9.13-16、名古屋国際会議場).
  19. 新 良太、森崎 誠司、東 清一郎、“PH3プラズマ処理及び大気圧マイクロ熱プラズマジェット照射によるシリコン膜中への不純物ドーピング”、 第76回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 13a-1C-5(2015.9.13-16、名古屋国際会議場).
  20. 森崎 誠司、中谷 太一、新 良太、東 清一郎、“アモルファスシリコン細線の大気圧マイクロ熱プラズマジェット結晶化による粒内欠陥の低減”、第76回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 13a-1C-6(2015.9.13-16、名古屋国際会議場).
  21. 花房 宏明、石丸 凌輔、東 清一郎、“大気圧熱プラズマジェット照射による高温イオン注入した4H-SiC中Pイオンの高効率活性化”、第76回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 15p-1A-7(2015.9.13-16、名古屋国際会議場).
  22. 石丸 凌輔、花房 宏明、東 清一郎、“大気圧熱プラズマジェットを用いた4H-SiCの熱酸化”、第76回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 16a-1A-5(2015.9.13-16、名古屋国際会議場).
  23. 田丸 宏樹、村上 秀樹、東 清一郎、“Ge/Al2O3ゲートスタックにおける界面化学状態評価”、2015年度 応用物理・物理系学会中国四国支部 合同学術講演会(Bp-5)P.26.(2015.8.1、徳島大学 常三島キャンパス).
  24. 竹島 真治、酒池 耕平、赤澤 宗樹、東清一郎、“中空構造SOI層の低温転写におけるシリコン/PET界面の化学結合状態評価”、2015年度 応用物理・物理系学会中国四国支部 合同学術講演会(Da-10)P.55.(2015.8.1、徳島大学 常三島キャンパス).
  25. 新 良太、森崎 誠司、中谷 太一、東 清一郎、“PH3プラズマ処理及び大気圧マイクロ熱プラズマジェット熱処理によるシリコン薄膜への不純物ドーピング”、 2015年度 応用物理・物理系学会中国四国支部 合同学術講演会(Da-5)P.50.(2015.8.1、徳島大学 常三島キャンパス).
  26. 森崎誠司、林将平、山本将悟、中谷太一、東清一郎、“大気圧マイクロ熱プラズマジェット照射アモルファスシリコン細線による結晶成長制御およびCMOS回路の高速駆動”、電子情報通信学会技術研究報告・シリコン材料・デバイス研究会[SDM] 4月度研究会、 Vol.115  No.18  pp. 49-52 (2015.04 .29-04.30、大濱信泉記念館).

 

2014年度

  1. M. Akazawa, K. Sakaike, S. Nakamura, S. Hayashi, S. Morisaki, and S. Higashi, “Fabrication of Single Crystalline Silicon Thin Film Transistor on Glass Substrate by Using Meniscus-Force-Mediated Local Layer Transfer Technique,” Ext. Abs. Int. Workshop Nanodevice Technologies 2015 (IWNT2015), (Higashi-Hiroshima, Japan, Mar. 3, 2015), pp. 54-55.
  2. S. Morisaki, S. Hayashi, S. Yamamoto, T. Nakatani, and S. Higashi, “CMOS Integration Based on Zone Melting Recrystallization of Amorphous Silicon Strips Induced by Micro Thermal Plasma Jet Irradiation,” Ext. Abs. Int. Workshop Nanodevice Technologies 2015 (IWNT2015), (Higashi-hiroshima, Japan, Mar. 3, 2015), pp. 52-53.
  3. K. Maruyama, H. Hanafusa, S. Hayashi, H. Murakami and S. Higashi, “High-Efficient Activation of Implanted Phosphorus-ion in 4H-SiC by Precise Control of Cooling Rate during Atmospheric Pressure Thermal Plasma Jet Annealing,” Ext. Abs. Int. Workshop Nanodevice Technologies 2015 (IWNT2015), (Higashi-hiroshima, Japan, Mar. 3, 2015), pp. 56-57.
  4. H. Murakami, K. Hashimoto, A. Ohta, S. Higashi, and S. Miyazaki, “Characterization and Control of Interfacial Reaction of HfO2/Ge System with Ta Oxide Layer,” Ext. Abs. Int. Workshop Nanodevice Technologies 2015 (IWNT2015), (Higashi-hiroshima, Japan, Mar. 3, 2015), pp. 58-59.
  5. A. Ohta, H. Murakami, K. Makihara and S. Miyazaki, “Impact of Post Metallization Annealing on Chemical Bonding Features and Interfacial Reactions in Ge-MIS Structure with HfO2/TaGexOy Dielectric Stack,” 8th Int. WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" (Sendai, Japan, Jan. 29-30, 2015), O-07.
  6. K. Maruyama, H. Hanafusa, H. Murakami, S. Hayashi and S. Higashi, “Precise Control of Cooling Rate and Efficient Activation of Phosphorus Atoms in 4H-SiC wafer,” Proc. Int. Symp. Dry Process (DPS2014), (Yokohama, Japan, Nov. 27-28, 2014), pp. 111-112.
  7. D. Takeuchi, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda and S. Miyazaki, “Study of Electron Field Emission from High Density Self-aligned Si-based Quantum Dots,” JSPS Core-to-Core Program Workshop "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration", (Leuven, Belgium, Nov. 12-13, 2014), P5.1.
  8. H. Zhang, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda and S. Miyazaki, “High Density Formation of Fe-Silicide Nanodots on SiO2 Induced by Remote H2 Plasma,” 27th Int. Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC), (Fukuoka, Japan, Nov. 4-7, 2014), 5C-2-4.
  9. K. Sakaike, M. Akazawa, A. Nakagawa, and S. Higashi, “Fabricating High-Performance Silicon Thin-Film Transistor by Meniscus Force Mediated Layer Transfer Technique,” 2014 ECS and SMEQ Joint Int. Meeting, (Cancun, Mexico, Oct. 5-10, 2014),#1928.
  10. S. Morisaki, S. Hayashi, S. Yamamoto, T. Nakatani, and S. Higashi, “Effect of Grain Growth Control by Atmospheric Micro-Thermal- Plasma-Jet Crystallization of Amorphous Silicon Strips on TFT Characteristics,” 2014 ECS and SMEQ Joint Int. Meeting, (Cancun, Mexico, Oct. 5-10, 2014),#1908
  11. Hideki Murakami, Shinya Hamada, Takahiro Ono, Kuniaki Hashimoto, Akio Ohta, Hiroaki Hanafusa, Seiichiro Higashi, and Seiichi Miyazaki, "Pre-Amorphization and Low-Temperature Implantation for Efficient Activation of Implanted As in Ge(100)," 2014 ECS and SMEQ Joint Int. Meeting, (Cancun, Mexico, Oct. 5-10, 2014), #1803.
  12. Akio Ohta, Hideki Murakami, Kuniaki Hashimoto, Katsunori Makihara, and Seiichi Miyazaki, "Characterization of Chemical Bonding Features and Interfacial Reactions in Ge-MIS Structure with HfO2/TaGexOy Dielectric Stack Characterization of Chemical Bonding Features and Interfacial Reactionsin Ge-MIS Structure with HfO2/TaGexOy Dielectric Stack," 2014 ECS and SMEQ Joint Int. Meeting, (Cancun, Mexico, Oct. 5-10, 2014), #1785.
  13. H. Hanafusa, K. Maruyama, S. Hayashi, S. Higashi, “Estimation of Phosphorus-implanted 4H-SiC Layer Activation by EBSD pattern analysis,” 10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2014), (Grenoble, France, Sept. 21-25, 2014), WE-P-43.
  14. S. Yamamoto, S. Morisaki, S. Hayashi, T. Nakatani, and S. Higashi, “Grain Growth Control by Micro-Thermal-Plasma-Jet Irradiation to Very Narrow Amorphous Silicon Strips and Its Application to Thin Film Transistors,” Ext. Abs. 2014 Int. Conf. Solid State Dev. Mat. (SSDM2014), (Tsukuba, Japan, Sept. 8-11, 2014), pp. 562-563.
  15. K. Sakaike, M. Akazawa, A. Nakagawa and S. Higashi, “Fabrication of High Performance Single-Crystalline Silicon Thin Film Transistors on a Polyethylene Terephthalate Substrate,” Ext. Abs. 2014 Int. Conf. Solid State Dev. Mat. (SSDM2014), (Tsukuba, Japan, Sep. 8-11, 2014), pp. 28-29.
  16. T. Yamada, K. Makihara, M. Ikeda and S. Miyazaki, “Electroluminescence from Multiply-Stack of Doped Si Quantum Dots,” Ext. Abs. 2014 Int. Conf. Solid State Dev. Mat. (SSDM2014), (Tsukuba, Japan, Sept. 8 - 11, 2014), B-1-3.
  17. T. xuan Nguyen, H. Zhang, D. Takeuchi, A. Ohta, K. Makihara, H. Murakami, and  S. Miyazaki, “Impact of Remote H2 Plasma on Surface Roughness of 4H-SiC(0001),” 15th IUMRS-Int. Conf. in Asia (IUMRS-ICA 2014), (Fukuoka, Japan, Aug. 24-30, 2014), D5-P26-016.
  18. Y. Wen, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki, “High Density Formation of Mn and Mn-germanide Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma,” 15th IUMRS-Int. Conf. in Asia (IUMRS-ICA 2014), (Fukuoka, Japan, Aug. 24-30, 2014), D5-P26-003.
  19. M. Ikeda, K. Makihara and S. Miyazaki, “Characterization of Photoinduced Charge Transfer in NiSi-Nanodots/Si-Quantum-Dots Hybrid Floating Gate in MOS Structures,” 15th IUMRS-Int. Conf. in Asia (IUMRS-ICA 2014), (Fukuoka, Japan, Aug. 24-30, 2014), D5-P26-008.
  20. S. Hayashi, S. Morisaki, S. Yamamoto, T. Nakatani, S. Higashi, “Grain Growth Induced by Micro-Thermal- Plasma-Jet Irradiation to Narrow Amorphous Silicon Strips,” Proc. AM-FPD14, (Kyoto, Japan, Jul. 2-4, 2014), pp. 181-184.
  21. K. Makihara, N. Tsunekawa, M. Ikeda and S. Miyazaki, “Characterization of electronic charged states of self-aligned coupled Si quantum dots by AFM/KFM Probe Technique,” 2014 Int. SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM2014), (Singapore, Jun. 2-4, 2014), P37.
  22. [Invited] Seiichiro Higashi, “Atmospheric Pressure Plasma Processing and Layer Transfer Technique for Thin-Film Device Fabrication on Glass and Plastic Substrates,” Ext. Abs. 2014 Int. Workshop Junction Tech. (IWJT-2014), (Shanghai, China, May. 18 - 20, 2014) , pp. 169-173.
  23. Muneki Akazawa, Kohei Sakaike, Shogo Nakamura and Seiichiro Higashi, “Fabrication of High-Performance N-Channel Silicon MOSFET on Glass Substrate Using Meniscus Force,” Abs.2014 Mat. Res. Soc. Spring Meeting (San Francisco, U.S.A., Apr. 21-25, 2014), A5.04.
  24. 丸山 佳祐、花房 宏明、林 将平、村上 秀樹、東 清一郎、“大気圧熱プラズマジェット照射急速熱処理の冷却速度制御による4H-SiC中Pの高効率活性化”、 第62回応用物理学会学術講演会 講演予稿集、14a-B4-4 (2015.3.11-14、東海大学 湘南キャンパス).
  25. 森崎 誠司、林 将平、山本 将悟、中谷 太一、笠原 拓也、東 清一郎、“大気圧マイクロ熱プラズマジェット結晶化によるa-Siパターン内結晶成長のその場観察”、第62回応用物理学会学術講演会 講演予稿集、 12a-A29-4 (2015.3.11-14、東海大学 湘南キャンパス).
  26. 林 将平、森崎 誠司、山本 将悟、中谷 太一、新 良太、東 清一郎、“マイクロ熱プラズマジェット照射によるSi結晶成長の初期膜依存性” 第62回応用物理学会学術講演会 講演予稿集、 12a-A29-3 (2015.3.11-14、東海大学 湘南キャンパス).
  27. 中谷 太一、林 将平、森崎 誠司、山本 将悟、東 清一郎、“大気圧マイクロ熱プラズマジェット結晶化Ge膜を用いたTFTオフ電流の結晶化速度依存性”、 第62回応用物理学会学術講演会 講演予稿集12a-A29-10(2015.3.11-14、東海大学 湘南キャンパス).
  28. 酒池 耕平、中川 明俊、赤澤 宗樹、東 清一郎、“フレキシブル基板上での単結晶シリコンCMOSトランジスタの作製”、第62回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 12a-A29-9(2015.3.11-14、東海大学 湘南キャンパス).注目講演
  29. [招待講演]清一郎,「大気圧プラズマを用いた急速熱処理技術と半導体デバイスプロセスへの応用」, 平成26年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会 第1回講演会・見学会 講演予稿集 (I-1) (2015. 1. 24、広島大学 東広島キャンパス).
  30. 村上秀樹、橋本邦明、大田晃生、東清一郎、宮崎誠一、“Ge MISFET実現のためのHfO2/Ge界面へのTaOx層挿入による界面反応制御と物性評価”、平成26年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会 第1回講演会・見学会 講演予稿集 P4 (2015. 1. 24、広島大学 東広島キャンパス).
  31. 浜田慎也、村上秀樹、小野貴寛、大田晃生、花房宏明、東清一郎、宮崎誠一、“Ge中のn型不純物高効率活性化”、平成26年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会 第1回講演会・見学会 講演予稿集 P8 (2015. 1. 24、広島大学 東広島キャンパス).
  32. 中川 明俊、酒池 耕平、赤澤 宗樹、平松 和樹、東 清一郎、“プラスチック基板上への単結晶シリコン層の転写と薄膜トランジスタ応用”、平成26年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会 第1回講演会・見学会 講演予稿集 P9 (2015. 1. 24、広島大学 東広島キャンパス).
  33. 森崎誠司、林将平、山本将悟、中谷太一、笠原拓也、新良太、東清一郎、“アモルファスシリコン細線を用いた大気圧マイクロ熱プラズマジェット結晶成長制御および薄膜トランジスタ応用”、平成26年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会 第1回講演会・見学会 講演予稿集 P11 (2015. 1. 24、広島大学 東広島キャンパス).
  34. 花房宏明、丸山圭祐、林将平、東清一郎、“電子線後方散乱法を用いたリン注入4H-SiCの結晶性評価”、平成26年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会 第1回講演会・見学会 講演予稿集 P20 (2015. 1. 24、広島大学 東広島キャンパス). 
  35. 赤澤宗樹、酒池耕平、中村将吾、平松和樹、中川明俊、東清一郎、“メニスカス力局所転写技術を利用したガラス基板上単結晶シリコン薄膜トランジスタの作製”、薄膜材料デバイス研究会 第11回研究集会、31R02 (pp. 144-146)(2014.10.31-11.1、龍谷大学 響都ホール 校友会館).
  36. 中川明俊、酒池耕平、赤澤宗樹、平松和樹、東清一郎、“圧力制御によるフレキシブル基板上への中空構造SOI層の転写”、薄膜材料デバイス研究会 第11回研究集会、01P18 (pp. 195-196)(2014.10.31-11.1、龍谷大学 響都ホール 校友会館).
  37. 森崎 誠司、林 将平、山本 将悟、中谷 太一、東 清一郎、“a-Siパターンを用いた大気圧マイクロ熱プラズマジェット結晶成長の制御による薄膜トランジスタの特性ばらつき評価”、薄膜材料デバイス研究会 第11回研究集会、31P23 (pp. 130-133)(2014.10.31-11.1、龍谷大学 響都ホール 校友会館).
  38. 丸山 佳祐、花房 宏明、村上 秀樹、林 将平、東 清一郎、“大気圧熱プラズマジェット照射急速熱処理中の冷却速度制御と4H-SiC中不純物活性”、薄膜材料デバイス研究会 第11回研究集会、31P21 (pp. 128-129)(2014.10.31-11.1、龍谷大学 響都ホール 校友会館).
  39. 石丸 凌輔、花房 宏明、丸山 佳祐、廣松 志隆、林 将平、東 清一郎、“大気圧熱プラズマジェット照射による4H-SiC上SiO2堆積膜の急速熱処理”、薄膜材料デバイス研究会 第11回研究集会、01P22 (pp. 201-202)(2014.10.31-11.1、龍谷大学 響都ホール 校友会館).
  40. 林 将平、森崎 誠司、山本 将悟、中谷 太一、東 清一郎、“大気圧マイクロ熱プラズマジェット照射による結晶シリコン成長メカニズムの解明”、第6回薄膜太陽電池セミナー2014、P11(2014.10.15-16、広島大学 霞キャンパス).
  41. 山本 将悟,森崎 誠司, 林 将平, 中谷 太一, 東 清一郎、“大気圧マイクロ熱プラズマジェット結晶化Si細線の電気特性評価”、第6回薄膜太陽電池セミナー2014、P12(2014.10.15-16、広島大学 霞キャンパス).
  42. 中谷 太一、林 将平、森崎 誠司、上倉 敬弘、山本 将悟、東 清一郎、“大気圧マイクロ熱プラズジェット照射による結晶化Ge細線の電気特性評価”、第6回薄膜太陽電池セミナー2014、P13(2014.10.15-16、広島大学 霞キャンパス).
  43. 森崎 誠司、林 将平,、山本 将悟、東 清一郎、“プラズマジェット結晶成長制御による短チャネル薄膜トランジスタの特性ばらつき評価”、第6回薄膜太陽電池セミナー2014、P16(2014.10.15-16、広島大学 霞キャンパス).
  44. 石丸 凌輔、花房 宏明、丸山 佳祐、廣松 志隆、林 将平、東 清一郎、“大気圧熱プラズマジェット照射急速熱処理による4H -SiC上SiO2堆積膜の改善”、第6回薄膜太陽電池セミナー2014、P17(2014.10.15-16、広島大学 霞キャンパス).
  45. 赤澤 宗樹、酒池 耕平、中村 将吾、平松 和樹、中川 明俊、東 清一郎、“メニスカス力転写技術を利用した熱酸化された単結晶シリコン薄膜のガラス基板上への形成”、第6回薄膜太陽電池セミナー2014、P31(2014.10.15-16、広島大学 霞キャンパス).
  46. 中川 明俊、酒池 耕平、赤澤 宗樹、平松 和樹、東 清一郎、“圧力制御による中空構造SOI層の転写と薄膜 トランジスタ応用”、第6回薄膜太陽電池セミナー2014、P32(2014.10.15-16、広島大学 霞キャンパス).
  47. 酒池 耕平、中村 将吾、赤澤 宗樹、中川 明俊、東 清一郎、“メニスカス力を用いた中空構造 SOI 層の大面積転写とフレキシブル薄膜太陽電池応用”、第6回薄膜太陽電池セミナー2014、P33(2014.10.15-16、広島大学 霞キャンパス).
  48. 酒池耕平、赤澤宗樹、小林義崇、中村将吾、東清一郎、“メニスカス力を用いた中空構造SOI 層の低温転写とフレキシブル基板上での単結晶シリコンTFT の作製”、第75回 応用物理学会学術講演会 講演予稿集 20a-A25-6(2014.9.17-20、北海道大学 札幌キャンパス).
  49. 丸山佳祐、花房宏明、村上秀樹、林 将平、東清一郎、“大気圧熱プラズマジェット照射急速熱処における4H-SiC 中の不純物活性化と冷却速度制御”、第75回 応用物理学会学術講演会 講演予稿集 19a-PB5-6(2014.9.17-20、北海道大学 札幌キャンパス).
  50. 花房宏明、丸山佳祐、林 将平、東清一朗、“EBSD パターン明瞭度を用いたリン注入4H-SiC 層の結晶性評価”、 第75回 応用物理学会学術講演会 講演予稿集 19a-PB5-5(2014.9.17-20、北海道大学 札幌キャンパス).
  51. 石丸凌輔、花房宏明、丸山佳祐、廣松志隆、林 将平、東清一郎、“大気圧熱プラズマジェット照射による4H-SiC 上SiO2堆積膜の改善”、第75回 応用物理学会学術講演会 講演予稿集 19a-A19-8(2014.9.17-20、北海道大学 札幌キャンパス).
  52. 中谷太一、林 将平、森崎誠司、上倉敬弘、山本将悟、東清一郎、“大気圧マイクロ熱プラズマジェット結晶化Ge 膜を用いたTFT の電気特性評価”、第75回 応用物理学会学術講演会 講演予稿集 19a-A19-8(2014.9.17-20、北海道大学 札幌キャンパス).
  53. 山本将悟、森崎誠司、林 将平、中谷太一、東清一郎、“マイクロ熱プラズマジェット結晶化によるSi 極細線の電気特性評価及び薄膜トランジスタ応用”、第75回 応用物理学会学術講演会 講演予稿集 19a-A19-7(2014.9.17-20、北海道大学 札幌キャンパス).
  54. 東清一郎、林 将平、森崎誠司、赤澤宗樹、酒池耕平、“大気圧熱プラズマ結晶化および単結晶薄膜転写によるガラスおよびプラスティック上の高性能薄膜トランジスタ作製”、第75回 応用物理学会学術講演会 講演予稿集 17p-A19-3(2014.9.17-20、北海道大学 札幌キャンパス).
  55. 廣松志隆、花房宏明、丸山佳祐、石丸凌輔、東清一郎、“Si 挿入層の不純物濃度に依存した4H-SiC のコンタクト特性”、2014年度 応用物理・物理系学会中国四国支部 合同学術講演会(Da-6)P.59.(2014.7.26、島根大学).
  56. 浜田慎也、村上秀樹、小野貴寛、大田晃生、花房宏明、東清一郎、宮崎誠一、“アモルファス化促進によるGe 中As の高効率活性化”、2014年度 応用物理・物理系学会中国四国支部 合同学術講演会(Da-7)P.60.(2014.7.26、島根大学).
  57. 浜田慎也、村上秀樹、小野貴寛、橋本邦明、大田晃生、花房宏明、東 清一郎、宮崎誠一、“Ge基板中のAs高効率活性化と低抵抗浅接合形成”、電子情報通信学会技術研究報告、  信学技報114(88)pp. 27-30.(2014年6月19日、名古屋大学・ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー).
  58. [招待講演]東 清一郎、「メニスカス力を用いた単結晶シリコン薄膜転写技術とそのデバイス応用」、電子情報通信学会技術研究報告 シリコン材料・デバイス(2014年4月10日-11日、沖縄青年会館)、 信学技報114(1)(2014年4月3日)pp. 11-16.

2013年度

  1. Keisuke Tanaka,Shohei Hayashi,Takahiro Kamikura, Tsubasa Mizuno, and Seiichiro Higashi, “Investigation on Crack Generation Mechanism and Reduction of Cracks Using Buffer Layer in Thermal-Plasma-Jet Crystallization of Amorphous Silicon Films on Glass Substrate,” 8th International Conference on Reactive Plasmas 31st Symposium on Plasma Processing(ICRP-8/SPP-31),( Fukuoka, Japan, Feb. 4-7, 2014) ,7A-AM-O3.
  2. Seiji Morisaki, Shohei Hayashi, Takahiro Kamikura,Shogo Yamamoto and Seiichiro Higashi, “Fabrication of Short Channel Thin Film Transistors by Channel Doping and Micro Thermal Plasma Jet Crystallization and Their Application to High Frequency Operation of CMOS Circuits,”Abs.10th International Thin-Film Transistor Conference (ITC2014),(Delft ,Netherlands, Jan.23-24,2014), p. 15.
  3. M. Akazawa, K. Sakaike, S. Nakamura, T. Fukunaga, S. Hayashi, S. Morisaki, S. Higashi, “Local Transfer of Single-Crystalline Silicon (100) Layer by Meniscus Force and Its Application to High-Performance MOSFET Fabrication on Glass Substrate,” 2013 IEEE International Electron Devices MeetingIEDM2013,(Washington,U.S.A. Dec. 9-11, 2013), P. 39.
  4. [Invited] S. Higashi, K. Sakaike, S. Hayashi, S. Morisaki, M. Akazawa, S. Nakamura, T. Fukunaga, “Low-Temperature Formation of Single-Crystalline Silicon on Glass and Plastic Substrates and Its Application to MOSFET Fabrication,” Proc. 20th Int. Display Workshops (IDW’13),(Sapporo, Japan, Dec. 4-6,2013) , AMD1-3, pp. 258-261.
  5. Takahiro Ono, Kuniaki Hashimoto, Akio Ohta, Hideki Murakami, Hiroaki Hanafusa, Seiichiro Higashi, Seiichi Miyazaki, “Study on As+ Ion Implantation into Ge at Different Substrate Temperatures,” Ext. Abs.2013 Int. Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES- SCIENCE AND TECHNOLOGY –(2013 IWDTF), (Tokyo ,Japan, Nov. 7-9, 2013) S6-3, pp. 127-128.
  6. Kuniaki Hashimoto, Takahiro Ono, Akio Ohta, Hideki Murakami, Seiichiro Higashi , Seiichi Miyazaki, “Impact of Post-Metallization Annealing on Chemical Bonding Features in Ge-MIS Structure with HfO2/TaGexOy Stack,” Ext. Abs.2013 Int. Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES- SCIENCE AND TECHNOLOGY –(2013 IWDTF), (Tokyo ,Japan, Nov.7-9, 2013) P-20 , pp. 49-50.
  7. Shogo Nakamura, Kohei Sakaike, Muneki Akazawa, Takashi Fukunaga, Shohei Hayashi, and Seiichiro Higashi,“Large Area Transfer of Silicon Films with Midair Cavity Using Meniscus Force,” Tech. Dig. 23rd Int. Photovoltaic Sci. Eng. Conf. (PVSEC-23),(Taipei, Taiwan, Oct.28-Nov.1 2013),1-O-33.
  8. Akio Ohta, Katsunori Makihara, Motoki Fukusima, Hideki Murakami, Seiichiro Higashi, and Seiichi Miyazaki, "Resistive Switching Properties of SiOx/TiO2 Multi-Stack in Ti-Electrode Mim Diodes," 224th The Electrochemical Scociety (ECS) Meeting, (San Francisco, U. S. A. Oct.27-Nov.1, 2013)
  9. H. Hanafusa, A. Ohta, R. Ashihara, K. Maruyama, T. Mizuno, S. Hayashi, H. Murakami, and S. Higashi, “Contact Property of 4H-SiC with Phosphorus-Doped and Crystallized Amorphous-Silicon Insertion Layer,” Tech. Dig.The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013 (ICSCRM2013),(Miyazaki,Japan,Sept.29-Oct.4,2013), p. 22.
  10. H. Hanafusa, R. Ashihara, K. Maruyama, S. Koyanagi, S. Hayashi, H. Murakami and S. Higashi,“As and Al Activation in SiC Wafer by Atmospheric Thermal Plasma Jet Annealing,”Ext.Abs.2013 Int.Conf. Solid State Dev. Mat.(SSDM 2013),( Fukuoka, Japan, Sept.24-27, 2013) , pp. 472-473.
  11. S.Hayashi, S.Morisaki, T.Kamikura, S.Yamamoto, K.Sakaike, M.Akazawa, and S.Higashi, “Grain Growth Control during Leading Wave Crystallization Induced by Micro-Thermal-Plasma-Jet Irradiation to  Amorphous  Silicon Films,” Proc.  Int. Symp. Dry Process (DPS2013),(Jeju,Korea, Aug.29-30,2013), pp. 43-44.
  12. Keisuke Maruyama, Hiroaki Hanafusa, Ryuhei Ashihara, Shunki Koyanagi, Shohei Hayashi, Hideki Murakami, and Seiichiro Higashi, “Atmospheric Pressure Thermal Plasma Jet annealing for 4H-SiC and Aluminium Activation,” Proc.  Int. Symp. Dry Process (DPS2013),(Jeju,Korea, Aug.29-30,2013), pp. 109-110.
  13. Kohei Sakaike,Yoshitaka Kobayashi, Shogo Nakamura, Muneki Akazawa, Shohei Hayashi, Seiji Morisaki, Mitsuhisa Ikeda, and Seiichiro Higashi, “Local Area Transfer and Simultaneous Crystallization of Amorphous Si Films with Midair Structure Induced by Near-Infrared Semiconductor Diode Laser Irradiation,” Abs. The 25th International Conference on Amorphous and Nano-crystalline Semiconductors(ICANS25),(Toronto,Canada, Aug.18-23,2013), p. 40.
  14. S. Hayashi, Y. Fujita, S. Morisaki, T. Kamikura,S. Yamamoto, M. Akazawa, S. Higashi, “Grain Growth Control by Micro-Thermal-Plasma-Jet Irradiation to Amorphous Silicon Strips through Slit Masks and Its Application to High-Performance Thin-Film Transistors,” Proc.AM-FPD 13,(Kyoto,Japan,Jul.2-5,2013), P-6, pp. 113-116.
  15. [Invited] Seiichiro Higashi, “Growth Control of Crystalline Silicon during Microsecond Phase Transformation and Its Application to Thin-Film Transistor Fabrication," 2013 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices(AWAD2013),( Seoul, Korea, Jun. 26 - 28 , 2013), pp. 265-269.
  16. Katsunori Makihara, Mitsuhisa Ikeda and Seiichi Miyazaki, “Selective Growth of Self-Assembling Si and SiGe Quantum Dots,” 2013 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices(AWAD2013),( Seoul, Korea, Jun. 26 - 28 , 2013), pp. 333-336.
  17. Daichi Takeuchi, Katsunori Makihara, Mitsuhisa Ikeda, Seiichi Miyazaki, Hirokazu. Kaki, and Tsukasa Hayashi, “High-Sensitive Detection of Electronic Emission through Si-Nanocrystals /Si-Nanocolumnar Structures by conducting –Probe Atomic Force Microscopy,” 2013 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices(AWAD2013),( Seoul, Korea, Jun. 26 - 28 , 2013), pp. 275-278.
  18. Takahisa Yamada, Katsunori Makihara, Hiroki Takami, Yoshihisa Suzuki, Mitsuhisa Ikeda , Seiichi Miyazaki, “Characterization of Electroluminescence from Multiply-Stacked B-doped Si Quantum Dots,” The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8) and the 6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI) (ICSI-8 / ISCSI-Ⅵ),( Fukuoka, Japan , Jun.2-6, 2013.)  P1-31.  pp. 207 – 208.
  19. Katsunori Makihara, Hiroki Takami, Yoshihiro Suzuki, Mitsuhisa Ikeda , Seiichi Miyazaki, “Characterization of Electroluminescence from Self-Aligned Si-Based Quantum Dots Stack by Intermittent Bias Application,” The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8) and the 6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI) (ICSI-8 / ISCSI-Ⅵ),( Fukuoka, Japan, Jun.2-6, 2013.)  A3-3.  pp. 17 – 18.
  20. Takahiro Kamikura, Shohei Hayashi, Seiji Morisaki, Yuji Fujita, Muneki Akazawa, Seiichiro Higashi, “Explosive Crystallization of Amorphous Germanium Films Induced by Atmospheric Pressure Micro-Thermal-Plasma-Jet Irradiation,” The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8) and the 6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI) (ICSI-8 / ISCSI-Ⅵ),( Fukuoka, Japan ,Jun.2-6, 2013.)  P1-6.  pp. 157 – 158.
  21. Akio Ohta, Hideki Murakami, Seiichiro Higashi,Seiichi Miyazaki, “Determination of Bandgap Energy of Thermally-Grown Si- and Ge- Oxides from Energy Loss Spectra of Photoelectrons” The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8) and the 6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI) (ICSI-8 / ISCSI-Ⅵ),( Fukuoka, Japan ,Jun.2-6, 2013.) P2-14.  pp. 273 – 274.
  22. Ryo Fukuoka, Hai Zhang, Yuuki Kabeya, Katsunori Makihara, Akio Ohta, Mitsuhisa Ikeda,Seiichi Miyazaki,“High Density Formation of CoPt Alloy Nanodots Induced by Remote H2 Plasma” The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8) and the 6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI) (ICSI-8 / ISCSI-Ⅵ),( Fukuoka, Japan , Jun.2-6, 2013), P2-37.  pp. 319 – 320.
  23. Kohei Sakaike, Yoshitaka Kobayashi, Shogo Nakamura, Shohei Hayashi, Muneki Akazawa, Seiji Morisaki, Seiichiro Higashi, “Development of Silicon Layer Transfer Technique Using Mid-air Structure for Thin Film Transistor Fabrication,” Abs. 2013 Mat. Res. Soc. Spring Meeting, (San Francisco,California, USA. Apr. 1-5, 2013) A19.05.
  24. 酒池耕平、赤澤宗樹、中村将吾、東清一郎、“フレキシブル基板上での単結晶シリコンMOSFETの作製”、第61回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 19a-D2-11(2014.3.17-20、青山学院大学 相模原キャンパス).
  25. 中村将吾、酒池耕平、赤澤宗樹、東清一郎、“メニスカス力による大面積転写技術を用いて形成されたPET基板上単結晶シリコン膜の密着性改善”、第61回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 19a-D2-10(2014.3.17-20、青山学院大学 相模原キャンパス).
  26. 赤澤宗樹、酒池耕平、中村将吾、東清一郎、“メニスカス力を用いた局所転写によるガラス基板上高性能nチャネルSi MOSFETの作製”、第61回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 19a-E14-8(2014.3.17-20、青山学院大学 相模原キャンパス).
  27. 田中敬介、林将平、東清一郎、“熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理における表面緻密化モデルを用いたガラス基板の反り解析”、第61回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 19a-E14-6(2014.3.17-20、青山学院大学 相模原キャンパス).
  28. 森崎誠司、林将平、上倉敬弘、山本将悟、山根雅人、中谷太一、東清一郎、“大気圧マイクロ熱プラズマジェット結晶化による従来構造および細線構造TFTの特性評価”、第61回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 19a-E14-7(2014.3.17-20、青山学院大学 相模原キャンパス).
  29. 林将平、森崎誠司、上倉敬弘、山本将悟、中谷太一、東清一郎、“a-Si細線のマイクロ熱プラズマジェット結晶化における結晶成長観察”、第61回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 19p-PG3-18(2014.3.17-20、青山学院大学 相模原キャンパス).
  30. 橋本 邦明、大田 晃生、村上 秀樹、小野 貴寛、東 清一郎、宮崎 誠一、 “HfO2/TaGexOy絶縁膜を用いたGe-MISキャパシタにおける熱処理効果”、  ゲートスタック研究会 第19回研究会 材料・プロセス・評価の物理、pp. 139 – 142. (2014.1.24-1.25、ニューウェルシティー湯河原).
  31. 小野 貴寛、村上 秀樹、大田 晃生、東 清一郎、宮崎 誠一、“Ge(100)基板への低温As+イオン注入による低抵抗浅接合形成”、 ゲートスタック研究会 第19回研究会 材料・プロセス・評価の物理、pp. 183 – 186. (2014.1.24-1.25、ニューウェルシティー湯河原).
  32. 大田 晃生、村上 秀樹、牧原 克典、宮崎 誠一、“光電子エネルギー損失信号による極薄酸化物のエネルギーバンドギャップの決定手法の再検討”、ゲートスタック研究会 第19回研究会 材料・プロセス・評価の物理、pp. 179 – 182. (2014.1.24-1.25、ニューウェルシティー湯河原).
  33. 中村将吾、酒池耕平、赤澤宗樹、東清一郎、“メニスカス力による中空構造SOI層の低温大面積転写”、第5回薄膜太陽電池セミナー、P1-5(2013.11.14-11.15、名古屋大学 野依記念学術交流館).
  34. 水野 翼、林 将平、池田 弥央、花房 宏明、東 清一郎、“低温堆積SiNx/SiO2積層膜を用いた結晶シリコン表面パッシベーションによる少数キャリアライフタイムの向上”、 第5回薄膜太陽電池セミナー、P1-6(2013.11.14-11.15、名古屋大学 野依記念学術交流館).
  35. 赤澤 宗樹、酒池 耕平、中村 将吾、東 清一郎、“メニスカス力を利用した熱酸化された中空構造SOI層の局所転写”、薄膜材料デバイス研究会 第10回研究集会、02P05 (pp. 194-196)(2013.10.31-11.2、龍谷大学 アバンティ響都(きょうと)ホール).
  36. 中村 将吾、 酒池 耕平、赤澤 宗樹、東 清一郎、“メニスカス力を利用した大面積中空構造SOI層の低温転写”、薄膜材料デバイス研究会 第10回研究集会、02P06 (pp. 197-199)(2013.10.31-11.2、龍谷大学 アバンティ響都(きょうと)ホール).
  37. 酒池 耕平、赤澤 宗樹、中村 将吾、東 清一郎、“メニスカス力を利用した中空構造シリコン膜の低温局所転写”、薄膜材料デバイス研究会 第10回研究集会、02P07 (pp. 200-203)(2013.10.31-11.2、龍谷大学 アバンティ響都(きょうと)ホール).
  38. 田中敬介、林将平、上倉敬弘、水野翼、東清一郎、“ガラス基板上a-Si膜の急速熱処理結晶化における中間緩衝層が残留応力に及ぼす影響”、薄膜材料デバイス研究会 第10回研究集会、02P04 (pp. 191-193)(2013.10.31-11.2、龍谷大学 アバンティ響都(きょうと)ホール).
  39. 上倉敬弘、林将平、森崎誠司、山本将悟、赤澤宗樹、東清一郎、“大気圧マイクロ熱プラズマジェット照射によるa-Ge膜のLeading Wave Crystallization及び高速横方向結晶化”、薄膜材料デバイス研究会 第10回研究集会、02P02 (pp. 183-186)(2013.10.31-11.2、龍谷大学 アバンティ響都(きょうと)ホール).
  40. 山本将悟、林将平、森崎誠司、上倉敬弘、東清一郎、“ナノメートル幅アモルファスシリコン細線を用いたマイクロ熱プラズマジェット結晶化における結晶粒界制御”、薄膜材料デバイス研究会 第10回研究集会、02P09 (pp. 208-211)(2013.10.31-11.2、龍谷大学 アバンティ響都(きょうと)ホール).
  41. 林 将平、森崎 誠司、上倉 敬弘、山本 将悟、酒池 耕平、赤澤 宗樹、東 清一郎、“大気圧マイクロ熱プラズマジェット照射による異なる結晶化Si膜の結晶構造及びTFT電気特性の調査”、薄膜材料デバイス研究会 第10回研究集会、02P10 (pp. 212-215)(2013.10.31-11.2、龍谷大学 アバンティ響都(きょうと)ホール).
  42. 森崎誠司、林将平、上倉敬弘、山本将悟、酒池耕平、赤澤宗樹、東清一郎、“大気圧マイクロ熱プラズマジェット結晶化Si膜を用いた薄膜トランジスタの微細化およびCMOS回路の高速駆動”、薄膜材料デバイス研究会 第10回研究集会、31R11 (pp. 64-67)(2013.10.31-11.2、龍谷大学 アバンティ響都(きょうと)ホール).
  43. 丸山 佳祐、花房 宏明、村上 秀樹、林 将平、東 清一郎、“大気圧熱プラズマジェット照射急速熱処理による4H-SiC中Al活性化”、薄膜材料デバイス研究会 第10回研究集会、01P08 (pp. 137-138)(2013.10.31-11.2、龍谷大学 アバンティ響都(きょうと)ホール).
  44. 水野 翼、林 将平、池田 弥央、花房 宏明、東 清一郎、“リモート誘導結合型プラズマ化学気相堆積法を用いた低温堆積SiNx/SiO2積層膜による結晶シリコン表面パッシベーション”、 薄膜材料デバイス研究会 第10回研究集会、31P03 (pp. 33-35)(2013.10.31-11.2、龍谷大学 アバンティ響都(きょうと)ホール).
  45. 丸山佳祐、花房宏明、村上秀樹、林将平、東清一郎 、“4H-SiCへの大気圧熱プラズマジェット照射によるAlの活性化”、第74回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 17a-B3-3(2013.9.16-20、同志社大学 京田辺キャンパス).
  46. 中村将吾、酒池耕平、赤澤宗樹、福永貴司、林将平、東清一郎、“メニスカス力による中空構造シリコン膜の大面積転写 ”、第74回応用物理学会学術講演会 講演予稿集18a-A4-3 (2013.9.16-20、同志社大学 京田辺キャンパス).
  47. 福永貴司、酒池耕平、中村将吾、赤澤宗樹、東清一郎、“メニスカス力を利用した中空構造微小Si膜の局所転写 ”、第74回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 18a-A4-4 (2013.9.16-20、同志社大学 京田辺キャンパス).
  48. 林将平、森崎誠司、上倉敬弘、山本将悟、酒池耕平、赤澤宗樹、東清一郎、“マイクロ熱プラズマジェット照射によるa-Si膜のLeading Wave Crystallizationにおける結晶位置制御及びTFTの電気特性評価”、第74回応用物理学会学術講演会 講演予稿集19p-B4-1(2013.9.16-20、同志社大学 京田辺キャンパス).
  49. 森崎誠司、林将平、上倉敬弘、山本将悟、赤澤宗樹、酒池耕平、東清一郎 、“大気圧マイクロ熱プラズマジェット結晶化を用いた微細薄膜トランジスタの特性評価”、第74回応用物理学会学術講演会 講演予稿集19p-B4-2(2013.9.16-20、同志社大学 京田辺キャンパス).
  50. 酒池耕平、中村将吾、赤澤宗樹、福永貴司、森崎誠司、林将平、東清一郎 、“メニスカス力を利用した中空構造シリコン膜の低温転写 ”、第74回応用物理学会学術講演会 講演予稿集19p-B4-11(2013.9.16-20、同志社大学 京田辺キャンパス).
  51. 赤澤宗樹、酒池耕平、中村将吾、福永貴司、林将平、森崎誠司、東清一郎、“メニスカス力による熱酸化された中空構造シリコン膜の局所転写”、第74回応用物理学会学術講演会 講演予稿集19p-B4-12(2013.9.16-20、同志社大学 京田辺キャンパス).
  52. 田中敬介,林将平,上倉敬弘,東清一郎、“ガラス基板上a-Si膜の熱プラズマジェット結晶化における中間緩衝層によるクラック抑制メカニズムの調査”、第74回応用物理学会学術講演会 講演予稿集19p-B4-3(2013.9.16-20、同志社大学 京田辺キャンパス).
  53. 小野貴寛、大田晃生、花房宏明、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、“ゲルマニウムへの低温As+イオン注入による活性化率向上”、第74回応用物理学会学術講演会 講演予稿集20p-B4-8(2013.9.16-20、同志社大学 京田辺キャンパス).
  54. 橋本邦明、大田晃生、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、“HfO2/TaGexOyを用いたGe-MIS構造の熱処理による化学構造変化 ”、第74回応用物理学会学術講演会 講演予稿集18p-P9-8(2013.9.16-20、同志社大学 京田辺キャンパス).
  55. 林将平、藤田悠二、森崎誠司、上倉敬弘、山本将悟、東清一郎、“マイクロ熱プラズマジェット結晶化SiTFTにおけるチャネル結晶状態及び電気特性評価 ”、第74回応用物理学会学術講演会 講演予稿集19a-P5-7(2013.9.16-20、同志社大学 京田辺キャンパス).
  56. 上倉敬弘、林将平、森崎誠司、山本将悟、東清一郎、“大気圧マイクロ熱プラズマジェット照射によるa-Ge膜の高速横方向結晶化 ”、第74回応用物理学会学術講演会 講演予稿集19p-B4-7(2013.9.16-20、同志社大学 京田辺キャンパス).
  57. 福岡 諒、張 海、壁谷 悠希、恒川 直輝、牧原 克典、大田 晃生、宮崎 誠一、“リモート水素プラズマ支援によるFePt合金ナノドットの高密度形成と磁化特性評価”、 第74回応用物理学会学術講演会 講演予稿集19p-C11-3 (2013.9.16-20、同志社大学 京田辺キャンパス).
  58. 牧原 克典、福岡 諒、張 海、壁谷 悠希、大田 晃生、宮崎 誠一、“リモートH2プラズマ支援によるCoPtナノドットの高密度形成と帯電・帯磁特性評価”、電子情報通信学会技術研究報告、113(87)pp. 47-50. (2013.6.18、機械振興会館).
  59. 大田 晃生、福嶋 太紀、牧原 克典、村上 秀樹、東 清一郎、宮崎 誠一、“SiOx/TiO2積層したMIMダイオードにおける抵抗変化特性評価”、電子情報通信学会技術研究報告、113(87)pp. 61-66. (2013.6.18、機械振興会館).

2012年度

  1. Seiji Morisaki , Shohei Hayashi , Yuji Fujita , and Seiichiro Higashi, “Improvement in Characteristic Variability of Thin Film Transistors Using Grain Growth Control by Micro Thermal Plasma Jet Irradiation to Amorphous Silicon Strips and CMOS Circuit Operation at Supply Voltage of 5V,” The 9th International Thin-Film Transistor Conference 2013(ITC2013),(Tokyo,Japan, Mar.1-2,2013), 2pAO05. 
  2. Seiichi Miyazaki, Katsunori Makihara, Mitsuhisa Ikeda and Hideki Murakami ,“Electronic and Optoelectronic Response of Hybrid Nanodots Floating Gate MOS Devices,” 6th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" (Sendai,Japan,Feb.22-23,2013
  3. Hiroki Takami, Katsunori Makihara, Mitsuhisa Ikeda and Seiichi Miyazaki,“Electroluminescence Study of Self-aligned Si-based Quantum Dots,” 6th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" (Sendai,Japan,Feb.22-23,2013
  4. Yoshihisa Suzuki, Katsunori Makihara, Hiroki Takami, Mitsuhisa Ikeda  and Seiichi Miyazaki,“Transient Characteristics of Electroluminescence from Self-aligned Si-based Quantum Dots,” 6th  International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" (Sendai,Japan,Feb.22-23,2013
  5. Naoki Tsunekawa, Katsunori Makihara, Mitsuhisa Ikeda and Seiichi Miyazaki,“Spatially-controlled Charge Storage and Charge Dispersion in High Density Self-aligned Si-based Quantum Dots,” 6th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" (Sendai,Japan,Feb.22-23,2013
  6. Ryo Fukuoka, Hai Zhang, Yuuki Kabeya, Katsunori Makihara, Akio Ohta and Seiichi Miyazaki,“High Density Formation and Characterization of CoPt Alloy Nanodots as Memory Nodes,” 6th  International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" (Sendai,Japan,Feb.22-23,2013
  7. Motoki Fukusima, Akio Ohta, Katsunori Makihara and Seiichi Miyazaki,“Characterization of Resistive Switching of Si-rich Oxides,” 6th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" (Sendai,Japan,Feb.22-23,2013
  8. Daichi Takeuchi, Katsunori Makihara, Mitsuhisa Ikeda, Seiichi Miyazaki, Hirokazu Kaki and Tsukasa Hayashi,“Characterization of Electron Emission from Si-Nanocrystals/Si-Nanocolumnar Structures by Conductive-Probe Atomic Force Microscopy,” 6th  International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" (Sendai,Japan,Feb.22-23,2013
  9. M. Fukusima, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki, “Evaluation of Resistance-Switching Behaviors and Chemical Bonding Features of Si-rich Oxide ReRAMs with TiN Electrode,”  The 5th International Conference on PLAsma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS 2013), (Gifu, Japan, February 2-3, 2013) P-G01, ID0053
  10. A. Ohta, M. Fukushima, K. Makihara, S. Higashi, and S. Miyazaki, “Resistive Switching Behaviors of Si-rich Oxide with Ti-based Electrodes,” 5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitride and Nanomaterials (ISPLasma2013), P1089, (Nagoya , Japan, Jan.28 –Feb. 1, 2013)  p.113.
  11. D. Takeuchi, K. Makihara, M. Ikeda, S. Miyazaki, H. Kaki, T. Hayashi, “Characterization of electronic emission through Au/Si-nanocolumnar structures by conducting-probe atomic force microscopy,” 5th International Symposium on Advanced plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013),(Nagoya ,Japan,Jan.28-Feb.1,2013), P. 259.
  12. K. Makihara, J. Gao, D. Takeuchi, K. Sakaike, S. Hayashi, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki, “Highly-crystallized Ge:H film growth from GeH4 very high frequency inductively-coupled plasma -Crystalline nucleation initiated by Ninanodots,” 5th International Symposium on Advanced plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013),(Nagoya ,Japan,Jan.28-Feb.1,2013),  P. 132.
  13. R. Fukuoka, K. Makihara, M. Ikeda and S. Miyazaki, “Charging and al Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013), (Nagoya, Jan.-Feb., 2013)  P4052C.
  14. Seiji Morisaki, Shohei Hayashi, Yuji Fujita, Seiichiro Higashi, “Grain Growth Control by Micro Thermal Plasma Jet Irradiation to Amorphous Silicon Strips and Improvement in Characteristic Variability of Thin Film Transistors,” Proc. 30th Symp. Plasma Processing (SPP-30), (Hamamatsu, Japan, Jun. 21-23, 2013), pp. 99-100.
  15. R. Ashihara, H. Hanafusa, H. Murakami, S. Hayashi, and S. Higashi, “Rapid Thermal Annealing of SiC Wafer by Atmospheric Pressure Thermal Plasma Jet Irradiration,” Proc.  Int. Symp. Dry Process (DPS2012) ,(Tokyo, Japan, Nov.15-16, 2012),  pp. 147-148.
  16. K. Sakaike, Y. Kobayashi, S. Nakamura, S. Hayashi, M. Akazawa, and S. Higashi, “Layer Transfer and Simultaneous Crystallization of Amorphous Si Films with Mid-Air Structure Induced by Near-Infrared Semiconductor Diode Laser Irradiation and Its Application to Thin-Film Transistor Fabrication,” Proc.  Int. Symp. Dry Process (DPS2012) ,(Tokyo, Japan, Nov.15-16, 2012), pp. 113-114 .
  17. S. Hayashi, Y. Fujita, T. Kamikura, K. Sakaike, M. Akazawa, and S. Higashi, “A Physical Model for Leading Wave Crystallization Induced by Micro-Thermal-Plasma-Jet Irradiation to Amorphous Silicon Films,” Proc.  Int. Symp. Dry Process (DPS2012) ,(Tokyo, Japan, Nov.15-16, 2012), pp. 23-24 .
  18. S. Nakamura, K. Sakaike, Y. Kobayashi, S.Hayashi, and S. Higashi,“Transfer of amorphous silicon films on mid-air structure to porous silicon and epitaxial growth induced by near-infrared semiconductor diode laser irradiation,” Abs. 22nd Int. Photovoltaic Sci. Eng. Conf. (PVSEC-22),( Hangzhou, China, 5-9 Nov. 2012 ), 2-O-26.
  19. Y. Fujita, S. Hayashi, K. Sakaike, and S. Higashi, “Grain Growth Control during Micro-Thermal-Plasma-Jet Irradiation Using AmorphousSi Strips and Slit Masks,” Joint Int. Meeting 222nd Electrochem. Soc. (ECS) Meeting and 2012 Fall Meeting Electrochem. Soc. Jpn. (PRiME 2012) Abs., (Honolulu, Hawaii, USA, Oct. 7-12, 2012), #3059.
  20. K. Sakaike, Y. Kobayashi, S. Nakamura, M. Akazawa, and S. Higashi, “Investigation of Transfer Mechanism of Si Film with Mid-Air Structure Induced by Near-Infrared Semiconductor Diode Laser Irradiation,” Joint Int. Meeting 222nd Electrochem. Soc. (ECS) Meeting and 2012 Fall Meeting Electrochem. Soc. Jpn. (PRiME 2012) Abs., (Honolulu, Hawaii, USA, Oct. 7-12, 2012) ,#3064.
  21. A. Ohta, M. Matsui, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki, “Control of Schottky Barrier Height at Al/p-Ge Junctions by Ultrathin Layer Insertion,” Joint Int. Meeting 222nd Electrochem. Soc. (ECS) Meeting and 2012 Fall Meeting Electrochem. Soc. Jpn. (PRiME 2012) Abs., (Honolulu, Hawaii, USA, Oct. 7-12, 2012) ,#3153.
  22. K. Makihara, M. Fukushima, A. Ohta, M. Ikeda and S. Miyazaki , “Characterization of Resistance-Switching Properties of SiOx Films Using Pt Nanodots Electrodes,” Joint Int. Meeting 222nd Electrochem. Soc. (ECS) Meeting and 2012 Fall Meeting Electrochem. Soc. Jpn. (PRiME 2012) Abs., (Honolulu, Hawaii, USA, Oct. 7-12, 2012), #3154.
  23. T. Ono, A. Ohta, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki, “Characterization of As Implanted and Annealed Ge by Photoemission and Electrical Measurements,” Ext.Abs.2012 Int.Conf. Solid State Dev. Mat.(SSDM 2012),( Kyoto, Japan, Sept.25-27, 2012) ,pp. 38-39.
  24. A. Ohta, S. K. Sahari, M. Ikeda, H. Murakami,S. Higashi and S. Miyazaki, “Dry Oxidation of Germanium (100) and (111) Surfaces - Impact of Oxidation Temperature on Ge Oxide Growth -,” Ext.Abs.2012 Int.Conf. Solid State Dev. Mat.(SSDM 2012),( Kyoto, Japan, Sept.25-27, 2012), pp. 743-744.
  25. S. Hayashi, Y. Fujita, T. Kamikura, K.Sakaike, M. Ikeda, H. Hanafusa and S. Higashi, “Leading Wave Crystallization from Fast Moving Molten Zone Formed by Micro-Thermal-Plasma-Jet Irradiation to Amorphous Silicon Films,” Ext.Abs.2012 Int.Conf. Solid State Dev. Mat.(SSDM 2012),( Kyoto, Japan, Sept.25-27, 2012) ,pp. 1047-1048.
  26. A. Ohta, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki, “XPS Study of Energy Band Alignment between Hf-La Oxides and Si(100),” Abs.Int. Union of Mat. Res. Soc.-Int. Conf. on Electronic Materials 2012(IUMRS-ICEM2012),( Yokohama, Japan, Sept. 23-28,2012), B-1-O27-011.
  27. H.Murakami,Y.Ono,A.Ohta, S.Higashi and S.Miyazaki, “Photoemission Study of GeO2/Ge Structure Formed by Thermal Oxidation,” Abs.Int. Union of Mat. Res. Soc.-Int. Conf. on Electronic Materials 2012(IUMRS-ICEM2012),( Yokohama, Japan, Sept. 23-28,2012), B-1-O28-009.
  28. M. Akazawa, Y. Zhou, K. Sakaike, S. Hayashi, H. Hanafusa, S. Higashi, “Crystallization of Amorphous Silicon Films by High-Frequency Tapping of Molten Silicon Using PiezoActuator,” Proc.AM-FPD 12,(Kyoto, Japan, Jul.4-6, 2012), P-33 , pp. 215-218 .
  29. S. Hayashi, R. Matsubara, Y. Fujita, M. Ikeda, K. Sakaike, S. Higashi, “Control of Crystal Growth Orientation by Micro-Thermal-Plasma-Jet Induced Melting and Solidification of Silicon Films on Porous Silicon Underlayer,” Proc.AM-FPD 12,( Kyoto, Japan, Jul.4-6, 2012), P-34, pp. 219-222.
  30. Shunki Koyanagi, Syouhei Hayashi, Tsubasa Mizuno, Kouhei Sakaike, Hiroaki Hanafusa, Seiitiro Higashi, “Improvement of Low-Temperature-Deposited SiO2 and Si/SiO2 interface Properties by Thermal-Plasma-Jet Annealing and Heat Treatment in High-Pressure H2O Vapor,” 2012 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices(AWAD2012),( Naha, Japan, June 27 – 29, 2012),pp. 95-98.
  31. Akio Ohta , Katsunori Makihara, Mitsuhisa Ikeda, Hideki Murakami, Seiichiro Higashi, Seiichi Miyazaki, “Evaluation of Chemical Composition and Bonding Features of Pt/SiOx/Pt MIM Diodes and Its Impact on Resistance Switching Behavior,” 2012 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices(AWAD2012),(Naha, Japan, June 27 – 29, 2012), pp. 186-191.
  32. Daichi Takeuchi, Katsunori Makihara , Mitsuhisa Ikeda , Seiichi Miyazaki. “Characterization of Local Electronic Transport through Ultrathin Au/Highly-dense Si Nanocolumar structures by Conducting-Probe Atomic Force Microscopy,” 2012 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices(AWAD2012),( Naha, Japan, June 27 – 29, 2012)
  33. Mitsuhisa Ikeda, Katsunori Makihara, Seiichi Miyazaki, “Photoexcited Carrier Transfer in NiSi-Nanodots/Si-Quantum-Dots Hybrid Floating Gate in MOS Structures,” 2012 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices(AWAD2012),( Naha, Japan, June 27 – 29, 2012), pp. 206-209.
  34. Motoki Fukusima , Akio Ohta, Katsunori Makihara, Seiichi Miyazaki, “Characterization of Resistive Switching of Pt/Si-rich Oxide/TiN System,” 2012 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices(AWAD2012),(Naha, Japan, June 27 – 29, 2012), pp. 192-197.
  35. Kuniaki Hashimoto, Akio Ohta, Hideki Murakami, Seiichiro Higashi, Seiichi Miyazaki, “Control of Interfacial Reaction of HfO2/Ge Structure by Insertion of Ta Oxide Layer,” 2012 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices(AWAD2012),(Naha, Japan, June 27 – 29, 2012) ,pp. 219-224.
  36. [Invited] Seiichiro Higashi, “Application of Atmospheric Pressure  Micro-Thermal-Plasma-Jet to Ultra Rapid Thermal Annealing for Semiconductor Device Fabrication,” 12th International Workshop on Junction Technology(IWJT2012) , (Shanghai, China, May 14 - 15, 2012) ,pp. 206-209.
  37. Yoshitaka Kobayashi, Kohei Sakaike, Mitsuhisa Ikeda, and Seiichiro Higashi, “Activation of Phosphorus Atoms in Amorphous Si Films and Simultaneous Layer Transfer Technique by Near-infrared Semiconductor Diode Laser Irradiation,” 2012 Materials Research Society Spring Meeting and Exhibit (2012MRS Spring meeting and Exhibit), (San Francisco,California, Apr. 9-13, 2012), A6.9.
  38. [Invited] Seiichiro Higashi,“Rapid Thermal Annealing by Atmospheric Pressure Micro-thermal–Plasma–jet and Its Application to Thin FilmTransistor Fabrication –Crystallization,Doping, and Reliability Improvement,” 2012 Materials Research Society Spring Meeting and Exhibit (2012MRS Spring meeting and Exhibit), (San Francisco,California, Apr. 9-13, 2012), A9.1.
  39. 福嶋 太紀、大田 晃生、牧原 克典、宮崎 誠一、“Ti 電極MIMダイオードにおけるSiOx/TiO2 多重積層の抵抗変化特性評価、”第60回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 27p-F2-15,  (2013.3.27-30、神奈川工科大学).
  40. 福岡 諒、張 海、壁谷 悠希、牧原 克典、大田 晃生、宮崎 誠一、“リモート水素プラズマ支援によるCoPt 合金ナノドットの高密度形成、” 第60回応用物理学会学術講演会 講演予稿集27p-B8-7 (2013.3.27-30、神奈川工科大学).
  41. 盧 義敏、高 金、牧原 克典、酒池 耕平、藤田 悠二、池田 弥央、大田 晃生、東 清一郎、宮崎 誠一、“Ni ナノドットによる初期核発生制御を活用した高結晶性Si:H/Ge:Hヘテロ構造の低温堆積、” 第60回応用物理学会学術講演会, 28a-A3-9(2013.3.27-30、神奈川工科大学).
  42. 小林義崇、酒池耕平、中村将吾、赤澤宗樹、東清一郎、“近赤外半導体レーザ光照射によるPドープSi膜の局所転写と不純物活性化”、第60回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 28a-G6-8(2013.3.27-30、神奈川工科大学).
  43. 小野貴寛、大田晃生、花房宏明、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、“As+イオン注入したゲルマニウム層の化学分析 -イオン注入温度依存性- ”、第60回応用物理学会学術講演会講演予稿集 28p-G6-8 (2013.3.27-30、神奈川工科大学).
  44. 上倉敬弘、林将平、森崎誠司、藤田悠二、赤澤宗樹、東清一郎 、“大気圧マイクロ熱プラズマジェット照射によるa-Ge膜のLeading Wave Crystallization”、第60回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 28p-G6-11(2013.3.27-30、神奈川工科大学).
  45. 藤田悠二、林将平、森崎誠司、上倉敬弘、山本将悟、東清一郎 、“マイクロ熱プラズマジェット照射高速横方向結晶化におけるa-Si細線及びスリットマスクを用いた結晶位置制御”、第60回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 28p-G6-12(2013.3.27-30、神奈川工科大学).
  46. 山本将悟、藤田悠二、林将平、森崎誠司、上倉敬弘、赤澤宗樹、村上秀樹、東清一郎 、“ナノメートル幅アモルファスシリコン細線を用いたマイクロ熱プラズマジェット照射高速横方向結晶化における結晶成長制御 ”、第60回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 28p-G6-13 (2013.3.27-30、神奈川工科大学).
  47. 林将平、藤田悠二、森崎誠司、上倉敬弘、赤澤宗樹、酒池耕平、東清一郎、“大気圧マイクロ熱プラズマジェット照射によるa-Si膜の超高速結晶成長”、第60回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 29p-B8-7 (2013.3.27-30、神奈川工科大学).
  48. 森崎誠司、林将平、藤田悠二、東清一郎、“a-Si細線を用いた大気圧マイクロプラズマジェット結晶成長制御によるTFT特性ばらつきの改善および5V電源電圧でのCMOS回路動作 ”、第60回応用物理学会学術講演会 講演予稿集28p-G6-14(2013.3.27-30、神奈川工科大学).
  49. 酒池耕平、小林義崇、中村将吾、林将平、赤澤宗樹、森崎誠司、東清一郎 、“近赤外半導体レーザ光照射による中空構造a-Si膜の局所転写同時結晶化”、第60回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 29a-A3-5 (2013.3.27-30、神奈川工科大学).
  50. 芦原龍平、花房宏明、村上秀樹、林将平、小柳俊貴、丸山佳祐、東清一郎 、“大気圧熱プラズマジェット照射によるSiCウェハ中不純物の短時間活性化”、第60回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 29p-PB4-11 (2013.3.27-30、神奈川工科大学).
  51. 花房宏明、芦原龍平、丸山佳祐、水野翼、林将平、村上秀樹、東清一郎、“P添加アモルファスSi結晶化層を介した金属とSiCのコンタクト特性 ”、第60回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 29p-PB4-18 (2013.3.27-30、神奈川工科大学).
  52. 小柳俊貴、林将平、水野翼、池田弥央、花房宏明、東清一郎 、“低温堆積SiNx/SiO2二層膜による結晶シリコン表面パッシベーション”、第60回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 29a-A4-7 (2013.3.27-30、神奈川工科大学).
  53. 村上 秀樹、 芦原 龍平、丸山 佳祐、 花房 宏明、 宮崎 誠一、 東 清一郎、“不純物イオン注入 SiC 基板の高効率活性化と化学結合状態評価”、ゲートスタック研究会 第18回研究会 材料・プロセス・評価の物理、pp. 119 – 122. (2013.1.25-1.26、ニューウェルシティー湯河原).
  54. 小野 貴寛、大田 晃生、花房 宏明、村上 秀樹、東 清一郎、宮崎 誠一、“X線光電子分光によるAs+イオン注入したGeの化学結合状態分析”、ゲートスタック研究会 第18回研究会 材料・プロセス・評価の物理、pp. 171 – 174.  (2013.1.25-1.26、ニューウェルシティー湯河原).
  55. 大田 晃生、牧原 克典、池田 弥央、村上 秀樹、東 清一郎、宮崎 誠一、“スパッタ形成したPt/SiOx/Pt構造の光電子分光分析”、ゲートスタック研究会 第18回研究会 材料・プロセス・評価の物理、pp. 229 – 232.  (2013.1.25-1.26、ニューウェルシティー湯河原).
  56. 福嶋 太紀、大田 晃生、牧原 克典、宮崎 誠一、“スパッタ形成したTiN/SiOx/TiNダイオードの電気抵抗スイッチング特性評価”、 ゲートスタック研究会 第18回研究会 材料・プロセス・評価の物理、pp. 233 - 236.  (2013.1.25-1.26、ニューウェルシティー湯河原).
  57. 田中敬介、林将平、岡田竜弥、藤田悠二、上倉敬弘、東清一郎、“熱プラズマジェット照射によるガラス基板上a-Si膜の結晶化における残留応力とクラック発生の調査”、薄膜材料デバイス研究会 第9回研究集会、2P01(pp.66-68)(2012.11.2-11.3、なら100年会館).
  58. 酒池 耕平、小林 義崇、中村 将吾、林 将平、赤澤 宗樹、東 清一郎、“近赤外半導体レーザ光照射によるSi 膜の転写メカニズムの解明と転写Si 膜の電気特性および欠陥密度評価”、薄膜材料デバイス研究会 第9回研究集会、2P07(pp.77-80)(2012.11.2-11.3、なら100年会館).
  59. 中村 将吾、酒池 耕平、小林 義崇、林 将平、花房 宏明、東 清一郎、“近赤外半導体レーザ光照射によるポーラスシリコン上へのSi膜の転写及び面方位制御”、薄膜材料デバイス研究会 第9回研究集会、2P09(pp.81-83)(2012.11.2-11.3、なら100年会館).
  60. 上倉 敬弘、林 将平、藤田 悠二、赤澤 宗樹、村上 秀樹、東 清一郎、“大気圧マイクロ熱プラズマジェットを用いたa-Ge膜結晶化における結晶成長観察”、薄膜材料デバイス研究会 第9回研究集会、2P11(pp.84-86)(2012.11.2-11.3、なら100年会館).
  61. 水野 翼、林 将平、花房 宏明、小柳 俊貴、池田 弥央、小林 義崇、 藤田 悠二、村上 秀樹、東 清一郎、“誘導結合型プラズマ化学気相堆積法を用いた高品質a-Si:Hパッシベーション膜の形成”、薄膜材料デバイス研究会 第9回研究集会、2P19(pp.97-99)(2012.11.2-11.3、なら100年会館).
  62. 林 将平、藤田 悠二、上倉 敬弘、酒池 耕平、赤澤 宗樹、東 清一郎、“結晶化 大気圧マイクロ熱プラズマジェット照射によるa-Si膜結晶化メカニズムの解明”、薄膜材料デバイス研究会 第9回研究集会、3O04(pp.154-157)(2012.11.2-11.3、なら100年会館).
  63. 赤澤 宗、周 袁、酒池 耕平、林 将平、池田 弥央、花房 宏明、東 清一郎、“キャリアガス搬送Siパウダーへのレーザ照射による結晶Siの形成”、薄膜材料デバイス研究会 第9回研究集会、3P02(pp.161-163)(2012.11.2-11.3、なら100年会館).
  64. 藤田 悠二、林 将平、上倉 敬弘、酒池 耕平、赤澤 宗樹、村上 秀樹、東 清一郎、“アモルファスシリコン細線及びスリットマスクを用いたマイクロ熱プラズマジェット結晶化における結晶成長制御及びTFT応用”、薄膜材料デバイス研究会 第9回研究集会、3P06(pp.168-171)(2012.11.2-11.3、なら100年会館).
  65. 小林 義崇、酒池 耕平、中村 将吾、大田 晃生、東 清一郎、“近赤外半導体レーザ光照射によるP ドープ a-Si 膜の転写と同時活性化技術”、薄膜材料デバイス研究会 第9回研究集会、3P08(pp.172-175)(2012.11.2-11.3、なら100年会館).
  66. 芦原 龍平、花房 宏明、村上 秀樹、林 将平、東 清一郎、“大気圧熱プラズマジェット照射によるSiCウェハの急速熱処理”、薄膜材料デバイス研究会 第9回研究集会、3P10(pp.176-177)(2012.11.2-11.3、なら100年会館).
  67. 小柳俊貴、林将平、水野翼、花房宏明、東清一郎、“大気圧熱プラズマジェット照射及び高圧水蒸気熱処理による低温堆積SiO2/Si界面の改質及び少数キャリアライフタイムの向上”、薄膜材料デバイス研究会 第9回研究集会、3P20(pp.190-193)(2012.11.2-11.3、なら100年会館).
  68. 福嶋 太紀、大田 晃生、牧原 克典、宮崎 誠一、“Ti系電極を用いたSiOx膜の化学構造分析と抵抗スイッチング特性評価、”応用物理学会東海支部 第19回基礎セミナー,  P-06, p.8  (2012.9.24、岐阜大学).
  69. 福嶋 太紀、大田 晃生、牧原 克典、宮崎 誠一、“Ti系電極を用いたSiリッチ酸化層の抵抗変化特性評価、”第73回応用物理学会学術講演会, 講演予稿集 14a-C13-6, (2012.9.11-14、愛媛大学、松山大学).
  70. 中村将吾、酒池耕平、小林義崇、林 将平、花房宏明、東清一郎、“近赤外半導体レーザ光照射によるポーラスシリコン上へのa-Si膜の転写と結晶成長制御(II)、”第73回応用物理学会学術講演会 講演予稿集14a-F6-11(2012.9.11-14、愛媛大学・松山大学).
  71. 橋本邦明、大田晃生、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、“TaOx/p-Ge(100)界面のエネルギーバンドアライメント評価とAl電極ショットキーダイオードの伝導制御”、第73回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 13a-F5-8(2012.9.11-14、愛媛大学・松山大学).
  72. 小野貴寛、大田晃生、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、“As+イオン注入したGe(100)の光電子分光分析”、第73回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 11p-F5-14(2012.9.11-14、愛媛大学・松山大学).
  73. 村上秀樹、大田晃生、芦原龍平、雨宮嘉照、田部井哲夫、横山 新、吉川公麿、宮崎誠一、東清一郎、“As+イオン注入した4H-SiC基板の化学結合状態評価”、第73回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 11p-PB2-15(2012.9.11-14、愛媛大学・松山大学).
  74. 水野 翼、林 将平、小柳俊貴、花房宏明、池田弥央、小林義崇、藤田悠二 、村上秀樹、東清一郎、“誘導結合型プラズマ化学気相堆積法を用いたa-Si:H膜による結晶シリコン表面パッシベーション”、第73回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 12a-F6-6(2012.9.11-14、愛媛大学・松山大学).
  75. 赤澤宗樹、周  袁、酒池耕平、林 将平、池田弥央、花房宏明、東清一郎、“キャリアガス搬送シリコンパウダーへのレーザ照射による結晶Siの形成”、第73回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 12a-F5-4(2012.9.11-14、愛媛大学・松山大学).
  76. 高  金、牧原克典、高見弘貴、竹内大智、酒池耕平、林 将平、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一、“導電性AFM短針によるNiナノドット上に形成した高結晶性Ge:H薄膜も局所伝導評価”、第73回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 12a-F7-8(2012.9.11-14、愛媛大学・松山大学).
  77. 酒池耕平、小林義崇、中村将吾、林 将平、赤澤宗樹、池田弥央、花房宏明、東清一郎、“近赤外半導体レーザ光照射による転写 Si 膜の電気特性及び欠陥密度評価”、第73回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 14a-F6-10(2012.9.11-14、愛媛大学・松山大学).
  78. 田中敬介、林 将平、藤田悠二、岡田竜弥、東清一郎、“ガラス基板上a-Si膜の熱プラズマジェット結晶化におけるクラック発生と残留応力”、第73回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 12a-F5-5(2012.9.11-14、愛媛大学・松山大学).
  79. 藤田悠二、林 将平、上倉敬弘、東清一郎、“マイクロ熱プラズマジェット照射高速横方向結晶化におけるスリットマスクを用いたSi結晶成長制御”、第73回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 12a-F5-6 (2012.9.11-14、愛媛大学・松山大学).
  80. 林 将平、藤田悠二、上倉敬弘、池田弥央、花房宏明、東清一郎、“大気圧マイクロ熱プラズマジェット照射によるa-Si膜のLeading Wave Crystallization”、第73回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 12a-F5-7(2012.9.11-14、愛媛大学・松山大学).
  81. 上倉敬弘、林 将平、藤田悠二、赤澤宗樹、村上秀樹、東清一郎、“大気圧マイクロ熱プラズマジェット照射によるa-Ge膜結晶化過程の直接観察”、第73回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 12a-F5-8 (2012.9.11-14、愛媛大学・松山大学).
  82. 花房宏明、酒池耕平、小林義崇、中村将吾、林 将平、村上秀樹、東清一郎、“アモルファスSi層を介した金属とGeのコンタクト特性”、 第73回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 13a-F5-11(2012.9.11-14、愛媛大学・松山大学).
  83. 大田晃生、Siti Kudnie Sahari、池田弥央、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、“ゲルマニウムドライ酸化における基板面方位依存性”、第73回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 11a-F8-4(2012.9.11-14、愛媛大学・松山大学).
  84. 橋本邦明、大田晃生、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、“HfO2/Ge界面へのTaOx層挿入による界面反応制御と物性評価”、2012年度応用物理学会中国四国支部 学術講演会(Dp-9) P.77.(2012.7.28、山口大学).
  85. 大田晃生、松井真史、村上秀樹、東 清一郎、宮崎誠一、“極薄層挿入によるAl/Ge接合の伝導特性制御”、電子情報通信学会技術研究報告、112(92)pp. 53-58. (2012.6.21、名古屋大学).
  86. 小野貴寛、大田晃生、村上秀樹、東 清一郎、 宮崎誠一、 “As+イオン注入したゲルマニウム層の化学分析”、電子情報通信学会技術研究報告、112(92)pp. 63-67. (2012.6.21、名古屋大学).
  87. 福嶋 太紀、大田 晃生、牧原 克典、宮崎 誠一、“Pt/SiOx/TiNダイオード構造の化学構造分析と電気抵抗スイッチング特性評価”、電子情報通信学会技術研究報告、112(92)pp.1-6. (2012.6.21、名古屋大学).
  88. 村上秀樹、三嶋健斗、大田晃生、橋本邦明、東 清一郎、宮崎誠一、“TaOx層挿入によるHfO2/Ge界面反応制御” 、電子情報通信学会技術研究報告、112(92)pp. 33-36. (2012.6.21、名古屋大学).
  89. 池田弥央、牧原克典、宮崎誠一、“Si量子ドット/NiSiナノドットハイブリッド積層フローティングゲートMOS構造における光励起キャリア移動”、 電子情報通信学会技術研究報告、112(92)pp. 13-16. (2012.6.21、名古屋大学).
  90. 林 将平, 松原 良平, 藤田 悠二, 池田 弥央,東 清一郎, “マイクロ熱プラズマジェット照射によるポーラスシリコン層上Si膜のエピタキシャル成長” 、電子情報通信学会技術研究報告、 112  (18)  pp. 63-66. (2012.4 .27-4.28、沖縄県青年会館).
  91. 藤田 悠二, 林 将平, 東 清一郎, “マイクロ熱プラズマジェット結晶化におけるアモルファスシリコン細線及びスリットマスクを用いた結晶成長制御”、 電子情報通信学会技術研究報告、112  (18)  pp. 67-70. (2012.4 .27-4.28、沖縄県青年会館).

2011年度

  1. A.Ohta, H.Murakami, S.Higashi and S.Miyazaki, “Evaluation of Chemical Structure and Resistance Switching Behaviors of Pt/RF-Sputtered Si Oxide/Pt Diodes,” The 5th International Conference on PLAsma-Nano Technology &Science(IC-PLANTS2012) ,(Aichi,Japan,Mar.9-10,2012) , P-66.
  2. A.Ohta, K.Makihara, S.Miyazaki, M.Sakuraba, and J.Murota, “X-ray Photoemission Study of SiO2/Si/SiGe Heterostructures on Si(100),” The 5th International Conference on PLAsma-Nano Technology &Science(IC-PLANTS2012) ,(Aichi,Japan,Mar. 9-10,2012) , P. 67.
  3. M.Ikeda, K.Makihara, A.Ohta,and S.Miyazaki, “Formation of High-Density Ge Quantum Dots and Their Electrical Properties” The 5th International Conference on PLAsma-Nano Technology &Science(IC-PLANTS2012) ,(Aichi,Japan,Mar. 9-10,2012) , P. 63.
  4. K. Makihara, H. Deki, M. Ikeda and S. Miyazaki, “Evaluation of Charge Trapping Properties of Microcrystalline Germanium Thin Films by Kelvin Forece Microscopy,” The 5th International Conference on PLAsma-Nano Technology &Science(IC-PLANTS2012) ,(Aichi,Japan,Mar. 9-10,2012) , P. 64.
  5. K.Makihara, M.Ikeda, A.Ohta, and S.Miyazaki, “Formation of PtAl-Alloy Nanodots on Ultrathin SiO2 Induced by Remote Hydrogen Plasma,” The 5th International Conference on PLAsma-Nano Technology &Science(IC-PLANTS2012) ,(Aichi,Japan,Mar. 9-10,2012) , P. 65.
  6. R.Ashihara,T.Okada,M. Ikeda,S. Hayashi, and S.Higashi, “In-Situ Measurement of Temperature Variation in SiC Wafer during Millisecond Rapid Thermal Annealing Induced by Thermal Jet Irradiatio,”  The 5th International Conference on PLAsma-Nano Technology &Science(IC-PLANTS2012) (Aichi,Japan,Mar. 9-10,2012) , P. 33.
  7. Muneki Akazawa, Yuan Zhou, Kouhei Sakaike and Seiichiro Higashi “Crystallization  of Amorphous Silicon films by molten Silicon contacting method using piezo actuator,” 8th International Thin-Film Transistor Conference(ITC-2012) ,(Lisbon,Portugal, Jan.30-31,2012) , p. 94.
  8. K. Sakaike, Y. Kobayashi, R. Matsubara, M. Ikeda and S. Higashi “In-situ observation of phase transformation of amorphous Si films and simultaneous transfer induced by near-infrared semiconductor diode laser irradiation,” 8th International Thin-Film Transistor Conference(ITC-2012), (Lisbon,Portugal, Jan.30-31,2012) , p. 96.
  9. K.Sakaike,Y.Kobayshi,M.Akazawa and S.Higashi “CRYSTALLIZATION OF AMORPHOUS SI FILMS AND SIMULTANEOUS TRANSFER TECHNIQUE INDUCED BY NEAR-INFRARED SEMICONDUCTOR DIODE LASER IRRADIATION,” 21st International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-21) ,(Fukuoka,Japan,Nov.28-Des.2,2011) , 3D-2P-10.
  10. R.Ashihara,T.Okada,Y.Nishida,S.Higashi,“Development of Noncontact Measurement of SiC Wafer Temperature during Millisecond Rapid Annealing Induced by Atmospheric Pressure Thermal Plasma Jet  Irradiation,”Proc.33rd International Symposium on Dry Process(DPS2011),(Kyoto,Japan,Nov.10-11,2011), E-1, pp. 157-158.
  11.  Akio Ohta, Hideki Murakami, Seiichiro Higashi, and Seiichi Miyazaki, “Determination of Energy Band Alignment in Ultrathin Hf-based Oxide/Pt System,” 15th International Conference on Thin Film (ICTF-15), (Kyoto, Japan, Nov. 8-11, 2011), P-S2-05 
  12. S. K. Sahari, A. Ohta, M. Matsui, K. Mishima, H. Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki, “Kinetics of Thermally Oxidation of Ge(100) Surface,” 15th International Conference on Thin Film (ICTF-15), (Kyoto, Japan, Nov. 8-11, 2011) , P-S2-22.
  13. Kento Mishima, Hideki Murakami, Akio Ohta, S. K. Sahari, Tomohiro Fujioka, Seiichiro Higashi, and Seiichi Miyazaki, “Characterization of Ultrathin Ta-Oxide Films Formed on Ge(100) by ALD and Layer-by-Layer Method” 15th International Conference on Thin Film (ICTF-15), (Kyoto, Japan, Nov.8-11, 2011), P-S2-24.
  14. S. Miyazaki, K. Makihara, A. Ohta and M. Ikeda, “Electrical Charging Characteristics of Hybrid Nanodots Floating Gates in MOS Devices,” 15th International Conference on Thin Films (ICTF-15), (Kyoto, Japan,Nov.8-11 2011), P-S2-26.
  15.  Katsunori Makihara, Mitsuhisa Ikeda, Akio Ohta, Ryuhei Ashihara, Seiichiro Higashi, Seiichi Miyazaki, “Formation of PtAl Nanodots Induced by RemoteHydrogen Plasma,” 15th International Conference on Thin Film (ICTF-15), ( Kyoto, Japan, Nov. 8-11, 2011), P-S2-27.
  16. J. Gao, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, S. Miyazaki, H. Kaki and T. Hayashi, “Evaluation of Electronic Properties of Pillar-shaped Si Nanostructures by Conductive Atomic Force Microscopy,” 15th International Conference on Thin Films (ICTF-15), (Kyoto, Japan,Nov. 2011), P-S2-28.
  17.  A. Ohta, Y. Goto, S. Nishigaki, H. Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki, “Impact of Oxide Thinning on Resistance Switching Behavior of RF Sputtered SiOx Dielectric Sandwiching with Pt Electrodes,” 24th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2011), (Kyoto, Japan, Oct.24-27, 2011), 27P-11-147L.
  18. S.K.Sahari, A.Ohta, M. Matsui, H.Murakami,  S. Higashi, S.Miyazaki,“Evaluation  of Thermal ly-Grown Ge Oxide on Ge(100) and Ge(111) surfaces,” 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM 2011),(Nagoya, Japan, Sept. 28-30, 2011),P-1-4, pp. 14-15.
  19. Y.Fujita, S.Hayashi, H.Murakami, S.Higashi,“High Speed Lateral Crystallization of Amorphous Silicon Films on Glass,” 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM 2011),(Nagoya, Japan, Sept. 28-30, 2011), M-8-2,  pp. 1424-1425.
  20. K. Makihara, H. Deki, M Ikeda and S, Miyazaki, “Electroluminescence from One-dimensionally Self-Aligned Si-based Quantum Dots with High Areal Dot Density,” 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011), (Nagoya, Japan,Sept. 28-30,2011), pp. 1169-1170.
  21.  H. Hanafusa, N. Hirose, A. Kasamatsu, T. Mimura, T. Matsui, H. M. H. Chong, H. Mizuta, and Y. Suda, Phosphorus Mediated Growth of Ge Layer on Si(001) Substrate, Ext. Abs. of the 2011 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials(SSDM2011), (Nagoya,Japan,Sept.28-30, 2011), pp. 1430-1431.
  22. Ryohei Matsubara, Shohei Hayashi, Seiichiro Higashi,“Crystallization of Amorphous Silicon Films on Porous Silicon by Micro-Thermal-Plasma-Jet Irradiation,” 24th International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors (ICANS24), (Nara, Japan, Aug. 21-26, 2011),P1-22 , p. 120.
  23. K. Makihara, H. Deki, M Ikeda and S, Miyazaki, “Local Electrical Properties of Microcrystalline Germanium Thin Films By Kelvin Force Microscopy,” 24thInternational Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductor (ICANS 24), (Nara,Japan, Aug.21-26, 2011), 1C2-5, p. 44.
  24. Y. Fujita, S. Hayashi, H. Murakami, S. Higashi, “Fabrication of High Performance Crystalline Silicon TFTs on Glass Using Micro-Thermal-Plasma-Jet,” Proc.AM-FPD 11, (Tokyo,Japan,Jul.10-13, 2011), pp. 239-242.
  25. Akio.OHTA,Yuta.GOTO,Shingo.NISHIGAKI,Guobin.WEI,Hideki.MURAKAMI,Seiichiro.HIGASHI,Seiichi.MIYAZAKI,“Characterization of Resistance-Switching of Si Oxide Dielectrics Prepared by RF Sputtering,” 2011 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices(AWAD2011), (Daejeon, Korea,June. 29-Jul.1, 2011), 1A-10, pp. 41-46 .
  26. K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta and S. Miyazaki, “Electrical Characterization of NiSi-NDs/Si-QDs Hybrid Stacked Floating Gate in MOS Capacitors,” 2011 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2011), (Daejeon, Korea, Jun. 29 - July 12, 2011), 1A.11.
  27. G.Wei, H.Murakami, T.Fujioka , A.Ohta,Y.Goto,S.Higashi,S.Miyazaki, “Impact of insertion  of ultrathin  TaOx layer at the Pt/TiO2 interface on resistive switching characteristic,”17th Conference on Insulating Films on Semiconductors(Infos2011) (Grenoble,France, Jun.21-24, 2011),  p. 46.
  28. M.Matsui, H.Murakami, T.Fujioka, A.Ohta, S.Higashi, and S.Miyazaki,“Characterization of chemical bonding  features at metal/GeO2 interfaces by  X-ray photoelectron  spectroscopy,” 17th Conference on Insulating Films on Semiconductors(Infos2011), (Grenoble,France, Jun.21-24, 2011)
  29. G.Wei, H.Murakami, T.Fujioka , A.Ohta,Y.Goto,S.Higashi,S.Miyazaki, “Effects of Inserting an Ultrathin TaOx Layer to the Pt/TiO2 Interface on Resistive Switching Characteristic,” The 2011 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai(IMFEDK2011), (Kansai, May. 19-20, 2011), PC-6 , pp. 110-111.
  30. Muneki Akazawa, Katsunori Makihara, Tatsuya Matsumoto and Seiichiro Higashi,“Development of Silicon Microliquid Processing Using Piezo Actuator,” 2011 Materials Research Society Spring Meeting and Exhibit (2011MRS Spring meeting and Exhibit), (San Francisco,California, Apr. 25-29, 2011) , A13.2.
  31. Seiichiro Higashi, Shohei Hayashi, Yusuke Nishida and Ryohei Matsubara, “Fabrication of High Performance TFTs by Atmospheric Pressure Micro-thermal-plasma-jet Induced Lateral Crystallization Technique,” 2011 Materials Research Society Spring Meeting and Exhibit (2011MRS Spring meeting and Exhibit), (San Francisco,California, Apr. 25-29, 2011) , A22.2.
  32. 大田晃生、 Siti Kudnie Sahari、 池田弥央、 村上秀樹、 東清一郎、 宮崎誠一、 “ゲルマニウムドライ酸化における温度依存性”、第59回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 16a-A5-4, 13-029 (2012.3.15-18、早稲田大学 早稲田キャンパス).
  33. 大田晃生、 牧原克典、池田弥央、村上秀樹、 東清一郎、 宮崎誠一、 “Pt/SiOx/Pt 構造における抵抗変化特性” 、第59回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 16p-F6-10, 06-151 (2012.3.15-18、早稲田大学早稲田キャンパス).
  34. 松井真史、 大田晃生、村上秀樹、 小野貴寛、 橋本邦明、 東清一郎、 宮崎誠一、 “極薄層挿入によるAl/p-Ge 接合のショットキー障壁制御”、第59回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 18p-A1-3, 13-020 (2012.3.15-18、早稲田大学早稲田キャンパス).
  35. 小野貴寛、 大田晃生、村上秀樹、 東清一郎、 宮崎誠一、 “高濃度As+イオン注入ゲルマニウム層における化学結合状態評価”、第59回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 18a-A6-9, 13-160 (2012.3.15-18、早稲田大学早稲田キャンパス).
  36. 林 将平、松原良平、池田弥央、東清一郎、 “ポーラスシリコン層を用いたマイクロ熱プラズマジェット照射結晶成長における面方位制御”、 第59回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 17p-B8-19 (2012.3.15-18、早稲田大学 早稲田キャンパス).
  37. 牧原克典、山根雅人、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一、 “熱プラズマジェットを用いたミリ秒熱処理によるPtおよびPtシリサイドナノドットの形成とフローティングゲートメモリ応用”、 「講演奨励賞受賞記念講演」 第59回応用物理学関係連合講演会, 18a-B3-1 (2012.3.15-18、早稲田大学早稲田キャンパス).
  38. 赤澤宗樹、周  袁、酒池耕平、東清一郎、 “ピエゾアクチュエータを用いたSi融液の高速タッピングによるアモルファスSi膜の結晶化”、 第59回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 17a-A6-11 (2012.3.15-18、早稲田大学早稲田キャンパス).
  39. 林 将平、上倉敬弘、藤田悠二、池田弥央、酒池耕平、東清一郎、 “マイクロ熱プラズマジェット照射によるSi融液からの結晶成長の高時間分解能観察”、 第59回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 17p-A6-1 (2012.3.15-18、早稲田大学 早稲田キャンパス).
  40. 藤田悠二、林 将平、村上秀樹、東清一郎、 “アモルファスSi細線及びスリットマスクを用いたマイクロ熱プラズマジェット照射高速横方向成長による結晶成長制御”、  第59回応用物理学関係連合講演会講演予稿集 17p-A6-2 (2012.3.15-18、早稲田大学早稲田キャンパス).
  41.  田中敬介、岡田竜弥、林 将平、芦原龍平、東清一郎、 “熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理におけるガラス基板の非接触温度測定及びクラック発生条件の解明”、第59回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 17p-A6-3 (2012.3.15-18、早稲田大学 早稲田キャンパス).
  42. 小林義崇、酒池耕平、中村将吾、東清一郎、 “近赤外半導体レーザ光照射によるPドープa-Si膜の不純物活性化と同時転写技術”、第59回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 17p-A6-4 (2012.3.15-18、早稲田大学早稲田キャンパス).
  43. 芦原龍平、池田弥央、林 将平、酒池耕平、東清一郎、 “大気圧熱プラズマジェット照射によるSiCウェハの急速熱処理”、 第59回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 18p-A8-6 (2012.3.15-18、早稲田大学 早稲田キャンパス).
  44. 高  金、牧原克典、酒池耕平、林 将平、出木秀典、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一、“GeH4 VHF-ICP からの高結晶性Ge:H 薄膜堆積 -Ni ナノドットを用いた結晶核発生制御-”、第59回応用物理学関係連合講演会講演予稿集 16a-B6-5 (2012.3.15-18、早稲田大学早稲田キャンパス).
  45. 酒池耕平、小林義崇、中村将吾、赤澤宗樹、池田弥央、東清一郎、 “近赤外半導体レーザ光照射によるSi膜の転写メカニズムの解明”、第59回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 17p-B6-2 (2012.3.15-18、早稲田大学 早稲田キャンパス).
  46. 中村将吾、酒池耕平、小林義崇、東清一郎、“近赤外半導体レーザ光照射によるポーラスシリコンへのa-Si膜の転写と結晶成長制御”、 第59回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 17p-B6-3 (2012.3.15-18、早稲田大学 早稲田キャンパス).
  47. 小柳俊貴、西田悠亮、林 将平、池田弥央、東清一郎、 “大気圧熱プラズマジェット照射及び高圧水蒸気熱処理による低温堆積SiO2膜及びSi/SiO2界面の改善”、第59回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 17a-B6-5 (2012.3.15-18、早稲田大学早稲田キャンパス).
  48. 池田弥央、牧原克典、宮崎誠一、 “量子ドット/NiSiナノドットハイブリッドフローティングゲートにおける光励起電子のパルス電圧応答”、 第59回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 18a-GP6-11 Si (2012.3.15-18、早稲田大学 早稲田キャンパス).
  49. 大田 晃生、 シティ クディニ サハリ、 池田 弥央、 松井 真史、 三嶋 健人、村上 秀樹、 東 清一郎、宮崎 誠一、 “Ge熱酸化-酸化温度が熱酸化膜構造に及ぼす影響”、 第17回ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理、pp. 93 – 96. (2012.1.20-21,東レ総合研修センター).
  50. 三嶋 健斗、 村上 秀樹、 大田 晃生、橋本 邦明、東 清一郎 、宮崎 誠一 、 “HfO2/Ge界面へのTaOx層挿入による界面反応制御”、 第17回ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理、 pp. 121 – 124. (2012.1.20-21,東レ総合研修センター).
  51. 松井 真史、 大田 晃生、村上 秀樹、 小野 貴寛、 東 清一郎、宮崎 誠一 、“熱処理による金属/GeO2界面化学構造変化-X線光電子分光分析”、 第17回ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理、pp. 169 – 172. (2012.1.20-21,東レ総合研修センター).
  52. 大田 晃生、 後藤 優太、 西垣 慎吾、 村上 秀樹、 東 清一郎、 宮崎 誠一、 “RFスパッタで形成したSiリッチ酸化薄膜の化学構造分析と抵抗変化特性評価” 、第17回ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理、pp. 221 – 224. (2012.1.20-21,東レ総合研修センター).
  53. 藤田悠二、東清一郎、“マイクロ熱プラズマジェット照射高速横方向結晶化におけるSiスリットマスクを用いた結晶成長位置制御”、 4P03(pp.29-31)(2011.11.4-11.5、薄膜材料デバイス研究会(第8回研究集会、龍谷大学 アバンティ響都(きょうと)ホール).
  54. 松原良平、酒池耕平、林将平、東 清一郎、“近赤外半導体レーザー照射によるポーラスシリコン層転写技術の開発”、 4P05(pp.32-35)(2011.11.4-11.5、薄膜材料デバイス研究会(第8回研究集会、龍谷大学 アバンティ響都(きょうと)ホール).
  55. 芦原龍平、岡田竜弥、西田悠亮、東清一郎、“大気圧プラズマジェット照射ミリ秒熱処理におけるSiCウェハの非接触温度測定技術の開発”、 4P21(pp.59-60) (2011.11.4-11.5、薄膜材料デバイス研究会(第8回研究集会、龍谷大学 アバンティ響都(きょうと)ホール).
  56. 酒池耕平、小林義崇、松原良平、東清一郎、“近赤外半導体レーザ光照射によるa-Si膜の結晶化と同時転写技術”、 5O03(pp.148-151) (2011.11.4-11.5、薄膜材料デバイス研究会(第8回研究集会、龍谷大学 アバンティ響都(きょうと)ホール).
  57. 赤澤 宗樹、周 袁、東 清一郎、“ピエゾアクチュエータを利用したSi融液接触法によるa-Si膜の結晶化”、 5P02(pp.163-165)(2011.11.4-11.5、薄膜材料デバイス研究会(第8回研究集会、龍谷大学 アバンティ響都(きょうと)ホール).
  58. 西田悠亮、東 清一郎、“大気圧熱プラズマジェット照射による低温堆積SiO2膜の化学結合状態改善”、 5P18(pp.188-190) (2011.11.4-11.5、薄膜材料デバイス研究会(第8回研究集会、龍谷大学 アバンティ響都(きょうと)ホール).
  59. [招待講演] 東 清一郎、“DCアーク放電大気圧プラズマジェットによる半導体薄膜結晶成長”、 2011年度秋季第72回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 29p-ZN-4(2011.8.29-9.2、山形大学小白川キャンパス).
  60. 村上秀樹、藤岡知宏、大田晃生、三嶋健斗、S. K. Sahari、東清一郎、宮崎誠一、“Ge基板上へのLayer-by-layer法によるTiOx形成と界面反応制御”、第72回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 1a-Q-14(2011.8.29-9.2、山形大学小白川キャンパス).
  61. 大田晃生、後藤優太、西垣慎吾、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、“RFスパッタにより形成したSiOx薄膜の抵抗変化特性評価”、 第72回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 31p-ZK-8(2011.8.29-9.2、山形大学小白川キャンパス).
  62. Siti Kudnie Sahari、大田晃生、松井真史、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、“Evaluation of Chemical Bonding Features of Thermally-Grown Ge Oxide/Ge (100) System”、 第72回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 1a-Q-6(2011.8.29-9.2、山形大学小白川キャンパス).
  63. 酒池耕平、松原良平、小林義崇、東清一郎、“近赤外半導体レーザ光照射によるa-Si膜の結晶化と同時転写技術”、第72回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 1p-M-6(2011.8.29-9.2、山形大学小白川キャンパス).
  64. 三嶋健斗、村上秀樹、大田晃生、Sahari S. K.,藤岡知宏、東清一郎、宮崎誠一、“ALD及びLayer-by-Layer法による極薄Ta酸化膜の形成とGe(100)基板における界面酸化評価”、第72回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 1a-Q-13(2011.8.29-9.2、山形大学小白川キャンパス).
  65. 芦原龍平、岡田竜弥、西田悠亮、東清一郎、“大気圧プラズマジェット照射ミリ秒熱処理におけるSiCウェハの非接触温度測定技術の開発”、 第72回応用物理学会学術講演会講演予稿集 31a-ZB-2(2011.8.29-9.2、山形大学小白川キャンパス).
  66. 藤田悠二、東清一郎、“マイクロ熱プラズマジェット照射高速横方向結晶化におけるSiスリットマスクを用いた結晶成長位置制御”、第72回応用物理学会学術講演会講演予稿集 1p-M-3(2011.8.29-9.2、山形大学小白川キャンパス).
  67. 牧原克典、池田弥央、山根雅人、東清一郎、宮崎誠一、 “プラズマジェット急速熱処理による高密度Ptナノドット形成とフローティングゲートメモリ応用”、 第72回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 2p-ZQ-3 (2011.8.29-9.2、山形大学小白川キャンパス).
  68. 牧原克典、出木秀典、池田弥央、宮崎誠一,“KFMによる微結晶ゲルマニウム薄膜の局所帯電評価”、第72回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 1p-J-9(2011.8.29-9.2、山形大学小白川キャンパス).
  69. 高金、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一、可貴裕和、林司、 “導電性AFMによる柱状Siナノ構造における電気伝導特性評価”、第72回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 2a-J-2 (2011.8.29-9.2、山形大学小白川キャンパス).
  70. 高見弘貴、牧原克典、出木秀典、池田弥央、宮崎誠一、 “一次元連結・高密度Si系量子ドットにおけるEL発光”、第72回応用物理学会学術講演会 講演予稿集2a-J-3(2011.8.29-9.2、山形大学小白川キャンパス).
  71. 大田 晃生、森 大樹、村上 秀樹、東 清一郎、宮崎 誠一“Hf系高誘電率絶縁膜のX線光電子分光分析”、 応用物理学会 中・四国支部2011年度 支部学術講演会, Ca2-3(2011.7.30 鳥取大学).
  72. 赤澤 宗樹、周 袁、酒池 耕平、藤田 悠二、東 清一郎“ピエゾアクチュエータを利用したシリコン融液接触法によるアモルファスシリコン膜の結晶化” 応用物理学会 中・四国支部2011年度 支部学術講演会, Fp1-3(2011.7.30鳥取大学).
  73. 松井 真史、 藤岡 知宏、大田 晃生、村上 秀樹、 東 清一郎、 宮崎 誠一、“金属/GeO2界面における科学結合状態の光電子分光分析 ”、電子情報通信学会技術研究報告、111 (114)  pp.63-68 .(2011.07、名古屋大学).
  74. 村上 秀樹、藤岡 知宏、大田 晃生、三嶋 健斗、東 清一郎、宮崎 誠一、“Ge(100)表面の極薄TioxキャッピングによるHfO2原子堆積/熱処理時の界面反応制御”、 電子情報通信学会技術研究報告、111 (114) pp.47-50 (2011.07、名古屋大学).
  75. 大田 晃生、後藤 優太、西垣 慎吾、Guobin Wei、村上 秀樹、東 清一郎、宮崎 誠一、“RFスパッタ形成したSi酸化膜を用いたMIMキャパシタの抵抗変化特性”、電子情報通信学会技術研究報告、111 (114) pp.97-102 (2011.07、名古屋大学).

2010年度

  1. Y. Hiroshige, S. Higashi, K. Matsumoto, and S. Miyazaki, “Improvement of Current Stress Endurance of Low-Temperature Deposited SiO2 Films by Thermal Plasma Jet Induced Millisecond Annealing,” Proc. 6th Int. TFT Conf., (Himeji, Japan, Jan. 28-29, 2010), pp. 138-141.
  2. S. Miyazaki, N. Morisawa, S. Nakanishi, K. Makihara and M. Ikeda, Formation of Hybrid Nanodots Floating Gate for Functional Memories -Charge Strage Characteristics and Optical Response,” 5th International Workshop in New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (SiGe(C)2010), (Sendai, Jan., 29-30, 2010), I-17, pp. 77-78.
  3. A. Ohta, K. Makihara, S. Miyazaki, M. Sakuraba and J. Murota,  “Evaluation of Valence Band Offsets for SiO2/Si/SiGe0.5/Si Heterostructures,” 5th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics, (Sendai,Japan, Jan. 29-30, 2010) ,P-20, pp. 57-58.
  4. Y. Suda, H. Hanafusa, T. Okubo, K. Kunugi, and H. Oohashi, “Si1-xGex GS-MBE and Sputter Epitaxy Techniques and Their Application to Devices eith Low Dimensional Structures,” 5th Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (Sendai, Japan,Jan.29-30,2010)  pp. 7-8.
  5. S. Hayashi, S. Higashi, H. Murakami, and S. Miyazaki, “Crystallization of Amorphous Si Films by Ultra High Speed Zone Melting Induced by Micro Thermal Plasma Jet Irradiation,” Proc. 27th Symp. Plasma Processing (SPP-27), (Yokohama, Japan, Feb. 1-3, 2010), pp. 75-76.
  6. K. Makihara, A. Kawanami, M. Ikeda, R. Ashihara and S. Miyazaki, “Charging and magnetizing Characteristics of Co Nanodots,” The 3rd International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS 2010), (Nagoya, Japan,Mar.11-12,2010) ,P-50.
  7. Y. Miyazaki, K. Makihara, M. Ikeda, S. Higashi and S. Miyazaki, “Selective Crystallization and Etching of a-Ge:H Thin Films by Exposing to Remote H2 Plasma,” 2nd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2010), (Nagoya, Japan, Mar.7-10, 2010) ,PB04C, p.218.
  8. S. Hayashi, S. Higashi, and S. Miyazaki, “Growth of Large Crystalline Grains by High Speed Scanning of Melting Zone Formed by Micro-Thermal-Plasma-Jet Irradiation to Amorphous Silicon Films,” Abs. 2010 Mat. Res. Soc. Spring Meeting, (San Francisco, U. S. A. Apr. 5-9, 2010), A20.4.
  9. [Invited] S. Higashi, “Millisecond Annealing Induced by Atmospheric Pressure Thermal Plasma Jet Irradiation and Its Application to Ultra Shallow Junction Formation,” Ext. Abs. 2010 Int. Workshop Junction Tech. (IWJT-2010), (Shanghai, China, May. 10-11, 2010), pp. 30-35.
  10. K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta and S. Miyazaki, “High Density Formation of Ge Quantum Dots on SiO2,” 5th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM2010), (Stockholm, Sweden, May. 24-26, 2010) ,1910265.
  11. A.Ohta, K. Makihara, S. Miyazaki, M. Sakuraba and J. Murota, “Determination of Valence Band Alignment in SiO2/Si/Si0.55Ge0.45/Si(100) Hetero structures,” 5th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM2010), (Stockholm, Sweden, May. 24-26 2010) ,1910255.
  12. N. Morisawa, M. Ikeda, S. Nakanishi, A. Kawanami, K. Makihara and S. Miyazaki, “Optical Response of Si-Quantum-Dots/NiSi-Nanodots Hybrid Stacked Floating Gate,” The 2010 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai, (IMFEDK), (Osaka, May.13-14, 2010) ,PA-5, pp. 76-77.
  13. Yuta Goto, Akio Ohta, Hideki Murakami, Seiichiro Higashi, and Seiichi Miyazaki,  “Chemical Bonding Features at TiO2/Pt Interface and Their Impact on Resistance-Switching Properties,” The 2010 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), (Osaka, Japan, May. 13-14, 2010) ,PB-4 p. 114
  14. K. Makihara, R. Ashihara, M. Ikeda, A. Ohta, N. Morisawa, T. Fujioka, H. Murakami and S. Miyazaki, “Formation of PtAl Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma,” International Symposium on Technology Evoluation for Silicon Nano-Electronics (ISTESNE), (Tokyo, Japan, Jun.3-5, 2010), p. 73.
  15. S. Miyazaki, M. Ikeda, K. Makihara, H. Murakami and S. Higashi, “Formation and Characterization of Hybrid Nanodots Stack Structure and Its Application to Floating Gate Memories,” International Symposium on Technology Evoluation for Silicon Nano-Electronics (ISTESNE), (Tokyo.Japan, Jun.3-5,2010), p. 25.
  16. M. Ikeda, S. Nakanishi, N. Morisawa, A. Kawanami, K. Makihara and S. Miyazaki, “Multistep Electron Injection in PtSi-Nanodots/Silicon-Quantum-Dots Hybrid Floating Gate in MOS Structures,” International Symposium on Technology Evoluation for Silicon Nano-Electronics (ISTESNE), (Tokyo,Japan, Jun.3-5, 2010), p. 76.
  17. N. Morisawa, M. Ikeda, K. Makihara and S. Miyazaki, “Optical Response of Si-Quantum-Dots/NiSi-Nanodots Stack Hybrid Floating Gate in MOS Structures,” International Symposium on Technology Evoluation for Silicon Nano-Electronics (ISTESNE), (Tokyo, Jun..3-5, 2010), p. 78.
  18. M. Muraguchi, Y. Sakurai, Y. Takada, Y. Shigeta, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki, S. Nomura, K. Shiraishi and T. Endoh, “Collective Electron Tunneling Model in Si-Nano Dot Floating Gate MOS Structure,” International Symposium on Technology Evoluation for Silicon Nano-Electronics (ISTESNE), (Tokyo, Jun.3-5, 2010), p. 75.
  19. G. Wei, Y. Goto, A. Ohta, K. Makihara, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki, “The Impact of H2 Anneal on Resistive Switching in Pt/TiO2/Pt Structure,” 2010 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2010), (Tokyo, Jun.30-Jul.2, 2010), 2A.3. pp. 31-36
  20. Akio Ohta, Daisuke Kanme, Hideki Murakami, Seiichiro Higashi, Seiichi Miyazaki,  “Characterization of Mg Diffusion into HfO2/SiO2/Si(100) Stacked Structures and Its Impact on Detect State Densities,” 2010 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2010), (Tokyo, Japan, June 30 - July 2, 2010), 7A.6, pp. 189-194.
  21. Shohei Hayashi, Seiichiro Higashi, Hideki Murakami, and Seiichi Miyazaki, “High Speed Lateral Crystallization of Amorphous Silicon Films Using Micro-Thermal-Plasma-Jet and Its Application to Thin Film Transistors,” Proc.AM-FPD 10,(Tokyo, Japan, Jul. 5-7,2010), pp. 247-250 [7-2].
  22. Yasuo Hiroshige, Seiichiro Higashi, Yusuke Nishida, Shohei Hayashi, and Seiichi Miyazaki, “Improvement of Gate SiO2 Films Reliability by Atmospheric Pressure Thermal-plasma-jet-induced millisecond annealing,” Proc.AM-FPD 10, (Tokyo, Japan, Jul. 5-7,2010), pp. 109-112 [P-5].
  23. M. Muraguchi, Y. Sakurai, Y. Takada, S. Nomura, K. Shiraishi, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki, Y. Shigeta and T. Endoh, “Collective Tunneling Model between Two-Dimensional Electron Gas to Si-Nano-Dot,” 30th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS2010), (Seoul, Korea, July, 2010), P2-105 .
  24. S. K. Sahari, H. Murakami, T. Fujioka, T. Bando, A. Ohta, K. Makihara, S. Higashi and S. Miyazaki, “Study on Native Oxidation of Ge (111) and (100) Surfaces,” 2010 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2010), (Tokyo, Japan,Sept.22-24, 2010), P-1-13.
  25. H. Itokawa, A. Ohta, M. Ikeda, I. Mizushima and S. Miyazaki,  “Contribution of Carbon to Growth of Boron-Containing Cluster in Heavily B-doped Silicon,” 2010 International Conference of Solid State of Device and Materials (SSDM2010), (Tokyo, Japan, Sept. 22-24, 2010), B-7-3, pp. 996-997.
  26. M. Ikeda, S. Nakanishi, N. Morisawa, A. Kawanami, K. Makihara and S. Miyazaki, “Multistep Electron Injection in a PtSi-Nanodots/Silicon-Quantum-Dots Hybrid Floating Gate in nMOSFETs,” 2010 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2010), (Tokyo, Sept.22-24, 2010) ,P-9-10.
  27. M. Muraguchi, Y. Sakurai, Y. Takada, Y. Shigeta, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki, S. Nomura, K. Shiraishi, T. Endoh, “Collective Tunneling Model in Charge Trap Type NVM Cell,” 2010 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2010), (Tokyo, Sept.22-24, 2010), E-3-2.
  28. K. Makihara, M. Ikeda, H. Deki, A. Ohta and S. Miyazaki, “Self-Align Formation of Si Quantum Dots,” 218th Electrochemical Society (ECS) Meeting : SiGe & Ge Materials, Processing and Device Symposium (Las Vegas, Nevada, Oct.10-15, 2010) ,12. 3.
  29. T. Matsumoto, S. Higashi, K. Makihara, M. Akazawa and S. Miyazaki, “Formation of Pseudo-Expitaxial Ge Films on Si(100) by Droplet of Microliquid Ge Melt,” 218th Electrochemical Society (ECS) Meeting : SiGe & Ge Materials, Processing and Device Symposium, (Las Vegas, Nevada, Oct.10-15, 2010) ,4. 08.
  30. H. Murakami, T. Fujioka, A. Ohta, T. Bando, S. Higashi, and S. Miyazaki,  “Characterization of Interfaces between Chemically-Cleaned or Thermally-Oxidized Germanium and Metals,” 218th The Electrochemical Scociety (ECS) Meeting, (Las Vegas, NV, USA, Oct. 10-15, 2010), 1881.
  31. K. Makihara, Y. Miyazaki, T. Fujioka, T. Matsumoto, M. Ikeda and S. Miyazaki, “Formation of Pt-germanide from Pt/a-Ge:H by Remote Hydrogen Plasma Treatment at Atmosphere Temperature,” 7th International Conference on Reactive Plasmas / 28th Symposium on Plasma Processing / 63rd Gaseous Electronics Conference (ICRP-7 / SPP-28 / GEC-63), (Paris, France, Oct.4-8, 2010).
  32. K. Makihara, K. Matsumoto, T. Okada, N. Morisawa, M. Ikeda, S. Higashi and S. Miyazaki, “Formation of High Density Pt Nanodots on SiO2 Induced by Millisecond Rapid Thermal Annealing using Thermal Plasma Jet,” International Symposium on Dry Process (DPS2010), (Tokyo, Japan,Nov.11-12, 2010), pp. 93-94 [B-4].
  33. A. Ohta, Y. Goto, G. Wei, K. Makihara, H. Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki, “The Impact of Y2O3 Addition into TiO2 on Electronic States and Resistive Switching Characteristics,” 23rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC), (Fukuoka, Nov.9-12,2010),11B-6-2.
  34. K. Matsumoto, S. Higashi, A. Ohta, H. Murakami, and S. Miyazaki,  “Efficient Activation of As Atoms in Ultra Shallow Junction by Thermal Plasma Jet Induced Microsecond Annealing,” The 32nd International Symposium on Dry Process(DPS2010), (Tokyo, Japan, Nov.11-12, 2010), F-2, pp. 105-106.
  35. 貫目大介、大田晃生、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、 “HfO2/SiO2スタック構造中に熱拡散したMg原子の化学結合状態とMgが欠陥準位密度に及ぼす影響”、  ゲートスタック研究会 第15回研究会極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性, (2010.1.22-23 ,東レ総合研修センター), P-25, pp. 205-208.
  36. 後藤優太、貫目大介、大田晃生、尉国浜、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、 “TiO2/Pt界面における化学結合状態分析と抵抗変化特性評価,”  ゲートスタック研究会 第15回研究会 極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性, (2010.1.22-23 , 東レ総合研修センター) , P-26, pp.209-212
  37. 岡田 竜弥、東 清一郎、 牧原 克典、広重 康夫、 宮崎 誠一、 SiOx薄膜への熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理によるSiナノ結晶形成とそのフローティングゲートメモリ応用, シリコン材料・デバイス研究会(SDM) (2010.2.22-23,沖縄県青年会館), pp. 29-33.
  38. 大田晃生、モハマドファイルズカマルザン、後藤優太、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、 “TiYxOy膜の化学結合状態分析および抵抗変化特性評価”、 第57回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 20a-TQ-40, 6-221(2010.3.17—20、東海大学 湘南キャンパス)
  39. 大田晃、牧原克典、宮崎誠一、櫻庭政夫、室田淳一、“SiO2/Si/SiGe0.5/Siヘテロ構造の価電子帯オフセット評価”、第57回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 20a-TQ-40, 6-221 (2010.3.17-20、東海大学 湘南キャンパス)
  40. 藤岡知宏、板東竜也、大田晃生、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、 “光電子分光法によるGe MIS およびショットキ接合界面の化学結合状態分析”、第57回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 18p-P9-1, 13-063 (2010.3.17-20、東海大学 湘南キャンパス)
  41. 貫目大介、大田晃生、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、 “MgO/HfO2/SiO2スタック構造の光電子分光分析”、第57回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集19a-P11-5, 13-087 (2010.3.17-20、東海大学 湘南キャンパス)
  42. 牧原克典,池田弥央,大田晃生,川浪彰,宮崎誠一、 “Si熱酸化膜上へのGe量子ドットの高密度形成” 、 第57回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 19a-C-4, 13-024 (2010.3.17-20、東海大学 湘南キャンパス)
  43. 芦原龍平,牧原克典,川浪彰,池田弥央,大田晃生,宮崎誠一、 “リモート水素プラズマ支援によるPtAlナノドットの形成”、  第57回応用物理学関係連合講演会講演予稿集19a-C-3, 13-023  (2010.3.17-20東海大学 湘南キャンパス)
  44. Siti Kudnie Sahari, Hideki Murakami, Tomohiro Fujioka, Tatsuya Bando, Akio Ohta, Katsunori, Makihara, Seiichiro Higashi and Seiichi Miyazaki,  “Native oxidation of Chemically-cleaned Ge(100) Surfaces” 、 第57回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集18p-P9-2, 13-064 (2010.3.17-20東海大学 湘南キャンパス)
  45. 川浪彰、牧原克典、池田弥央、芦原龍平、宮崎誠一, “Coナノドットの帯電および帯磁評価”、第57回春季応用物理学会 講演予稿集 19a-C-5, (2010.3.17-20、東海大学 湘南キャンパス )
  46. Guobin Wei, Akio Ohta, Katsunori Makihara and Seiichi Miyazaki, “The effect of anneal ambient on resistive switching properties with Pt/TiO2/Pt structure” 、第57回応用物理学関係連合講演会, 17p-B-8, 13-243(2010.3.17-20、東海大学 湘南キャンパス)
  47. 森澤直也、池田弥央、中西翔、川浪彰、牧原克典、東清一郎、宮崎誠一、“Si量子ドット/NiSiナノドットハイブリッドフローティングゲートの光応答特性”、第57回春季応用物理学会 講演予稿集 17p-B-1, (2010.3.17-20、東海大学 湘南キャンパス )
  48. 宮崎裕介、牧原克典、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一、“Pt/a-Ge:Hのリモート水素プラズマ処理によるPtGe薄膜形成”、第57回春季応用物理学会 17a-D-9, (2010.3.17-20、東海大学 湘南キャンパス )
  49. 村口正和、高田幸宏、櫻井蓉子、野村晋太郎、白石賢二、牧原克典、池田弥央、宮崎誠一、重田育照、遠藤哲郎、“2次元電子ガス―量子ドット界面における電子トンネル過程に対する微視的考察,” 日本物理学会第65回年次大会, 21aHV-13,  (2010.3.20-23、 岡山大学)
  50. 筒井 啓喜、 岡田 竜弥、東 清一郎、広重 康夫、 松本 和也、 宮崎 誠一、 野口 隆、 “リモート水素プラズマ処理における石英基板表面温度の非接触測定”、第57回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 20a-ZB-2 ,(2010.3.17-20、東海大学 湘南キャンパス)
  51. 東 清一郎,「大気圧熱プラズマジェットを用いたシリコン膜のマイクロ秒溶融結晶化と高性能TFT作製応用」,電子情報通信学会技術研究報告 シリコン材料・デバイス(2010年4月23日沖縄青年会館), 信学技報110(15),(2010年4月16日)pp. 39-44.
  52. 大田 晃生, 後藤 優太, モハマド ファイルズ カマルザン, 村上 秀樹, 東 清一郎, 宮崎 誠一、“TiO2へのY添加が電子状態および抵抗変化特性に与える影響,” 電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会 SDM2010-38 pp.27-32 (東京大学駒場リサーチキャンパス生産技術研究所、2010年6月22日)
  53. 藤岡 知宏, 板東 竜也, 大田 晃生, 村上 秀樹, 東 清一郎, 宮崎 誠一、“Ge MISおよびGe/Metal接合の化学結合状態および電気的特性評価,” 電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス]シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会 SDM2010-47 pp.79-84 (東京大学駒場リサーチキャンパス生産技術研究所、2010年6月22日)
  54. 松井 真史、 藤岡 知宏、 板東 竜也、 大田 晃生、 村上 秀樹、 東 清一郎、宮崎 誠一、 “光電子分光法による金属/GeO2および金属/Ge(100)ショットキ界面の化学結合状態評価”、 応用物理学会 中・四国支部2010年度 支部学術講演会, Da1-1, p.67, (2010.7.31、高知大学 朝倉キャンパス)
  55. 大田 晃生、 藤岡 知宏、 後藤優太、村上 秀樹、 東 清一郎,、宮崎 誠一、 “Ge-MIS構造における界面化学結合状態の光電子分光分析”、第71回応用物理学会学術講演会 講演予稿集15p-ZA-713-067, (2010.9.14-17、長崎大学)
  56. 後藤 優太、 大田 晃生、 村上 秀樹、 東 清一郎、 宮崎 誠一、 “Pt/SiO2/Ptキャパシタ構造の抵抗変化特性評価”、第71回応用物理学会学術講演会 講演予稿集17p-NE-506-201 (2010.9.14-17、長崎大学)
  57. 藤岡 知宏、 大田 晃生、 村上 秀樹、 東 清一郎、 宮崎 誠一、 “有機金属原料を用いたALDによるGe上へのTi酸化膜の形成”、 第71回応用物理学会学術講演会 講演予稿集15p-ZA-1513-075 (2010.9.14-17、長崎大学)
  58. 三嶋 健斗、 大田 晃生、 後藤 優太、 藤岡 知宏、村上 秀樹、 東 清一郎、 宮崎 誠一、“ルテニウム酸化物の化学結合および電子状態評価”、 第71回応用物理学会学術講演会 講演予稿集14a-ZD-613-006 (2010.9.14-17、長崎大学)
  59. 牧原 克典,池田 弥央,大田 晃生,宮崎 誠一, “自己整合一次元連結Si量子ドットの形成”、 第71回応用物理学会学術講演会 講演予稿集14p-ZD-8 (2010.9.14-17、長崎大学)
  60. 松本竜弥、東清一郎、牧原克典、赤澤宗樹、宮崎誠一, 「微小融液滴下による疑似エピタキシャルGe / Siの形成」,第71回秋季応用物理学会 講演予稿集 16p-ZD-4, (2010.9.14-17、 長崎大学)
  61. 池田弥央、中西翔、森澤直也、川浪彰、牧原克典、宮崎誠一,「PtSiナノドット/Si量子ドット積層ハイブリッドフローティングゲートにおける多段階電子注入特性」,第71回秋季応用物理学会 講演予稿集17p-ZE-2, (2010.9.14-17、長崎大学),
  62. 松本 和也、 大田 晃生、村上 秀樹、東 清一郎、“熱プラズマジェット照射マイクロ秒急速熱処理による極浅接合中のAs の高効率活性化”、 薄膜材料デバイス研究会 (第7回研究集会), 5P07, pp.29-31 (2010. 11.5-6、なら100年会館 中ホール & ホワイエ)

2009年度

  1. Kawanami, K. Shimanoe, K. Makihara, M. Ikeda, S. Higashi and S. Miyazaki, “Impact of Remote Plasma Treatment on Formation of Metal Nanodots on Ultrathin SiO2,” The 2nd International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS2009), (Nagoya,Japan Jan.22-23, 2009), P-09.
  2. Y. Sakurai, S. Nomura, Y. Takada, K. Shiraishi, M. Muraguchi, T. Endoh, M. Ikeda, K. Makihara and S. Miyazaki, “Temperature Dependence of Electron Transport between Quantum Dots and Electron Gas,” International Symposium on Nanoscale Transport and Technology (ISNTT2009,(Kanagawa,Japan Jan.20-23, 2009) ,PTu-09.
  3. Y. Hiroshige, S. Higashi, H. Kaku, H. Furukawa, T. Okada, and S. Miyazaki, “Improvement of Bond Structure and Electrical Properties of Low-Temperature Deposited SiO2 Films by Thermal Plasma Jet Induced Millisecond Annealing,” Plasma Sci. Symp. 2009 and 26th Symp. Plasma Processing(PSS-2009/SPP-26 Proc.,(Nagoya, Japan, Feb. 2-4, 2009), pp. 496-497.
  4. N. Koba, S. Higashi, T. Okada, T. Matsumoto, H. Murakami, and S. Miyazaki, “A Novel Millisecond Crystallization Technique Using Si Micro Liquid,” Proc. 5th Int. TFT Conf., (Paris, France, Mar. 5-6, 2009), pp. 263-266.
  5. M. Muraguchi, T. Endoh, Y. Sakurai, S. Nomura, Y. Takada, K. Shiraishi, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki and Y. Shigeta, “New Insight into Tunneling Process between Quantum Dot and Electron Gas,” America Physical Society 2009 March Meeting(2009APS), (Pittsburg,Pennsylvania, Mar.16-20, 2009), V11-11.
  6. Y. Sakurai, S. Nomura, Y. Takada, K. Shiraishi, M. Muraguchi, T. Endoh, M. Ikeda, K. Makihara and S. Miyazaki, “Temperature Dependence of Electron Tunneling between Quantum Dots and Electron Gas,” America Physical Society 2009 March Meeting2009APS), (Pittsburg,Pennsylvania, Mar.16-20, 2009), V11-10.
  7. Y. Sakurai, S. Nomura, Y. Takada, K. Shiraishi, M. Muraguchi, T. Endoh, M. Ikeda, K. Makihara and S. Miyazaki, “Temperature Dependence of Electron Tunneling from Two Dimensional Electron Gas to Quantum Dots,” The 2nd International Symposium on Interdisciplinary Materials Science (ISIMS-2009), (Tsukuba,Japan, Mar.9-10, 2009), P-023.
  8. T. Okada, S. Higashi, H. Kaku, H. Furukawa, K. Sugakawa, and S. Miyazaki, “Si Nanocrystals Formation in SiO2/SiOx/SiO2 Stack Structure by Thermal Plasma Jet Annealing and Its Application to Floating Gate Memory,” Mat. Res. Soc. Spring Meeting, (San Francisco, USA, Apr. 13-17, 2009), A19.8.
  9. S. Nakanishi, M. Ikeda, K. Shimanoe, K. Makihara, A. Kawanami, N. Morisawa, A. Fujimoto, S. Higashi and S. Miyazaki, “Electrical Charging Characteristics of NiSi-Nanodots Floating Gate,” International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), (Osaka,Japan, May.14-15,2009), C-5, pp. 62-63.
  10. S. Miyazaki, K. Makihara and M. Ikeda, Formation and Characterization of Hybrid Nanodot Stack Structure for Floating Gate Application,” 6th International Conference on Silicon Epitaxiy and Heterostructures (ICSI-6), (Los Angeles, CA, May. 17-22, 2009), Session 2A.
  11. H. Murakami, S. Mahboob, K. Katayama, K. Makihara, M. Ikeda, Y. Hata, A. Kuroda, S. Higashi and S. Miyazaki, “Electrical Detection of Silicon Binding Protein-Protein A using a p-MOSFET Sensor,” 2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2009), (Busan, Korea, Jun.24-26, 2009), 2B-8.
  12. K. Makihara, M. Ikeda, A. Kawanami and S. Miyazaki, “Random Telegraph Signals in Two-Dimensional Array of Si Quantum Dots,” 2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2009), (Busan, Korea, Jun.24-26, 2009), 3A-6.
  13. K. Makihara, K. Shimanoe, A. Kawanami, A. Fujimoto, M. Ikeda, S. Higashi and S. Miyazaki, “Formation Mechanism of Metal Nanodots Induced by Remote Plasma Exposure,” The European Materials Research Society (E-MRS) 2009 Spring Meeting, (Strasbourg, France, June.8-12, 2009), Q8-19.
  14. M. Muraguchi, T. Endoh, Y. Takada, Y. Sakurai, S. Nomura, K. Shiraishi, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki, and Y. Shigeta, “Importance of Electronic State of Two-Dimensional Electron Gas for Electron Injection Process in Nano-Electronic Devices,” 14th International Conference on Modulated Semiconductor (MSS-14), (Kobe,Japan, Jul.19-24, 2009), Tu-mP22.
  15. Y. Sakurai, S. Nomura, Y. Takada, K. Shiraishi, M. Muraguchi, T. Endoh, Y. Shigeta, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki, “Anomalous temperature dependence of electron tunneling between a two-dimensional electron gas and Si dots,” The 18th International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems (EP2DS-18), (Kobe,Japan, Jul.19-24, 2009), Mo-eP49.
  16. S. Miyazaki, M. Ikeda, K. Makihara, K. Shimanoe, R. Matsumoto and N. Morisawa, “Fabrication of Metal Silicide Nanodots and Hybrid Stacked Structure in Combination with Silicon Quantum Dots for Floating Gate Application,” The 3rd Asian Physucs Symposium (APS 2009), (Bandung, Indonesia, Jul. 22-23,2009),IN03, pp. 13- 17.
  17. [Invited] S. Higashi, “Millisecond Thermal Processing for TFT and ULSI,” Semiconductor Tech. Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors II, (Xi’an, China, Jul. 5-10, 2009).
  18. K. Sugakawa, S. Higashi, H. Kaku, T. Okada, and S. Miyazaki, “Characterization of Microcrystalline Silicon Thin Film Transistors Fabricated by Thermal Plasma Jet Crystallization Technique,” Proc. AM-FPD 09, (Nara, Japan, Jul. 1-3, 2009), pp. 117-120.
  19. A. Ohta, D. Kanme, H. Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki, “Characterization of Interfacial Reaction and Chemical Bonding Features of LaOx/HfO2 Stack Structure Formed on Thermally-grown SiO2/Si(100),” 16th biannual Conf. Insulating Films on Semiconductors 2009 (INFOS2009), (Cambridge, UK, Jun.29 – Jul. 1, 2009), p178.
  20. S. Miyazaki, M. Ikeda, K. Makihara, K. Shimanoe and R. Matsumoto, “Formation of High Density Metal Silicide Nanodots on Ultrathin SiO2 for Floating Gate Memory Application,” International Conference on Processing and Manufacturing of Advanced Materials, Pricessing, Fabrication, Proreties, Applications (THERMEC’2009), (Berlin, Germany, Aug.25-29, 2009) SESSION E5, p. 115.
  21. K. Makihara, Y. Miyazaki, T. Okada, H. Kaku, K. Shimanoe, A. Ohta, M Ikeda, S, Higashi and S, Miyazaki, “Selective Crystallization of a-Ge:H Thin Films by Pt-coating and Exposing to Remote H2 Plasma,” 23rd International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductor (ICANS 23), (Utrecht, Nethelands, Aug.23-28, 2009) ID 436, p. 360.
  22. T. Okada, S. Higashi, H. Kaku, K. Makihara, H. Furukawa, Y. Hiroshige and S. Miyazaki, “Effect of Chemical Composition of SiOx Films on Rapid Formation of Si Nanocrystals Induced by Thermal Plasma Jet Irradiation,” 23rd International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductor (ICANS 23), (Utrecht, Nethelands, Aug.23-28, 2009) ID 444, p. 365.
  23. S. Higashi, N. Koba, T. Matsumoto, and S. Miyazaki, “Control of Growth Orientation during Rapid Solidification of Si Microliquid,” Abs. 23rd Int. Conf. Amorphous Nanocrystalline Semiconductors (ICANS 23), (Utrecht, Netherlands, Aug. 23-28, 2009), p.252.
  24. K. Makihara, Y. Miyazaki, T. Okada, H. Kaku, K. Shimanoe, A. Ohta, M Ikeda, S. Higashi, and S, Miyazaki, “Selective Crystallization of a-Ge:H Thin Films by Pt-coating and Exposing to Remote H2 Plasma,” Abs. 23rd Int. Conf. Amorphous Nanocrystalline Semiconductors (ICANS 23), (Utrecht, Netherlands, Aug. 23-28, 2009), p. 360.
  25. Kawanami, K. Makihara, M. Ikeda and S. Miyazaki, “Formation of Cobalt and Cobalt-silicide Nanodots on Ultrathin SiO2 Induced by Remote Hydrogen Plasma,” Proc. Int. Symp. Dry Process, (Busan, Korea, Sept. 24-25, 2009), pp. 251-252.
  26. Y. Hiroshige, S. Higashi, K. Matsumoto, and S. Miyazaki, “Formation of High Quality SiO2 and SiO2/Si Interface using Thermal Plasma Jet Induced Millisecond Annealing and Post-Metallization Annealing,” Proc. Int. Symp. Dry Process, (Busan, Korea, Sept. 24-25, 2009), pp. 261-262.
  27. Khairurrijal, Fatimah A. Noor, Mikrajuddin Abdullah, Sukirno, Akio Ohta, and Seiichi Miyazaki,  “Hole Tunnel Currents in TiN/HfSiOxN/SiO2/p-Si(100) MOS Capacitors,”  2009 International Conference of Solid State of Device and Materials (SSDM2009), (Sendai , Japan,Oct. 7-9, 2009),  pp312-313
  28. M. Muraguchi, Y. Sakurai, Y. Takada, Y. Shigeta, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki, S. Nomura, K. Shiraishi and T. Endoh, “New Tunneling Model with Dependency of Temperature Measured in Si Nano-Dot Floating Gate MOS Capacitor,”2009 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2009), (Sendai , Japan,Oct. 7-9, 2009),  pp. 274-275.
  29. N. Morisawa, M. Ikeda, S. Nakanishi, A. Kawanami, K. Makihara and S. Miyazaki, “Light Induced Carrier Transfer in NiSi-Nanodots/Si-Quantum-Dots Hybrid FG in MOS Structure”, 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2009), (Sendai , Japan,Oct. 7-9, 2009), pp.276-277.
  30. K. Matsumoto, S. Higashi, H. Furukawa, T. Okada, H. Murakami, and S. Miyazaki, “Activation of B and As in Ultra Shallow Junction with Heating and Cooling Rates Controlled Millisecond Annealing Induced by Thermal Plasma Jet,” Ext. Abs. 2009 Int. Conf. Solid Sate Dev. Mat. (SSDM2009), (Sendai, Japan, Oct. 7-9, 2009), pp1018-1019.
  31. T. Mori, A. Ohta, H. Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki, “Evaluation of Effective Work Function of Pt on Bi-layer High-k/SiO2 Stack Structure using by Backside X-ray Photoelectron Spectroscopy,” Ext. Abs. 2009 Int. Conf. Solid State Dev. Mat. (SSDM2009), (Sendai, Japan, Oct. 7-9, 2009), pp.44-45.
  32. S. Miyazaki, N. Morisawa, S. Nakanishi, A. Kawanami, M. Ikeda and K. Makihara, “Charge Storage and Optical Response of Hybrid Nanodots Floating Gate For Functional Memories,” 2009 MRS Fall Meeting, (Boston, MA, Nov.30-Dec.4,2009) O12.5.
  33. M. Ikeda, S. Nakanishi, M. Morisawa, K. Makihara and S. Miyazaki, “Charge Injection Characteristics of NiSi-Nanodots/Silicon-Quantum-Dots Hybrid Floating Gate in MOS Structures,” 2009 International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2009), (Sapporo,Japan, Nov.16-19, 2009) 19D-10-17, pp. 540-541.
  34. K. Makihara, A. Kawanami, M. Ikeda, S. Higashi and S. Miyazaki, “Impact of Surface Pre-Treatment on Metal Migration Induced by Remote H2-Plasma Treatment,” 2009 International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2009), (Sapporo, Nov.16-19, 2009) 18D-7-66, pp. 286-287.
  35. T. Matsumoto, S. Higashi, N. Koba, and S. Miyazaki, “Pseudo-Epitaxial Growth of Silicon Microliquid Dropped on Hydrogen Terminated Silicon Wafer Surface,” Abs. 19th Int. Photovoltaic Sci. Eng. Conf. (PVSEC19), (Jeju, Korea, Nov. 9-13, 2009), pp.295-296.
  36. 大田晃生、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、谷奥正巳、 堀川貢弘、 荻島淳史、 “Pt上に形成したHf-Ti系酸化薄膜の化学結合状態分析および電子障壁高さの決定”、  ゲートスタック研究会 第14回研究会極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性, P21, pp.195~198 (2009.1.23-24、東レ総合研修センター)
  37. 貫目大介、大田晃生、要垣内亮、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、 “DPM錯体を用いたMOCVDにより形成したHf-Gd系酸化膜の化学結合状態評価”、  ゲートスタック研究会 第14回研究会極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性, P22, pp.199~202 (2009.1.23-24、東レ総合研修センター)
  38. 要垣内亮、大田晃生、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、 “La(TMOD)3を用いたMOCVDによるLa酸化薄膜の形成”、  ゲートスタック研究会 第14回研究会極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性, P23, p203~206 (2009.1.23-24、東レ総合研修センター)
  39. 池田弥央、牧原克典、島ノ江和広、川浪彰、中西翔、森澤直也、藤本淳仁、大田晃生、貫目大介、宮崎誠一、 “HfO2コントロール酸化膜を有するNiSiドット/Si 量子ドット積層ハイブリッドフローティングゲートMOS キャパシタにおける電子注入特性”、   第56回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 2p-V-5, p.914 (2009.3.30-4.2、筑波大学)
  40. 大田晃生、貫目大介、東清一郎、宮崎誠一、 “SiO2/Si(100)上に形成したLaOx/HfO2積層構造の界面反応評価”、 第56回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 2p-ZT-3, p.858 (2009.3.30-4.2、筑波大学)
  41. S. Mahboob,K. Makihara,M. Ikeda,S. Higashi,S. Miyazaki,Y. Hata and A. Kuroda, “Surface Potential Changes Induced by Physisorption of Silica Binding Protein-Protein A on Thermally Grown SiO2/Si(111) Surface” 、 第56回春季応用物理学会 講演予稿集 31p-ZA-9, (2009.3.30-4.2、筑波大学)
  42. 池田弥央、牧原克典、島ノ江和広、川浪彰、中西翔、森澤直也、藤本淳仁、大田晃生、貫目大介、宮崎誠一、“ HfO2コントロール酸化膜を有するNiSiドット/Si量子ドット積層ハイブリッドフローティングゲートMOSキャパシタにおける電子注入特性”、第56回春季応用物理学会 講演予稿集 2p-V-5, (2009.3.30-4.2、筑波大学)
  43. 島ノ江和広、川浪 彰、藤本淳仁、牧原克典、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一、 “リモートプラズマ支援による金属ナノドット形成メカニズム”、第56回春季応用物理学会 講演予稿集  2a-P17-11, (2009.3.30-4.2、筑波大学)
  44. 牧原克典、池田弥央、川浪 彰、東清一郎、宮崎誠一, “超高密度Si量子ドットにおける二次元電気伝導” 、第56回春季応用物理学会 講演予稿集1a-P13-16, (2009.3.30-4.2、筑波大学)
  45. 櫻井蓉子、野村晋太郎、白石賢二、村口正和、遠藤哲郎、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一、“ Si量子ドットフローティングゲートMOSキャパシタにおける過渡電流特性”、第56回春季応用物理学会 講演予稿集 2p-V-6, (2009.3.30-4.2、筑波大学)
  46. 野村晋太郎、櫻井蓉子、高田幸宏、白石賢二、村口正和、遠藤哲郎、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一、 “電子励起状態を介した量子ドットへのトンネル現象の変調”、第56回春季応用物理学会 講演予稿集 1p-D-5, (2009.3.30-4.2、筑波大学)
  47. 村口正和、遠藤哲郎、宮崎誠一、牧原克典、池田弥央、野村晋太郎、櫻井蓉子、高田幸宏、白石賢二、“ 少数電子で動く未来デバイスの姿 –量子電子ダイナミクスからのメッセージ- ”、第56回春季応用物理学会 講演予稿集 1p-ZT-9, (2009.3.30-4.2、筑波大学)
  48. 村口正和、遠藤哲郎、櫻井蓉子、野村晋太郎、高田幸宏、白石賢二、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一、斉藤慎一、“ 電子ガス-量子ドット結合系における電子ダイナミクスII”、 日本物理学会第64回年次大会30pTX-3 ,(2009.3.27-30、立教大学池袋キャンパス)
  49. 櫻井蓉子、野村晋太郎、高田幸宏、白石賢二、村口正和、遠藤哲郎、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一、 “電子ガス―量子ドット結合系におけるC-V特性およびI-V特性のSweep Rate依存性”、 日本物理学会第64回年次大会 30pTX-2, (2009.3.27-30、立教大学池袋キャンパス)
  50. 高田幸宏、櫻井蓉子、村口正和、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一、遠藤哲郎、野村晋太郎、白石賢二、“ 電子ガス-量子ドット結合系における電子構造Ⅱ”、 日本物理学会第64回年次大会 30pTX-1, (2009.3.27-30、立教大学池袋キャンパス)
  51. 東 清一郎,「TFTの基礎」第5回SID日本支部サマーセミナーテキスト(2009年8月3,4日ウェルシティ湯河原(湯河原厚生年金会館))
  52. 東 清一郎, “熱プラズマジェットによるミリ秒急速熱処理とその半導体プロセス応用”、 第44回応用物理学会スクール「安価、簡単、便利 ~大気圧プラズマの基礎と応用~」(2009年4月1日 筑波大学) pp. 57-71.
  53. 大田晃生、貫目大介、東清一郎、宮崎誠一、 “極薄LaOxからのHfO2/SiO2層へのLa原子の拡散”、  電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス]シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会, 電子情報通信学会技術研究報告109(87) pp.87-92, (2009.6.19、東京大学 駒場リサーチキャンパス生産技術研究所)
  54. 村上秀樹、小埜芳和、大田晃生、東清一郎、宮崎誠一、 “熱酸化および低温プロセスを用いて形成したGeO2/Ge構造の界面サブオキサイドの光電子分光分析”、  電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会,電子情報通信学会技術研究報告 109(87) pp.57-60 (2009.6.19、東京大学 駒場リサーチキャンパス生産技術研究所)
  55. 後藤優太、大田晃生、貫目大介、尉国浜、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、 “TiO2/Pt界面の化学結合および電子状態評価”、  電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス]シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会, 電子情報通信学会技術研究報告109(87) pp.99-103 (2009.6.19、東京大学 駒場リサーチキャンパス生産技術研究所)
  56. 宮崎誠一、“ 低炭素社会の実現に向けた先端基盤技術-太陽光発電を中心として-”、 第12回「フレッシュ理科教室」-楽しい理科授業のための教材研修ワークショップ―, 広島国際大学広島キャンパス国際教育センター, 広島, 2009年8月11日, 特別講演, pp. 1- 9.
  57. 森大樹、大田晃生、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、 “Pt/Bi-layer High-k/SiO2スタック構造のバックサイドX線光電子分光分析”、  応用物理学会 中・四国支部2009年度 支部学術講演会, Ca2-3, p64 (2009.8.1、広島大学)
  58. 松本竜弥、東清一郎、木庭直浩、宮崎誠一、“         Siマイクロ融液プロセスによる水素終端Si表面上での結晶成長制御”、 応用物理学会 中・四国支部2009年度 支部学術講演会,Cp1-3, p69(2009.8.1、広島大学)
  59. 森澤直也、池田弥央、中西翔、川浪彰、牧原克典、東清一郎、宮崎誠一、“Si量子ドット/NiSiナノドットハイブリッドフローティングゲートにおける電荷注入特性”、Cp1-5,P71(2009.8.1、広島大学)
  60. 貫目大介、大田晃生、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、 “HfO2層へ熱拡散したMg原子の化学結合状態分析”、第70回 応用物理学会学術講演会, 講演予稿集 8a-TA-6, p.732 (2009.9.8-9.11、富山大学五福キャンパス)
  61. 後藤優太,貫目大介,大田晃生,尉国浜,村上秀樹,東清一郎,宮崎誠一、 “X線光電子分光法によるTiO2/Pt界面の化学結合状態分析” 、 第70回 応用物理学会学術講演会 講演予稿集 9a-H-4, p.550 (2009.9.8-9.11、富山大学五福キャンパス)
  62. 広重 康夫、東 清一郎、岡田 竜弥、松本 和也、宮崎 誠一、“熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理による低温形成SiO2 膜の高品質化”、第70回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 10p-N-13, p. 185 (2009.9.8-11、富山大学五福キャンパス).
  63. 林 将平、東 清一郎、村上 秀樹、宮崎 誠一、“大気圧DC アーク放電マイクロ熱プラズマジェット照射によるa-Si 膜の結晶化”、第70回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 9a-TG-5, p. 764 (2009.9.8-11、富山大学五福キャンパス).
  64. 広重 康夫、東 清一郎、岡田 竜弥、松本 和也、宮崎 誠一、“熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理及びポストメタライゼーションアニールを用いた高品質SiO2 膜及びSiO2/Si 界面の形成”、第70回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 9p-TG-9, p. 769 (2009.9.8-11、富山大学五福キャンパス).
  65. 森大樹、大田晃生、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、 “X線光電子分光法によるPt/Bi-layer High-k/SiO2スタック構造の内部ポ内部ポテンシャル評価”、 第70回 応用物理学会学術講演会 講演予稿集 8p-TA-15, p.738 (2009.9.8-9.11、富山大学五福キャンパス)
  66. 川浪 彰、牧原克典、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一, “表面前処理がリモート水素プラズマ支援金属マイグレーションに及ぼす影響”、 第70回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 9p-TB-9, (2009.9.8-9.11、富山大学五福キャンパス)
  67. 川浪 彰、牧原克典、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一, “リモート水素プラズマ支援によるCoおよびCoシリサイドナノドット形成”、 第70回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 9p-TB-8, (2009.9.8-9.11、富山大学五福キャンパス)
  68. 松本 和也、東 清一郎、村上 秀樹、宮崎 誠一、“熱プラズマジェット照射ミリ秒急速熱処理中の加熱・冷却速度制御と不純物活性化”、 第70回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 9p-TG-4, p. 767 (2009.9.8-11、富山大学五福キャンパス)
  69. 森澤直也、池田弥央、中西翔、川浪彰、牧原克典、東清一郎、宮崎誠一,“Si量子ドット/NiSiナノドットハイブリッド積層FG-MOS構造における光誘起電荷移動”、第70回応用物理学会学術講演会 講演予稿集9a-TG-11, (2009.9.8-9.11、富山大学五福キャンパス)
  70. 中西 翔、池田弥央、森澤直也、牧原克典、川浪彰、東清一郎、宮崎誠一,“ NiSiナノドット/Si量子ドット積層ハイブリッドフローティングゲートにおける電荷注入・放出特性”、第70回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 9a-TA-8, (2009.9.8-9.11、富山大学五福キャンパス)
  71. 宮崎佑介、牧原克典、川浪彰、岡田竜也、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一, “リモート水素プラズマ支援による表面Pt被覆したa-Ge薄膜の局所結晶化”、 第70回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 9a-TG-10, (2009.9.8-9.11、富山大学五福キャンパス)
  72. 宮崎誠一、 “メタル/高誘電率絶縁膜ゲートスタックにおける内部電位評価-メタルゲート仕事関数変化の起源”、第70回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 9a-TC-5, (2009.9.8-9.11、富山大学五福キャンパス)
  73. 宮崎誠一、 「シリコンテクノロジーの挑戦―材料・プロセス・デバイスの新展開」について, 第70回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 8p-TE-1. (2009.9.8-9.11、富山大学五福キャンパス)
  74. 東 清一郎、「結晶化・相変化への応用 熱プラズマジェットによるアモルファスシリコンの結晶化」 第31回真空展 VACUUM2009 併設真空トピックス, 日本真空協会9月研究例会, スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会第115回定例研究会(2009.9.16), Sputtering & Plasma Processes, 24 (4), (2009) pp. 11-22
  75. 宮崎誠一、 “プラズマによる薄膜形成技術”、 第20回プラズマエレクトロニクス講習会, (2009.10.29-30、慶応義塾大学 日吉キャンパス), pp.37-47.

2008年度

  1. H. Kaku, S. Higashi, T. Yorimoto, T. Okada, H. Furukawa, H. Murakami, and S. Miyazaki, “Formation of Source and Drain for Polycrystalline Si Thin Film Transistors Using Thermal Plasma Jet Induced Impurity Activation,” Proc. 4th Int. TFT Conf., (Seoul, Korea, Jan. 24-25, 2008), pp. 331-334.
  2. T. Yorimoto, S. Higashi, H. Kaku, T. Okada, H. Murakami, S. Miyazaki, T. Matsui, A. Masuda, and M. Kondo, “Formation of Low-Defect-Concentration Polycrystalline Si Films by Thermal Plasma Jet Crystallization and Their application to Thin-Film Transistor,” Mat. Res. Soc. Spring Meeting, (San Francisco, USA, Mar. 24-28, 2008), A12.3.
  3. H. Kaku, S. Higashi, H. Furukawa, T. Okada, T. Yorimoto, H. Murakami, and S. Miyazaki, “Impact of Annealing condition on the Efficiency of Dopant Activation Induced by Thermal Plasma Jet Crystallization of Heavily-Phosphorus-Doped Amorphous Si films,” 1st Int. Conf. on Plasma-NanoTechnology and Science(IC-PLANTS 2008), (Nagoya, Japan, Mar. 13-14, 2008) p. 5.
  4. T. Okada, S. Higashi, H. Kaku, T. Yorimoto, H. Murakami, and S. Miyazaki, “Photoluminescent Properties of SiOx Films Formed by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,” 1st Int. Conf. on Plasma-NanoTechnology and Science(IC-PLANTS 2008), (Nagoya, Japan, Mar. 13-14, 2008), p. 10.
  5. Y. Ono, H. Kaku, K. Makihara, S. Higashi and S. Miyazaki, “High Rate Growth of Highly Crystallized Ge:H Thin Films from VHF Inductively-Coupled Plasma of GeH4,”  1st Int. Conf. on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS 2008), (Nagoya, Mar., 2008) P-04.
  6. A. Ohta, H. Nakagawa, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki,  “Characterization of Thermal Stability of HfO2/SiON/Ge(100) Stacked Structure by using Photoemission Spectroscopy,”  4th Int. SiGe Technol. and Dev. Meeting (ISTDM),   (Taiwan, May, 11-14, 2008) Tsu-S7-04,  pp. 88-89.
  7. H. Murakami, M. Miura, A. Ohta, R. Yougauchi, S. Higashi and S. Miyazaki, “Photoemission Study of Ultrathin Germanium Oxide/Ge(100) Interfaces,”  4th Int. SiGe Technol. and Dev. Meeting (ISTDM), (Taiwan, May, 11-14, 2008) Mon-P1-19,  pp. 165-166.
  8. S. Miyazaki, H. Yoshinaga, A. Ohta, Y. Akasaka, K. Shiraishi, K. Yamada, S. Inumiya, M. Kadoshima and Y. Nara,  “Photoemission Study of Metal/HfSiON Gate Stack,”  213th Electrochem. Soc. (ECS) Meeting Abs., (Phoenix, USA, May 18-22, 2008) p.703
  9. K. Shiraishi, T. Nakayama, T. Nakaoka, A. Ohta, and S. Miyazaki,  “Theory of Metal/Dielectric Interfaces -Breakdown of Schottky Barrier Limits-,”  213th Electrochem. Soc. (ECS) Meeting Abs., (Phoenix, USA ,May 18-22, 2008)  p.697
  10. H. Furukawa, S. Higashi, T. Okada, H. Kaku, H. Murakami, and S. Miyazaki, "In-situ Monitoring of Si Wafer Temperature during Millisecond Rapid Thermal Annealing, " 213th Electrochemical. Soc. (ECS) Meeting Abs., (Phoenix, USA, May. 18-22, 2008) p. 620
  11. M. Ikeda, K. Shimanoe, R. Matsumoto, K. Makihara and S. Miyazaki, “Formation of Ni- and Pt-Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma Treatment and Their Application to Floating Gate MOS Memories”, The 2008 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), (Osaka, May, 2008) B-5, pp. 43-44.
  12. K. Makihara, A. Kawanami, M. Ikeda, S. Higashi and S. Miyazaki, “Selective Growth of Self-Assembling Si and SiGe Quantum Dots,” 4th Int. SiGe Technol. and Dev. Meeting (ISTDM2008), (Hsinchu, Taiwan, May, 2008) Mon-P1-10, pp. 147-148.
  13. S. Miyazaki, M. Ikeda, K. Makihara, K. Shimanoe and R. Matsumoto,“ Formation of metal and silicide nanodots on ultathin gate oxide induced by H2-plasma,” 17th World Interfinish Congress & Exposition with 9th International Conference on Advanced Surface Engineerring (9th ICASE), (Busan, Korea, June 16-19, 2008), IN-07.
  14. K. Shimanoe, K. Makihara, M. Ikeda, R. Matsumoto, S. Higashi and S. Miyazaki, “Formation of Pd Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma Treatment and Its Application to Floating Gate MOS Memories,” 2008 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2008), (Sapporo, July, 2008) 4A.1, pp. 77-80.
  15. H. Kaku, S. Higashi, T. Yorimoto, T. Okada, H. Furukawa, and S. Miyazaki, “Application of Thermal Plasma Jet Annealing to Channel Crystallization and Doping for Thin Film Transistor Fabrication,” Dig. Tech. Pap. AM-FPD 08, (Tokyo, Japan, Jul. 2-4, 2008), pp. 33-36.
  16. K. Shimanoe, K. Makihara, M. Ikeda, R. Matsumoto, S. Higashi and S. Miyazaki, “Formation of Pd Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma Treatment and Its Application to Floating Gate MOS Memories,” 2008 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2008), (Sapporo, July, 2008) 4A.1, pp. 77-80.
  17. H. Kaku, S. Higashi, T. Yorimoto, T. Okada, H. Furukawa, and S. Miyazaki, “Application of Thermal Plasma Jet Annealing to Channel Crystallization and Doping for Thin Film Transistor Fabrication,” Dig. Tech. Pap. AM-FPD 08, (Tokyo, Japan, Jul. 2-4, 2008), pp. 33-36.
  18. K. Shimanoe, K. Makihara, M. Ikeda, R. Matsumoto, S. Higashi and S. Miyazaki, “Formation of Pd Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma Treatment and Its Application to Floating Gate MOS Memories,” 2008 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2008), (Sapporo, July, 2008) 4A.1, pp. 77-80.
  19. H. Kaku, K. Makihara, M. Ikeda, S. Higashi and S. Miyazaki, “Electrical Properties of Highly Crystallized Ge:H Thin Films Grown from VHF Inductively-Coupled Plasma of H2-diluted GeH4,” 2008 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2008), (Sapporo, July, 2008) 8A.1, pp. 271-274.
  20. S. Mahboob, K. Makihara, H. Kaku, M. Ikeda, S. Higashi, S. Miyazaki and A. Kuroda, “Electrical Detection of Si-tagged Proteins on HF-last Si(100) and Thermally Grown SiO2 Surfaces,” 2008 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2008), (Sapporo, July, 2008) 5B.3, pp. 155-158.
  21. Y. Sakurai, S. Nomura, K. Shiraishi, M. Ikeda, K. Makihara and S. Miyazaki, “Characteristics tunneling of Si quantum dot floating gate at low temperature and in magnetic fields,” 25th International Conference on Low Temperature Physics, (Amsterdam, Netherland, Aug., 2008) PD-Tu266.
  22. T. Okada, S. Higashi, H. Kaku, and S. Miyazaki, “Photoluminescent Properties of Thermal Plasma Jet Annealed SiOx Films Prepared by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,” 1st Int. Conf. on Microelectronics and Plasma Technology (ICMAP 2008) (Jeju, Korea, Aug. 18-20, 2008), p. 192.
  23. H. Furukawa, S. Higashi, T. Okada, H. Kaku, H. Murakami, and S. Miyazaki, “Millisecond Rapid Thermal Annealing of Si Wafer Induced by High Density Thermal Plasma Jet Irradiation,” Ext. Abs. 2008 Int. Conf. Solid Sate Dev. Mat.(SSDM), (Tsukuba, Japan, Sep. 24-26, 2008), pp. 852-853.
  24. S. Miyazaki, M. Ikeda, K. Makihara, K. Shimanoe and R. Matsumoto, “Formation of Metallic Nanodots on Ultrathin Gate Oxide Induced by H2-plasma Treatment and Its Application to Floating Gate Memories,” 4th International Workshop in New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (SiGe(C)2008), (Sendai, Sep., 2008) Z-01, pp. 53-54.
  25. K. Makihara, M. Ikeda, S. Higashi, Y. Hata, A. Kuroda and S. Miyazaki, “AFM/KFM Detection of Si-tagged ProteinA on HF-last Si(100), Thermally Grown SiO2 and Si-QDs Surfaces,” 4th International Workshop in New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (SiGe(C)2008), (Sendai, Sep., 2008) P-09, pp. 39-40.
  26. K. Makihara, A. Kawanami, M. Ikeda, S. Higashi and S. Miyazaki, Formation of Ultra High Density Si-based Quantum Dots on Ultrathin SiO2,” 4th International Workshop in New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (SiGe(C)2008), (Sendai, Sep., 2008) P-08, pp. 37-38.
  27. M. Ikeda, R. Matsumoto, K. Shimanoe, K. Makihara and S. Miyazaki, “Charge Injection and Emission Characteristics of Hybrid Floating Gate Stack Consisting of NiSi-Nanodots and Silicon-Quantum-Dots,” Ext. Abs.2008 Int. Conf. Solid State Dev. Mat. (SSDM), (Tsukuba, Sep., 2008) H-1-6, pp.182-183.
  28. S. Miyazaki, M. Ikeda, K. Makihara and K. Shimanoe, “Formation of Metal Silicide Nanodots on Ultrathin SiO2 for Floating Gate Application,” The European Mat. Res. Soc. (E-MRS) 2008 Fall Meeting, (Warszawa, Poland, Sep. 2008) pp.66-67.
  29. S. Miyazaki, M. Ikeda, K. Makihara and K. Shimanoe, “Formation of Metal Silicide Nanodots on Ultrathin SiO2 for Floating Gate Application,” The European Mat. Res. Soc. (E-MRS) 2008 Fall Meeting, (Warszawa, Poland, Sep. 2008) pp.66-67.
  30. A. Ohta, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki, M. Tanioku, M. Horikawa and A. Ogishima,  “Photoemission Study of Chemical Bonding Features and Electronic States of Ultrathin HfTixOy/Pt System,”  Ext.Abs.2008 Int. Conf. Solid State Dev. Mat. (SSDM), (Tsukuba, Ibaraki, September 23-26, 2008) A-5-3, pp.684-685
  31. K. Makihara, A. Ohta, R. Matsumoto, M. Ikeda, K. Shimanoe, S. Higashi and S. Miyazaki, “Characterization of Chemical Bonding Features and Electronic States of Ni-Silicide Nanodots Formed by a Remote H2-Plasma Assisted Technique,” The 4th Vacuum and Surface Sciences Conference of Asia and Australia (VASSCAA-4), (Matsue, Oct., 2008) 28A04, p. 45.
  32. K. Yamabe (University of Tsukuba), K. Murata (National Institute of Materials Science), T. Hayashi, T. C. Tamura (University of Tsukuba), M. Sato (Semiconductor Leading Edge Technologies), A. Uedono, K. Shiraishi (University of Tsukuba), N. Umezawa, T. Chikyow (National Institute of Materials Science), H. Watanabe (Graduate School of Engineering, Osaka University), Y. Nara, Y. Ohji (Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc.), S. Miyazaki (Hiroshima University), K. Yamada (Waseda University) and R. Hasunuma (University of Tsukuba)  “Annealing Effect on Electronic Characteristics of HfSiON Films fabricated by Damascene Gate Process,” 214th Electrochem. Soc. (ECS) Meeting : SiGe & Ge Materials, Processing and Device Symposium, (Honolulu, Oct., 2008)#1976
  33. T. Okada, S. Higashi, H. Kaku, H. Furukawa, and S. Miyazaki, "Formation of Si Nanocrystals in SiOx Films Induced by Thermal Plasma Jet Annealing and Its Application to Floating Gate Memory, " Joint Int. Meeting 214th Electrochem. Soc. (ECS) Meeting and 2008 Fall Meeting Electrochem. Soc. Jpn. (PRiME 2008) Abs., (Honolulu, Hawaii, USA, Oct. 12-17, 2008) #2283.
  34. K. Makihara, A. Kawanami, M. Ikeda, S. Higashi and S. Miyazaki, “Nucleation Control for High Density Formation of Si-based Quantum Dots on Ultrathin SiO2,” 214th Electrochem. Soc. (ECS) Meeting : SiGe & Ge Materials, Processing and Device Symposium, (Honolulu, Oct., 2008) #2403.
  35. A. Ohta, T. Mori, H. Yoshinaga, H. Murakami, S. Miyazaki, M. Kadoshima and Y. Nara,  “XPS Study of TiAlN/HfSiON Gate Stack - Impact of Al Redistribution on Effective Work Function Change -,”  2008 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices (IWDTF), (Tokyo ,Japan, November 5-7, 2008) S4-4, pp.75-76
  36. K. Shimanoe, K. Makihara, M. Ikeda, S. Higashi and S. Miyazaki, Metal Nanodots Formation Induced by Remote Plasma Treatment -Comparison between the effects of H2 and rare gas plasmas-,” Int. Union Mat. Res. Soc. – Int.Conf. in Asia 2008 (IUMRS-ICA 2008), (Nagoya, Nov. 2008) ZO-13, p. 213.
  37. D. Kanme, A. Ohta, R. Yougauchi, H. Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki,  “Characterization of Chemical Bonding Features in HfGdxOy film formed by MOCVD using DPM precursors,”  2008 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices(IWDTF), (Tokyo Institute of Technology, November 5-7, 2008) P1-4, pp.25-26
  38. K. Makihara, K. Shimanoe, M. Ikeda, A. Ohta, S. Higashi and S. Miyazaki, “Electronic Charged States of Pt-silicide Nanodots as Evaluated by Using an AFM/Kelvin Probe Technique,” Int. Union Mat. Res. Soc. – Int. Conf. in Asia 2008 (IUMRS-ICA 2008), (Nagoya, Nov. 2008) ZO-12, p. 213.
  39. H. Furukawa, S. Higashi, T. Okada, H. Murakami, and S. Miyazaki, “Generation of High Density Thermal Plasma Jet and Its Application to Millisecond Annealing of Si Wafer Surface for Shallow Junction Formation,” Proc. Int. Symp. Dry Process, (Tokyo, Japan, Nov. 26-28, 2008), pp. 267-268. [This paper received “DPS2008 Award for the Young Researcher”]
  40. R. Yougauchi, A. Ohta, H. Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki,  “La-Oxide Thin Films Formed by MOCVD Using La(TMOD)3,”  The IUMRS International Conference in Asia 2008 (IUMRS-ICA 2008)  (Nagoya Kokusai Kaigijou, December 9-13, 2008)  ZO26, p214
  41. S. Nomura, Y. Sakurai, Y. Takada, M. Muraguchi, T. Endoh, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki and K. Shiraishi, Capacitance measurements on quantum dots coupled to a two-dimensional electron system, 13th Advanced Heterostructures and Nanostructures Workshop, (Hawaii, Dec., 2008) Quantum Dot I-5, p8.
  42. M. Muraguchi, Y. Takada, Y. Sakurai, T. Endoh, S. Nomura, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki and K. Shiraishi, Theoretical investigation of quantum dot coupled to a two-dimensional electron system, 13th Advanced Heterostructures and Nanostructures Workshop, (Hawaii, Dec., 2008) Quantum Dot I-4, p8.
  43. S. Miyazaki, M. Ikeda, K. Makihara, K. Shimanoe and R. Matsumoto, Plasma-enhanced Self-assembling Formation of Metallic Nanodots on Ultrathin SiO2 for Floating Gate Application, International Union Material Research Society (IUMRS) - International Conference in Asia, Nagoya, Dec. 9-13, 2008, QI-8, p. 131.
  44. 大田晃生、要垣内亮、村上秀樹、東清一郎、池永英司、小林啓介、宮崎誠一、 “PtおよびSi(100)基板上に形成したHfLaxOy薄膜の化学結合状態分析および電子障壁高さの決定”、  第13回研究会極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性, P-17, pp. 255-260, (2008.1.14-15、東レ総合研修センター)
  45. 門島勝、杉田義博、白石賢二、渡辺平司、大田晃生、宮崎誠一、中島清美、知京豊裕、山田啓作、網中敏夫、黒澤悦男、松木武雄、青山敬幸、奈良安雄、大路譲、 “Metalゲート/HfSiON p-MSOFETにおける閾値上昇現象とその改善”、  第13回研究会極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性, pp. 13-18, (2008.1.14-15、東レ総合研修センター)
  46. 宮崎 誠一、 “シリコン表面および極薄ゲート絶縁膜の欠陥評価”、表面技術協会第117回講演大会, (2008.3.12.-14、日本大学津田沼キャンパス)
  47.  吉永博路、森大樹、大田晃生、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、門島勝、奈良安雄、“光電子分光法によるRu/HfSiON/SiO2ゲートスタック構造の実効仕事関数評価(II)”、  第55回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 29a-H-8 (2008.3.27-30、日本大学)
  48. 牧原克典、大田晃生、松本龍児、池田弥央、島ノ江和弘、東清一郎、宮崎誠一、“リモート水素プラズマ支援により形成したNiシリサイドナノドットの化学結合状態および電子状態評価”、 第55回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集  30a-ZR-9 p.822, (2008.3.27-30、日本大学)
  49. 松本龍児、池田弥央、牧原克典、大田晃生、岡田竜弥、島ノ江和広、東清一郎、宮崎誠一、 “NiSiドット/Si量子ドット積層ハイブリドフローティングゲートMOSキャパシタにおける電子注入・放出特性”、 第55回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 27a-P2-5 p.903, (2008.3.27-30、日本大学)
  50. 松本龍児、池田弥央、牧原克典、大田晃生、岡田竜弥、島ノ江和広、東清一郎、宮崎誠一、“NiSiドット/Si量子ドット積層ハイブリッドフローティングゲートMOSキャパシタにおける電荷保持特性”、 第55回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集  27a-P2-6,p904 (2008.3.27-30、日本大学)
  51. 大田晃生、吉永博路、宮崎誠一、門島勝、奈良安雄、 “HfSiONへの低価数イオン添加が化学結合および電子状態に及ぼす影響”、 第55回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集  27p-X-4 (2008.3.27-30、日本大学)
  52. 小埜芳和、加久博隆、牧原克典、東清一郎、宮崎誠一,“ GeH4 VHF-ICP による高結晶性Ge:H 膜の高速堆積”、 第55回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 28p-ZR-10, p.814, (2008.3.27-30、日本大学)
  53. 島ノ江和広、牧原克典、池田弥央、松本龍児、東清一郎、宮崎誠一, “リモート水素プラズマ支援によるPd ナノドット形成”、 第55回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 30a-ZR-11, p.823, (2008.3.27-30、日本大学)
  54. 西原良祐、牧原克典、池田弥央、松本龍児、東清一郎、宮崎誠一,“ AFM/KFMによる高密度Ptシリサイドナノドットの帯電状態計測”、第55回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 30a-ZR-8, p.822, (2008.3.27-30、日本大学)
  55.  川浪彰、牧原克典、池田弥央、松本龍児、山本雄治、東清一郎、宮崎誠一, “SiGe量子ドットの一次元配列成長”、 第55回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 30a-ZR-7, p.822 (2008.3.27-30、日本大学)
  56. 岡田 竜弥、 東 清一郎、加久 博隆、 寄本 拓也、 村上 秀樹、 宮崎 誠一、“プラズマCVDにより堆積したSiOx薄膜からのフォトルミネッセンス”、第55回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 27p-G-2 p.883(2008.3.27-30、日本大学)
  57. 古川 弘和、 東 清一郎、 岡田 竜弥、 加久 博隆、 村上 秀樹、 宮崎 誠一、 “高密度熱プラズマジェット照射によるSiウェハ表面のミリ秒超急速熱処理”、 第55回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 29p-G-7 p.898 (2008.3.27-30、日本大学)
  58. 加久 博隆, 東 清一郎, 寄本 拓也, 古川 弘和, 岡田竜弥, 村上 秀樹, 宮崎 誠一, “熱プラズマジェット照射ミリ秒急速熱処理によるSi 膜中ドーパントの活性化(II) ”、 第55回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集29p-G-8 p.899 (2008.3.27-30、日本大学)
  59. 広重 康夫、 東 清一郎、 岡田 竜弥、 寄本 拓也、 宮崎 誠一、“ マルチホロー電極を用いた反応性スパッタリングによるSiO2膜の低温形成”、第55回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集27a-G-7 p.881 (2008.3.27-30、日本大学)
  60. 大田晃生、森大樹、吉永博路、宮崎誠一、門島勝、奈良安雄、“TiAlN/HfSiONゲートスタックにおけるX線光電子分光分析 -Al拡散による実効仕事関数変化の緩和-,”   電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会 電子情報通信学会信学技報108(80)p.59,(2008.6.9-10、東京大学)
  61. 森大樹、大田晃生、吉永博路、宮崎誠一、門島勝、奈良安雄、“Ru/HfSiONゲートスタックのバックサイドX線光電子分光分析  -Ruの実効仕事関数変化の起源-”、  電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会 電子情報通信学会信学技報 108(80)p.47, (2008.6.9-10、東京大学)
  62. 小埜芳和、三浦真嗣、大田晃生、村上秀樹、要垣内亮、東清一郎、宮崎誠一、 “光電子分光法によるGe/GeO2界面の化学結合状態評価”、  2008年度 応用物理学会学 中・四国支部例会 Da-09, p86  (2008.8.2、愛媛大学)
  63. 中西翔,島ノ江和弘、牧原克典、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一 “PtナノドットフローティングゲートMOSキャパシタのメモリ特性”、 2008年度 応用物理学会 支部学術講演会  Da-03 p80 (2008.8.2、愛媛大学)
  64. 貫目大介、大田晃生、要垣内亮、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、 “DPM 錯体を用いたMOCVD により形成したHf-Gd 系酸化膜の化学結合状態評価”、   第69回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 3a-CB-2, p.701(2008.9.2-9.5、中部大学)
  65.  要垣内亮、大田晃生、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、 “La(TMOD)3を用いたMOCVD によるLa 酸化薄膜の形成”、 第69回 応用物理学会学術講演会 講演予稿集 3a-CB-3, p.702(2008.9.2-9.5、中部大学)
  66. 村上秀樹、三浦真嗣、小埜芳和、大田晃生、要垣内亮、東清一郎、宮崎誠一、 “熱酸化および化学溶液処理により形成したGeO2/Ge(100)界面の光電子分光分析”、 第69回 応用物理学会学術講演会 講演予稿集 4p-CB-1, p.714(2008.9.2-9.5、中部大学)
  67. 大田晃生、 村上秀樹、東清一郎、 宮崎誠一、 谷奥正巳、 堀川貢弘、 荻島淳史、 “光電子分光法によるHf-Ti 系酸化物/Pt 構造の化学結合および電子状態分析”、 第69回 応用物理学会学術講演会 講演予稿集 3p-CB-10 p.708 (2008.9.2-9.5、中部大学)
  68. 櫻井蓉子、野村晋太郎、白石賢二、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一, “量子ドットフローティングメモリの低温におけるC-V特性”、 日本物理学会 2008年秋季大会, 21aYF-13,(2008.9.20-23、岩手大学)
  69. 櫻井蓉子、野村晋太郎、白石賢二、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一 , “量子ドットフローティングメモリの低温におけるC-V特性”、第69回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 3a-E-11, p.765, (2008.9.2-9.5 中部大学)
  70. 高田幸宏、村口正和、櫻井蓉子、野村晋太郎、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一、白石賢二, “シリコン量子ドットフローティングゲート型メモリの理論的考察”、 第69回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 3a-E-10, p.764, (2008.9.2-9.5 中部大学)
  71. 池田弥央、島ノ江和広、牧原克典、宮崎誠一,“ NiナノドットフローティングゲートMOSキャパシタにおける電荷保持特性”、第69回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 3a-E-9, p.764, (2008.9.2-9.5 中部大学)
  72. 川浪彰、牧原克典、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一,“ Si量子ドットの核発生制御と高密度形成、 第69回応用物理学会学術講演会講演予稿集 3a-G-6, p.685, (2008.9.2-9.5 中部大学)
  73. 島ノ江和広、牧原克典、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一、 “リモートプラズマ支援による金属ナノドット形成-希ガスプラズマと水素プラズマの比較”、第69回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 3a-G-7, p.685, (2008.9.2-9.5 中部大学)
  74. 牧原克典、Syed Mahboob、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一、黒田章夫、“AFM/KFMによる水素終端Si表面およびSi熱酸化膜表面に吸着したSi結合タンパク質の電気的検出”、 第69回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 3p-P10-16, p.1098, (2008.9.2-9.5 中部大学)
  75. 岡田 竜弥、 東 清一郎、 加久 博隆、古川 弘和、 宮崎 誠一、 “SiOx膜へのプラズマジェット照射ミリ秒熱処理によるSiナノ結晶形成とそのフローティングゲートメモリ応用”、第69回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 3p-CH-8 p.745. (2008.9.2-9.5 中部大学)
  76. 木庭 直浩, 東 清一郎, 岡田 竜弥, 加久 博隆, 村上秀樹, 宮崎 誠一, “Siマイクロ融液プロセスにおける基板表面のミリ秒昇降温特性”、第69回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 2a-CH-4  p.730 (2008.9.2-9.5 中部大学)
  77. 加久 博隆、東 清一郎、 岡田 竜弥、 宮崎 誠一、 “熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理によるa-Ge薄膜の結晶化”、 第69回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 2a-CH-5 p.731 (2008.9.2-9.5 中部大学)
  78. 山本 雄治、東 清一郎、加久 博隆、岡田 竜弥、村上 秀樹、宮崎 誠一、“アモルファスSi微細構造の固相結晶化”、第69回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 2a-CH-6 p.731 (2008.9.2-9.5 中部大学)
  79. 古川 弘和、 東 清一郎、 岡田 竜弥、 村上 秀樹、 宮崎 誠一、 “高密度熱プラズマジェット照射ミリ秒急速熱処理による不純物活性化”、第69回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 2p-CH-12 p.736 (2008.9.2-9.5 中部大学)
  80. 古川 弘和、 東 清一郎、 岡田 竜弥、 村上 秀樹、 宮崎 誠一、 “高密度熱プラズマジェット照射によるSiウェハ表面のミリ秒急速熱処理”、第69回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 2p-ZC-10  p.150 (2008.9.2-9.5 中部大学)
  81. 広重 康夫, 東 清一郎, 加久 博隆, 岡田 竜弥, 宮崎誠一, “熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理によるSiO2膜の膜質改善, ”第69回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 3a-CH-2 p.740 (2008.9.2-9.5 中部大学)
  82. 宮崎誠一、 “シリコン系量子ドットにおける帯電電位計測とメモリ応用”、平成20年度東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究会 2008年12月

2007年度

  1. K. Makihara, Y. Kawaguchi, M. Ikeda, S. Higashi and S. Miyazaki, “Luminescence Study of Multiply-Stacked Structures Consisting of Impurity-Doped Si Quantum Dots and Ultrathin SiO2,” The 2007 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), (Osaka, Japan, Apr. 23-25,2007) PB-5, pp. 121-122.
  2. H. Kaku, S. Higashi, T. Okada, T. Yorimoto, H. Murakami, and S. Miyazaki, “High Efficiency Activation of Phosphorus Atoms Induced by Thermal Plasma Jet Crystallization of Doped Amorphous Si Films,” Abs. 2007 Mat. Res. Soc. Spring Meeting, (San Francisco, U. S. A. Apr. 9-13, 2007), p. 27.
  3. K. Makihara, K. Shimanoe, Y. Kawaguchi, M. Ikeda, S. Higashi and S. Miyazaki, “Formation of Ni Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma,” The European Mat. Res. Soc. (E-MRS) 2007 Spring Meeting, (Strasbourg, France, May.28- Jun.1, 2007) K-3 4.
  4. K. Shiraishi, Y. Akasaka , G. Nakamura , T. Nakayama, S. Miyazaki, H. Watanabe , A. Ohta , K. Ohmori, T. Chikyow , Y. Nara , K. Yamabe and K. Yamada,  “Theoretical Studies on Metal/High-k Gate Stacks,”  Abs. 211th Electrochem. Soc. (ECS) Meeting,  (Chicago, Illinois May. 6-10, 2007) p.575
  5. K. Makihara, M. Ikeda, S. Higashi and S. Miyazaki, “Impact of impurity Doping into Si Quantum Dots with Ge Core on Their Electrical Charging Characteristics,” 5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5), (Marseille, France, May, 2007) 22P 2-15, pp. 313-314.
  6. T. Sakata, K. Makihara, H. Deki, S. Higashi and S. Miyazaki, “Low Temperature High-rate Growth of Crystalline Ge Films on Quartz and Crystalline Si Substrates from VHF Inductively-Coupled Plasma of GeH4,” 5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5), (Marseille, France, May, 2007) 21P1-7, pp. 214-215.
  7. M. Kadoshima, Y. Sugita, K. Shiraishi, H. Watanabe, A. Ohta, S. Miyazaki, K. Nakajima, T. Chikyow, K. Yamada, T. Aminaka, E. Kurosawa, T. Matsuki, T. Aoyama, Y. Nara and Y. Ohji,  “Fermi-level pinning position modulation by Al-containing metal gate for cost-effective dual-metal/dual-high-k CMOS,”  The 2008 Symposium on VLSI Technology,  (Kyoto, June12-16, 2007) pp.66-67.
  8. A. Ohta, Y. Munetaka, A. Tsugo, K. Makihara, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki, S. Inumiya and Y. Nara, “Characterization of Chemical Bonding Features and Defect State Density in HfSiOxNy/SiO2 Gate Stack,” 15th Bi-annual Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS), (Greece, Glyfada June19-23, 2007) session7, 7.36.
  9. K. Makihara, M. Ikeda, S. Higashi and S. Miyazaki, “Progress on Charge Distribution in Multiply-Stacked Si Quantum Dots/SiO2 Structure as Evaluated by AFM/KFM,” 2007 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2007), (Gyeongju, Korea, June, 2007) J-R22W, pp. 251-254.
  10. K. Okuyama, K. Makihara, A. Ohta, H. Murakami, M. Ikeda, S. Higashi and S. Miyazaki, “Impact of Boron Doping to Si Quantum Dots on Light Emission Properties,” 2007 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2007), (Gyeongju, Korea, June, 2007) J-R23M, pp. 135-138.
  11. K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, H. Murakami, R. Matsumoto, E. Ikenaga, M. Kobata, J. Kim, S. Higashi and S. Miyazaki, “Phosphorus Doping to Si Quantum Dots for Floating Gate Application,” 2007 Silicon Nanoelectronics Workshop, (Kyoto, June, 2007) 5-3, pp. 161-162.
  12. Y. Miyazaki, S. Higashi, T. Karakawa, H. Murakami, and S. Miyazaki, “Nucleation Control in the Initial Stage of Microcrystalline Silicon Film Growth Using Plasma Pretreatment,” Abs. 20th Symp. Plasma Science Mat. (SPSM-20) (Nagoya, Japan, Jun. 21-22, 2007), p. 94.
  13. H. Kaku, S. Higashi, H. Furukawa, T. Okada, H. Murakami, and S. Miyazaki, “Dopant Activation Induced by Thermal Plasma Jet Crystallization of Heavily-Phosphorus-Doped Amorphous Si Films,” Dig. Tech. Pap. AM-FPD 07, (Hyogo, Japan, Jul. 11-13, 2007), pp. 33-36.
  14. 18.    S. Miyazaki and T. Sakata  “Control of 60MHz Inductively-Coupled Plasma of H<sub>2</sub>-diluted GeH<sub>4</sub> for High Rate Growth of Crystalline Ge Films at Low Temperatures,” 22nd Int. Conf. on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors (Breckenridge, USA, Aug. 19-24, 2007)
  15. H. Furukawa, S. Higashi, T. Okada, H. Kaku, H. Murakami, and S. Miyazaki, “In-situ Measurement of Temperature Variation in Si Wafer During Millisecond Rapid Thermal Annealing Induced by Thermal Plasma Jet Irradiation,” Ext. Abs. 2007 Int. Conf. Solid Sate Dev. Mat.(SSDM), (Tsukuba, Japan, Sep. 19-21, 2007), pp. 376-377.
  16. K. Makihara, K. Shimanoe, M. Ikeda, S. Higashi, and S. Miyazaki, “Self-Assembling Formation of Ninanodots on SiO2 Induced by Remote H2-Plasma Treatment and Their Electrical Charging Characteristics,” Ext. Abs. 2007 Int. Conf. Solid Sate Dev. Mat.(SSDM), (Tsukuba, Japan, Sep. 19-21, 2007), pp.1108-1109.
  17. K. Okuyama, K. Makihara, M. Ikeda, S. Higashi, and S. Miyazaki, “Electroluminescence from Multiple-Stacked Structures of Impurity Doped Si Quantum Dots,” Ext. Abs. 2007 Int. Conf. Solid Sate Dev. Mat.(SSDM), (Tsukuba, Japan, Sep. 19-21, 2007) pp.106-107.
  18. R. Matsumoto, M. Ikeda, S. Higashi, and S. Miyazaki, “Characterization of Multistep Electron Charging and Discharging of Silicon-Quantum-Dots Floating Gate by Applying Pulsed Gate Biases,” Ext. Abs. 2007 Int. Conf. Solid Sate Dev. Mat.(SSDM), (Tsukuba, Japan, Sep. 19-21, 2007), pp.1112-1113.
  19. K. Makihara, K. Shimanoe, M. Ikeda, S. Higashi and S. Miyazaki, “Self-Assembling Formation of Ninanodots on SiO2 Induced by Remote H2-Plasma Treatment and Their Electrical Charging Characteristics,” Ext. Abs. 2007 Int. Conf.  Solid State Dev. Mat. (SSDM2007), (Tsukuba, Sep., 2007) I-8-1, pp.1108-1109.
  20. K. Okuyama, K. Makihara, M. Ikeda, S. Higashi and S. Miyazaki, “Electroluminescence from Multiple-Stacked Structures of Impurity Doped Si Quantum Dots,” Ext. Abs. 2007 Int. Conf.  Solid State Dev. Mat. (SSDM2007), (Tsukuba, Sep., 2007) E-1-4, pp.106-107.
  21. [Invited] S. Higashi, “Application of Thermal Plasma Jet to Crystallization of Amorphous Si Films on Glass Substrate and Thin Film Transistor Fabrication,” 6th Asian-European Int. Conf. Plasma Surf. Eng. (AEPSE 2007) Workshop on Flat-panel and Flexible Devices (Nagasaki, Japan, Sep. 28, 2007), p.1.
  22. M. Sato (Selete), K. Yamabe, K. Shiraishi (University of Tsukuba), S. Miyazaki (Hiroshima University), K. Yamada (Waseda University), C. Tamura, R. Hasunuma (University of Tsukuba), S. Inumiya, T. Aoyama, Y. Nara and Y. Ohji (Selete)"Microscopic Understanding of PBTI and NBTI Mechanisms in High-k / Metal Gate Stacks," 212th Electrochemical Society(ECS) Meeting (Washington, DC, Oct. 7-12, 2007)
  23. N. Umezawa (National Institute for Materials Science), K. Shiraishi (University of Tsukuba), S. Miyazaki (Hiroshima University), A. Uedono (University of Tsukuba), Y. Akasaka (Tokyo Electron), S. Inumiya (Toshiba), A. Oshiyama, R. Hasunuma, K. Yamabe (University of Tsukuba), H. Momida, T. Ohno (National Institute for Materials Science), K. Ohmori (Selete), T. Chikyow (National Institute for Material Science), Y. Nara (Selete) and K. Yamada (Waseda University), "Role of the Ionicity in Defect Formation of Hf-Based Dielectrics," 212th Electrochemical Society(ECS) Meeting (Washington, DC, Oct. 7-12, 2007)
  24. M. Kadoshima "Improvement in Fermi-Level Pinning of p-MOS Metal Gate Electrodes on HfSiON by Employing Ru Gate Electrodes," 212th Electrochemical Society(ECS) Meeting (Washington, DC, Oct. 7-12, 2007)
  25. Uedono, K. Shiraishi, K. Yamabe (University of Tsukuba), S. Inumiya, Y. Akasaka, S. Kamiyama, T. Matsuki, T. Aoyama, Y. Nara (Selete), S. Miyazaki (Hiroshima University), H. Watanabe (Osaka University), N. Umezawa, T. Chikyow (National Institute for Materials Science), S. Ishibashi, T. Ohdaira, R. Suzuki (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology) and K. Yamada (Waseda University) "Vacancy-Type Defects in MOSFETs with Highk Gate Dielectrics Probed by Monoenergetic Positron Beams," 212th Electrochemical Society(ECS) Meeting (Washington, DC, Oct. 7-12, 2007)
  26. R. Hasunuma, T. Naito, C. Tamura, A. Uedono, K. Shiraishi (University of Tsukuba), N. Umezawa (National Institute for Materials Science), T. Chikyow (National Institute for Material Science), S. Inumiya (Toshiba), M. Sato (Selete), Y. Tamura (Semiconductor Leading Edge Technologies), H. Watanabe (Osaka University), Y. Nara, Y. Ohji (Selete), S. Miyazaki (Hiroshima University), K. Yamada (Waseda University) and K. Yamabe (University of Tsukuba) "Tight Distribution of Dielectric Characteristics of HfSiON," 212th Electrochemical Society(ECS) Meeting (Washington, DC, Oct. 7-12, 2007)
  27. S. Miyazaki, M. Ikeda and K. Makihara "Characterization of Electronic Charged States of Si-Based Quantum Dots for Floating Gate Application," 212th Electrochemical Society(ECS) Meeting (Washington, DC, Oct. 7-12, 2007)  p.1276.
  28. S. Miyazaki "Self-Assembling Formation of Si-Based Quantum Dots and Control of Their Electric Charged States for Multivalued MOS Memories," 10th International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM 2007) (Bangalore, India, Oct. 8-13, 2007)  V-Inv-08, pp. V-5-V-6.
  29. M. Kadoshima,Y. Suginta, K. Shiraishi, H. Watanabe, A. Ohta, S. Miyazaki, K. Nakajima, T. Chikyow, K. Yamaba, T. Aminaka, E. Kurosawa, T. Matsuki, T. Aoyama, Y. Nara, Y. Ohji,  “Improvement in Fermi-Level Pinning of p-MOS Metal Gate Electodes on HfSiON by Employing Ru Gate Electrodes,”  212th Electrochemical Society (ECS) Meeting, (Washington DC, Oct.7-12, 2007) p. 1128,
  30. K.Sugakawa,S.Higashi,,H.Kaku,T.Okada,H.Murakami,S.Miyazaki “Rapid Phase Transformation of Amorlphous Ge Films Induced by Semiconductor Diode Laser Irradiation,” LPSD2007(France,Oct. 1-2, 2007)
  31. R. Nishihara, K. Makihara, Y. Kawaguchi, M. Ikeda, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki, “Characterization of Electronic Charged States of Nickel Silicide Nanodots Using AFM/Kelvin Probe Technique,” The Sixth Pacific Rim International Conference on Advanced Materials and Processing (PRICM6), (Jeju, Korea, Nov., 2007) 9-3-4, p. 73.
  32. T. Sakata, K. Makihara, H. Deki, S. Higashi and S. Miyazaki, “High Rate Growth of Highly-Crystallized Ge Films on Quartz from VHF Inductively-Coupled Plasma of GeH4 + H2,” The Sixth Pacific Rim International Conference on Advanced Materials and Processing (PRICM6), (Jeju, Korea, Nov., 2007) 9-4-8, p. 74.
  33. S. Miyazaki, T. Sakata, K. Makihara and M. Ikeda "High Rate Growth of Crystalline Ge Films at Low Temperatures by Controlling 60MHz Inductively-Coupled Plasma of H<sub>2</sub>-diluted GeH<sub>4</sub>," The International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics SiGe(C) 2007 (Sendai, Nov. 8-9, 2007) pp.33-34 [P-07]
  34. M. Ikeda, R. Matsumoto, K. Shimanoe, T. Okada, K. Makihara, S. Higashi and S. Miyazaki "Charged Injection Characteristics of NiSi-Dots/Silicon-Quantum-Dots Stacked Floating Gate in MOS Capacitors,"  The International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics SiGe(C) 2007 (Sendai, Nov. 8-9, 2007) pp.35-36 [P-08]
  35. K. Shimanoe, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, S. Higashi and S. Miyazak,"Formation of PtSi Nanodot Induced by Remote Hydrogen Plasma," The International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics SiGe(C) 2007 (Sendai, Nov. 8-9, 2007) pp.37-38  [P-09]
  36. A. Ohta, R. Yougauchi, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki, “Photoemission Study of Chemical Bonding Features and Electronic States of Ultrathin HfLaxOy Film,” International Conference of Atomic Control Surface and Interface-9 (ACSIN-9), (Tokyo, November 11-15, 2007) 14Aa-8, p.176.
  37. A. Ohta, H. Yoshinaga, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki, M. Kadoshima and Y. Nara, “Impact of Low Temperature Anneal on Effective Work Function and Chemical Bonding Features for Ru/HfSiON/SiON Gate Stack,” Ext. Abs. 5th Int. Symp. Control of Semiconductor InterfacesISCSI-V), (Tokyo, Nov. 12-14 2007). OA3-1, pp.215-216.
  38. R. Yougauchi,A. Ohta, Y. Munetaka, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki,  “The Impact of Post Deposition NH3-Anneal on La Oxide Films Formed by MOCVD Using La(DPM)3,”  Ext. Abs. 5th Int. Symp. Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-V),(Tokyo, Nov.12-14, 2007) OA3-8,  pp.227-228
  39. H. Yoshinaga, A. Ohta, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki, M. Kadoshima and Y. Nara,  “Evaluation of Effective Work Function in Ru/HfSiON/SiO2 Gate Stack Structures – Thickness Dependence in Bottom SiO2 layer,” Ext. Abs. 5th Int. Symp. Control of Semiconductor Interfaces ISCSI-V), (Tokyo, Nov. 12-14, 2007) P.-47,  pp.181-182.
  40. H. Kaku, S. Higashi, H. Furukawa, T. Okada, T. Yorimoto, H. Murakami, and S. Miyazaki, “High Efficiency Dopant Activation Induced by Thermal Plasma Jet Crystallization of Heavily-Phosphorus-Doped Amorphous Si Films,” Ext. Abs. 5th Int. Symp. Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-V), (Tokyo, Japan, Nov. 12-14, 2007), pp. 51-52.
  41. T. Yorimoto, S. Higashi, H. Kaku, T. Okada, H. Murakami, S. Miyazaki, T. Matsui, A. Masuda, and M. Kondo, “Formation of Low-Defect-Concentration Polycrystalline Si Films by Thermal Plasma Jet Crystallization Technique,” Proc. Int. Symp. Dry Process (DPS2007), (Tokyo, Japan, Nov. 13-14, 2007), pp. 157-158.
  42. M. Kadoshima, T. Matsuki, M. Sato, T. Aminaka, E. Kurosawa, A. Ohta, H. Yoshinaga, S. Miyazaki, K. Shiraishi, K. Yamabe, K. Yamada, T. Aoyama, Y. Nara and Y. Ohji,  “Practical dual-metal-gate dual-high-k CMOS integration technology for hp 32 nm LSTP utilizing process-friendly TiAlN metal gate,”  International Electron Device Meeting 2007 (IEDM), (Washington DC , Dec.10-12, 2007) pp.531-534.
  43. 47.    S. Miyazaki, H. Yoshinaga, A. Ohta, Y. Akasaka, K. Shiraishi, K. Yamada, S. Inumiya, M. Kadoshima and Y. Nara,  “Photoemission Study of Metal/High-k Dielectric Gate Stack,”  The 38th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC),    (Arlington, Dec.6-8, 2007) 3.1.
  44. T. Okada, S. Higashi, H. Kaku, T. Yorimoto, H. Murakami, and S. Miyazaki, “Photoluminescence of SiOx Films Annealed by Millisecond Irradiation of Thermal Plasma Jet,” Abs. 18th Symp Mat. Res. Soc. Jpn., (Tokyo, Japan, Dec. 7-9, 2007), p.197. [This paper received “Award for Encouragement of Research of Materials Science (Young Scientist)” ]
  45. S. Miyazaki, M. Ikeda, K. Makihara, “Electron Charging and Discharging Characteristics of Si-Based Quantum Dots and Their Application of Floating Gate MOS Memories”, 3rd International Workshop in New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (SiGe(C)2007), Sendai, Nov. 8-9, 2007, I-16, pp. 73-74.
  46. K. Shiraishi, Y. Akasaka, G. Nakamura, M. Kadoshima, A. Ohta, S. Miyazaki, H. Watanabe, K. Ohmori, T. Chikyow, K. Yamabe, Y. Nara, Y. Ohji, and K. Yamada “Theoretical Studies on Fermi Level Pinning of Hf-based High-k Gate Stacks Based on Thermodynamics,” The 212th Electrochemical Society (ECS) Meeting, 1124 (Washington DC, October 7-12, 2007) : Oral Presentaion
  47. S. Miyazaki, M. Ikeda and K. Makihara, Characterization of Electronic Charged States of Si-Based Quantum Dots and Their Application to Floating Gate Memories, 5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5), Marseille, France, May 20-25, 2007, S2-I17, pp. 87-88.
  48. 大田晃生、宮崎誠一、赤坂泰士、渡辺平司、白石賢司、山田啓作、犬宮誠治、奈良安雄、 “TiN/HfSiONゲートスタック構造の実効仕事関数評価と制御指針”、  第12回研究会極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性pp. 103-108, (2007.2.2-3、東レ総合研修センター)
  49. 宗高勇気、大田晃生、津郷晶也、中川博、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、犬宮誠治、奈良安雄、 “光電子収率分光法によるN添加Hfシリケートの欠陥準位密度評価” 、 第12回研究会極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性  [P-30],  pp. 333-338 (2007.2.2-3、東レ総合研修センター)
  50. 宗高勇気、大田晃生、津郷晶也、中川博、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、犬宮誠治、奈良安雄、 “光電子収率分光法によるHfSiOxNyの欠陥準位密度評価” 、 第54回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集  28a-ZH-13  (2007.3.27-30、青山学院大学)
  51. 三浦真嗣、大田晃生、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、鴻野真之、西田辰夫、中西敏雄、 “プラズマCVD SiNx薄膜の深さ方向化学組成および欠陥密度計測” 、 第54回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集  30a-ZK-8  (2007.3.27-30、青山学院大学)
  52. 中川博、大田晃生、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、 “HfO2/SiONx/Ge(100)スタック構造における熱的安定性評価”、 第54回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 30p-ZH-7  (2007.3.27-30、青山学院大学)
  53. 喜多祐起、吉田慎一、志村考功、安武潔、渡部平司、白石賢二、大田晃生、宮崎誠一、奈良安雄、山田啓作、 “Hf系ゲート絶縁膜/電極界面の実効仕事関数変調機構の統一的理解” 、 第54回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 28p-ZH-12  (2007.3.27-30、青山学院大学)
  54. 坂田務、牧原克典、東清一郎、宮崎誠一、“ GeH4 VHF-ICPからの高結晶性Ge薄膜の低温高速堆積”、第54回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 27p-M-4, p.976, (2007.3.27-30、青山学院大学)
  55. 西原良祐、牧原克典、川口恭裕、池田弥央、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、“ AFM/KFMによる孤立NiSiドットの帯電状態計測”、第54回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集28p-K-7, p.822, (2007.3.27-30、青山学院大学)
  56. 坂田務、出木秀典、牧原克典、東清一郎、宮崎誠一、“ GeH4 VHF-ICPからのGe結晶薄膜の低温・高速成長-基板依存性”、第54回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集27p-M-5, p.976, (2007.3.27-30、青山学院大学)
  57. 島ノ江和広、牧原克典、川口恭裕、奥山一樹、西原良祐、池田弥央、松本龍児、東清一郎、宮崎誠一、“ リモート水素プラズマ支援によるNiナノドット形成-ドット密度制御”、第54回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 28p-K-8, p.823, (2007.3.27-30、青山学院大学)
  58. 川口恭裕、牧原克典、東清一郎、宮崎誠一、“不純物添加Si量子ドット/SiO2多重集積構造からの発光 ”、第54回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 28p-K-4, p.821, (2007.3.27-30、青山学院大学)
  59. 牧原克典、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一、“ 不純物添加がGeコアSi量子ドットの帯電状態に及ぼす影響”、第54回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 28p-K-3, p.821, (2007.3.27-30、青山学院大学)
  60. 酒池耕平,東 清一郎,岡田竜弥,村上秀樹,宮崎誠一、“半導体レーザ光照射によるa-Ge:H膜のミリ秒時間相変化過程のその場観測”、第54回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 28p-SM-14 (2007.3.27-30、青山学院大学)
  61. 岡田竜弥,東 清一郎,加久博隆,寄本拓也,村上秀樹,宮崎誠一、“熱プラズマジェット照射により超急速熱処理したSiOx薄膜のフォトルミネッセンス”、第54回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 28p-SM-15 (2007.3.27-30、青山学院大学)
  62. 加久博隆,東 清一郎,古川弘和,岡田竜弥,寄本拓也,村上秀樹,宮崎誠一、“熱プラズマジェット照射超急速熱処理によるSi膜中ドーパントの活性化”、第54回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 29p-SM-4  (2007.3.27-30、青山学院大学)
  63. 寄本拓也,東 清一郎,加久博隆,岡田竜弥,村上秀樹,宮崎誠一,松井卓矢,増田 淳,近藤道雄、“熱プラズマジェット結晶化Si膜の欠陥密度評価”、第54回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 30p-SM-1  (2007.3.27-30、青山学院大学)
  64. 松本龍児,池田弥央,東 清一郎,宮崎誠一、“パルスゲート電圧印加によるSi量子ドットフローティングゲートへの多段階電子注入特性の評価”、第54回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 29p-ZQ-4  (2007.3.27-30、青山学院大学)
  65. 辛川孝行,東 清一郎,村上秀樹,宮崎誠一、“水素プラズマ前処理による微結晶シリコン(μc-Si:H)成長初期過程の核発生制御”、第54回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 27p-M-6 (2007.3.27-30、青山学院大学)
  66. 東清一郎、“熱プラズマジェットを用いたミリ秒急速熱処理技術のTFT作製プロセス応用”、半導体界面制御技術第154委員会第58回研究会資料,(2007.5.16、首都大学東京)pp. 4
  67. 大田晃生、中川博、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、 “光電子分光法によるHfO2/SiONx/Ge(100)スタック構造の熱的安定性評価”、  電気通信情報学会(SDM) 2007シリコン材料・デバイス信学技報 107(.85)p.91  SDM2007-31~51 (2007.6.7-8、広島大学)
  68. 三浦真嗣、大田晃生、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、鴻野真之、西田辰夫、中西敏雄、 “プラズマ CVD SiNx 薄膜の深さ方向化学組成および欠陥密度計測,”  電気通信情報学会(SDM) 2007シリコン材料・デバイス信学技報107(85)p.17 SDM2007-31~51 (2007.6.7-8、広島大学)
  69. 白石博之、細井卓治、大田晃生、宮崎誠一、芝原健太郎、 “B添加Pd2Siフルシリサイドゲートの仕事関数変調,”  電気通信情報学会(SDM) 2007シリコン材料・デバイス信学技報107(85)p.33 SDM2007-31~51 (2007.6.7-8、広島大学)
  70. 奥山一樹、牧原克典、大田晃生、村上秀樹、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一、 “Si量子ドットへの不純物添加が発光特性に及ぼす影響”、  2007年度応用物理学会学 中・四国支部例会 Dp-5,  p81  (2007.8.4、岡山大学津島キャンパス)
  71. 三浦真嗣、大田晃生、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、鴻野真之、西田辰夫、中西敏雄、 “プラズマ CVD SiNx 薄膜の深さ方向化学組成および欠陥密度計測”、  2007年度応用物理学会学 中・四国支部例会 Dp-6,  p82  (2007.8.4、岡山大学津島キャンパス )
  72. 古川弘和、東 清一郎、岡田竜弥、加久博隆、村上秀樹、宮崎誠一、“ ミリ秒急速熱処理におけるSiウェハ表面温度の非接触測定”、 第68回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 4a-P2-14, (2007.9.4-8、北海道工業大学)
  73. 寄本拓也、東 清一郎、加久博隆、岡田竜弥、村上秀樹、宮崎誠一、“熱プラズマジェット結晶化Si膜の欠陥密度評価(II)”、第68回応用物理学会学術講演会, 4a-P2-11, (2007.9.4-8、北海道工業大学)
  74. 加久博隆、東 清一郎、古川弘和、岡田竜弥、寄本拓也、村上秀樹、宮崎誠一、“熱プラズマジェット照射ミリ秒急速熱処理によるSi膜中ドーパントの活性化”、第68回秋季応用物理学会 講演予稿集5a-P6-5, (2007.9.4-8、北海道工業大学)
  75. 岡田竜弥、東 清一郎、加久博隆、寄本拓也、村上秀樹、宮崎誠一、“熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理したSiOx薄膜のフォトルミネッセンス”、第68回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 6a-P10-35, (2007.9.4-8、北海道工業大学)
  76. 菅川賢治、東 清一郎、加久博隆、岡田竜弥、村上秀樹、宮崎誠一、“半導体レーザ光照射ミリ秒急速熱処理によるa-Ge:H膜の相変化過程のその場観測”、 第68回応用物理学会学術講演会 講演予稿集6a-P10-29, (2007.9.4-8、北海道工業大学)
  77. 島ノ江和広、牧原克典、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一、“リモート水素プラズマ処理によるPtナノドット密度制御”、第68回応用物理学会学術講演会 講演予稿集5a-N-19, (2007.9.4-8、北海道工業大学)
  78. 松本龍児、池田弥央、牧原克典、岡田竜弥、島ノ江和広、東清一郎、宮崎誠一、 “NiSiドット/Si量子ドット積層構造フローティングゲートMOSキャパシタにおける電荷注入特性”、第68回応用物理学会学術講演会 講演予稿集6a-ZE-4, (2007.9.4-8、北海道工業大学)
  79. 吉永博路、大田晃生、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、門島勝、奈良安雄、 “下地SiO2膜厚の異なるRu /HfSiON/SiO2ゲートスタック構造の実効仕事関数評価”、  第68回 応用物理学会学術講演会 講演予稿集6p-ZM7,  (2007.9.4-8、北海道工業大学)
  80. 要垣内亮、大田晃生、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、 “La-DPM錯体を用いたMOCVDによるLa系酸化薄膜形成とNH3熱処理効果”、  第68回応用物理学会学術講演会 講演予稿集7a-ZM10  (2007.9.4-8、北海道工業大学)
  81. 細井卓治、大田晃生、白石博之、宮崎誠一、芝原健太郎、 “不純物添加Pd2Si フルシリサイドゲートの界面構造と仕事関数変調”、  第68回応用物理学会学術講演会 講演予稿集6a-P10-12  (2007.9.4-8、北海道工業大学)
  82. 門島勝、杉田義博、白石賢二、渡辺平司、大田晃生、宮崎誠一、中島清美、知京豊裕、山田啓作、網中敏夫、黒澤悦男、松木武雄、青山敬幸、奈良安雄、大路譲、 “Ru電極を用いたp-metalピニング現象の改善策と検討”、 第68回応用物理学会学術講演会 講演予稿集5p-ZQ9  (2007.9.4-8、北海道工業大学)
  83. 大田晃生、吉永博路、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、門島勝、奈良安雄、 “Ru/HfSiON ゲートスタック構造の光電子分光分析-低温熱処理による実効仕事関数変化,”  第68回 応用物理学会学術講演会 講演予稿集 6p-ZM9 ((2007.9.4-8、北海道工業大学)
  84. 大田晃生、要垣内亮、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、 “光電子分光分析によるHfLaxOy 薄膜の化学結合状態評価”、  第68回応用物理学会学術講演会 講演予稿集7a-ZM11  (2007.9.4-8、北海道工業大学)
  85. 宮崎誠一、“ 金属/High-kゲート絶縁膜界面の実効仕事関数評価とその制御指針(シンポジウム),” 第68回応用物理学会学術講演会 講演予稿集5p-ZQ-3, p.849, (2007.9.4-8、北海道工業大学)
  86. 東清一郎, “Poly-Si TFT 新たなSi膜結晶化法(熱プラズマジェット法)” シンポジウム「Poly-Si TFT最近の展開と今後」, 第68回応用物理学会学術講演会 講演予稿集No. 0, p. 68 (2007.9.4-8、北海道工業大学).
  87. [招待講演] 宮崎 誠一、 “X線光電子分光による表面・界面評価”、 薄膜第131委員会、第3回基礎講座(東京、平成19年10月18日) pp.13-22
  88. 古川 弘和、東 清一郎、岡田 竜弥、加久 博隆、村上 秀樹、宮崎 誠一、“熱プラズマジェットを用いたミリ秒急速熱処理におけるSiウェハ内温度変化のその場観測”、 薄膜材料デバイス研究会 pp.152-153 [P-14] (京都、2007年11月2日-3日)
  89. 菅川 賢治、東 清一郎、加久 博隆、岡田 竜弥、村上 秀樹、宮崎 誠一、“半導体レーザ光照射ミリ秒急速熱処理によるa-Ge:H膜の相変化過程のその場観測”、薄膜材料デバイス研究会 pp.167-169 [P-20] (2007.11.2-3、京都)
  90. 岡田 竜弥、東 清一郎、加久 博隆、寄本 拓也、 村上 秀樹、宮崎 誠一、“熱プラズマジェットミリ秒熱処理したSiO<sub>X</sub>薄膜のフォトルミネッセンス”、薄膜材料デバイス研究会 pp.150-151 [P-13] (2007.11.2-3、京都)
  91. 加久 博隆、東 清一郎、古川 弘和、岡田 竜弥、寄本 拓也、村上 秀樹、宮崎 誠一 “熱プラズマジェット照射超急速熱処理によるSi膜中ドーパントの活性化”、 薄膜材料デバイス研究会 pp164-166 [P-19] (2007.11.2-3、京都)
  92. 寄本 拓也、東 清一郎、加久 博隆、岡田 竜弥、村上 秀樹、宮崎 誠一“熱プラズマジェット結晶化Poly-Si膜の欠陥密度評価”、 薄膜材料デバイス研究会 pp161-163 [P-18] (2007.11.2-3、京都)
  93. 島ノ江和広、牧原克典、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一、“ Formation of Pt Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma,” The 18th Symposium of The Materials Research Society of Japan,  Tokyo, Nov. 2007. H-20M,  pp. 197
  94. [招待講演] 宮崎 誠一, 金属/High-k ゲート絶縁膜界面の光電子分光分析-化学結合状態と実効仕事関数評価, ゲート絶縁膜の物理-より深い議論を通じて、次への展開を探る- 高知, 2007年12月26日, pp. 1-10.
  95.  [招待講演] 宮崎 誠一, “Si/絶縁膜(high-k/SiO2)の界面状態評価と電気特性”、 第34回アモルファスセミナー,( 2007.9.27日-29日、宮城, 蔵王)
  96. [招待講演] 宮崎 誠一,“ Si量子ドットを用いた浮遊ゲートメモリー”、 応用物理学会、平成19年薄膜・表面物理分科会セミナー, p.27-36,( 2007.7.17日-18日、早稲田大学)

2006年度

  1. S. Higashi, H. Kaku, T. Okada, H. Murakami, and S. Miyazaki, “Ultrarapid thermal annealing induced by DC arc discharge plasma jet its application,” Proc. 5th Int. Symp. Nanotechnology JAPAN NANO 2007 (Tokyo, Japan, Feb. 20-21, 2007), pp. 144-145.
  2. S. Higashi, H. Kaku, T. Okada, T. Yorimoto, H. Murakami, and S. Miyazaki, “Ultrarapid Thermal Annealing Induced by DC Arc Discharge Plasma Jet Irradiation,” Ext. Abs. Fifth Hiroshima Int. Workshop on Nanoelectronics for Tera-Bit Information Processing, (Tokyo, Japan, Jan. 29-30, 2007), pp. 68-69.
  3. T. Okada, S. Higashi, H. Kaku, T. Yorimoto, H. Murakami, and S. Miyazaki, “Growth of Si Crystalline in SiOx Films Induced by Millisecond Rapid Thermal Annealing Using Thermal Plasma Jet,” Proc. 3rd Int. TFT Conf., (Rome, Italy, Jan. 25-26, 2007), pp. 82-85.
  4. S. Higashi, T. Yorimoto, T. Okada, H. Kaku, H. Murakami, and S. Miyazaki, “Comparison of Defect Densities in Excimer Laser and Thermal Plasma Jet Crystallized Si Films,” Proc. 3rd Int. TFT Conf., (Rome, Italy, Jan. 25-26, 2007), pp. 204-207.
  5. K. Makihara, M. Ikeda, S. Higashi and S. Miyazaki, “Study of Charged states of Si Quantum Dots with Ge Core,”  210th Electrochemical Society (ECS) Meeting : SiGe & Ge Materials, Processing, and Device Symposium, (Cancun, Mexico, Oct. 29- Nov. 3, 2006), #1425.
  6. [Invited] S. Miyazaki, A. Ohta, Pei, S, Inumiya, Y. Nara and K. Yamada, “Depth Profiling of Chemical and Electronic Structures and Defects of Ultrathin HfSiON on Si(100),” 210th Electrochemical Society (ECS) Meeting, (Cancun, Mexico, Oct. 29-Nov. 3, 2006), #1104.
  7. [Invited] S. Miyazaki, K. Makihara and M. Ikeda, “Characterization of Electronic Charged States of Si-based Quantum Dots for Multi-valued MOS Memories,” 8th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology, (Shanghai, China, Oct. 23-26, 2006), C3.14, pp. 736-739.
  8. [Invited] S. Miyazaki, K. Makihara and M. Ikeda, “Control of Electronic Charged States of Si-based Quantum Dots for Floating Gate Application,” 2nd International Workshop in New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (SiGe(C)2006), (Sendai, Japan,  Oct. 2-3, 2006), I-10, pp. 49-50.
  9. A. Ohta, A. Ohta, H. Yoshinaga, H. Murakami, D. Azuma, Y. Munetaka, S. Higashi, S. Miyazaki, T. Aoyama, K. Kosaka and K. Shibahara, “Evaluation of Chemical Structures and Work Function of NiSi near the Interface between Nickel Silicide and SiO2,” Ext. Abst. 2006 International Conference of Solid State of Device and Materials (Yokohama, Japan, Sept. 13-15, 2006) pp. 216-217 [J-2-1].
  10. K. Makihara, Y. Kawaguchi, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki, “Characterization of Electronic Charged States of Impurity Doped Si Quantum Dots Using AFM/Kelvin Probe Technique,” International Union Material Research Society - International Conference in Asia  (IUMRS-ICA-2006), (Jeju, Korea, Sep. 10-14, 2006), 5-O-7, p.82.
  11. K. MAKIHARA, Y. KAWAGUCHI, M. IKEDA, H. MURAKAMI,S. HIGASHI, S. MIYAZAKI, “Phosphorus Doping to Si Quantum Dots and Its Floating Gate Application,” 2006 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (Sendai, Japan, Jul. 3-5, 2006), 6A-5, pp.135-138.
  12. [Invited] S. Miyazaki, A. Ohta, Y. Pei, *S. Inumiya and *Y. Nara, “Influences of Nitrogen Incorporation on Electronic Structure and Electrical Properties of Ultrathin Hafnium Silicate,” The E-MRS 2006 Spring Meeting (France, Nice, May 29 to June 2, 2006), [L-4a].
  13. [Invited] S. Miyazaki, M. Ikeda and K. Makihara, “Characterization of Electronic Charged States of Si-Based Quantum Dots and Their Application to Floating Gate Memories,” 209th Electrochemical Society-Int. Symp. on Nanoscale Devices and Materials (Denver, U.S.A, May 7-12, 2006), p. 390.
  14. N. Umezawa, K. Shiraishi, H. Watanabe, K. Torii, Y. Akasaka, S. Inumiya, M. Boero, A. Uedono , S. Miyazaki, T. Ohno, T. Chikyow, K. Yamabe, Y. Nara and K. Yamada, “Extensive Studies for the Effect of Nitrogen Incorporation into Hf-based High-k Gate Dielectrics,”  209th Electrochemical Society-Int. Symp. on Nanoscale Devices and Materials (Denver, U.S.A, May 7-12, 2006), [382].
  15. K. Shiraishi, T. Nakayama, Y. Akasaka, S. Miyazaki, T. Nakaoka, K. Ohmori, P. Ahmet, K. Torii, H. Watanabe, T. Chikyow, Y. Nara, H. Iwai and K. Yamada, “New Theory of Effective Workfunctions at Metal/high-k Dielectric Interfaces -Application to Metal/high-k HfO2 and La2O3 Dielectric Interfaces,” 209th Electrochemical Society-Int. Symp. on Nanoscale Devices and Materials (Denver, U.S.A, May 7-12, 2006), [379].
  16. T. Okada, S. Higashi, N. Koba, H. Kaku, H. Murakami, S. Miyazaki, “Impact of He Addition on the Substrate Surface Temperature During Rapid Thermal Annealing Induced by Ar Thermal Plasma Jet Irradition,” Abst. 8th International Conference on Advanced Surface Engineering (Tokyo, Japan, Apr. 25-16, 2006), p. 73 [PB-21].
  17. K. Makihara, T. Nagai, M. Ikeda, Y. Kawaguchi, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki, “Charging and Discharging Characteristics of P-doped Si Quantum Dots Floating Gate,” The 2006 International Meeting for Future of Electron Devices (Kyoto, Japan, Apr. 24-26, 2006), pp. 67-68 [PB-2].
  18. 宗高 勇気、大田 晃生、津郷 晶也、中川 博、村上 秀樹、東 清一郎、宮崎 誠一、犬宮 誠治、奈良 安雄、“光電子収率分光法によるHfSiOxNyの欠陥準位密度評価”、 第54回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集  28a-ZH-13  (2007.3.27-30、青山学院大学).
  19. 三浦 真嗣、大田 晃生、村上 秀樹、東 清一郎、宮崎 誠一、鴻野 真之、西田 辰夫、中西 敏雄、“プラズマCVD SiNx薄膜の深さ方向化学組成および欠陥密度計測”、 第54回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集  30a-ZK-8  (2007.3.27-30、青山学院大学).
  20. 中川 博、大田 晃生、村上 秀樹、東 清一郎、宮崎 誠一、“HfO2/SiONx/Ge(100)スタック構造における熱的安定性評価”、第54回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 30p-ZH-7 (2007. 3.27-30、青山学院大学).
  21. 喜多 祐起、吉田 慎一、志村 考功、安武 潔、渡部 平司、白石 賢二、大田 晃生、宮崎 誠一、奈良 安雄、山田 啓作、“Hf系ゲート絶縁膜/電極界面の実効仕事関数変調機構の統一的理解”、第54回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 28p-ZH-12  (2007.3.27-30、青山学院大学).
  22. 坂田 務、牧原 克典、東 清一郎、宮崎 誠一、“ GeH4 VHF-ICPからの高結晶性Ge薄膜の低温高速堆積”、第54回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 27p-M-4, p.976 (2007.3.27-30、青山学院大学).
  23. 西原 良祐、牧原 克典、川口 恭裕、池田 弥央、村上 秀樹、東 清一郎、宮崎 誠一、“AFM/KFMによる孤立NiSiドットの帯電状態計測”、第54回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集28p-K-7, p.822 (2007.3.27-30、青山学院大学).
  24. 坂田 務、出木 秀典、牧原 克典、東 清一郎、宮崎 誠一、“GeH4 VHF-ICPからのGe結晶薄膜の低温・高速成長-基板依存性”、第54回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集27p-M-5, p.976 (2007.3.27-30、青山学院大学).
  25. 島ノ江 和広、牧原 克典、川口 恭裕、奥山 一樹、西原 良祐、池田 弥央、松本 龍児、東 清一郎、宮崎 誠一、“リモート水素プラズマ支援によるNiナノドット形成-ドット密度制御”、 第54回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 28p-K-8, p.823 (2007.3.27-30、青山学院大学).
  26. 川口 恭裕、牧原 克典、東 清一郎、宮崎 誠一、“不純物添加Si量子ドット/SiO2多重集積構造からの発光”、第54回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 28p-K-4, p.821 (2007.3.27-30、青山学院大学).
  27. 牧原 克典、池田 弥央、東 清一郎、宮崎 誠一、“不純物添加がGeコアSi量子ドットの帯電状態に及ぼす影響”、第54回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 28p-K-3, p.821 (2007.3.27-30、青山学院大学).
  28. 酒池 耕平、東 清一郎、岡田 竜弥、村上 秀樹、宮崎 誠一、“半導体レーザ光照射によるa-Ge:H膜のミリ秒時間相変化過程のその場観測”、第54回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 28p-SM-14 (2007.3.27-30、青山学院大学).
  29. 岡田 竜弥、東 清一郎、加久 博隆、寄本 拓也、村上 秀樹、宮崎 誠一、“熱プラズマジェット照射により超急速熱処理したSiOx薄膜のフォトルミネッセンス”、 第54回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 28p-SM-15 (2007.3.27-30、青山学院大学).
  30. 加久 博隆、東 清一郎、古川 弘和、岡田 竜弥、寄本 拓也、村上 秀樹、宮崎 誠一、“熱プラズマジェット照射超急速熱処理によるSi膜中ドーパントの活性化”、第54回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 29p-SM-4  (2007.3.27-30、青山学院大学).
  31. 寄本 拓也、東 清一郎、加久 博隆、岡田 竜弥、村上 秀樹、宮崎 誠一、松井 卓矢、増田 淳、近藤 道雄、“熱プラズマジェット結晶化Si膜の欠陥密度評価”、第54回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 30p-SM-1  (2007.3.27-30、青山学院大学).
  32. 松本 龍児、池田 弥央、東 清一郎、宮崎 誠一、“パルスゲート電圧印加によるSi量子ドットフローティングゲートへの多段階電子注入特性の評価”、第54回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 29p-ZQ-4 (2007.3.27-30、青山学院大学).
  33. 辛川 孝行、東 清一郎、村上 秀樹、宮崎 誠一、“水素プラズマ前処理による微結晶シリコン(μc-Si:H)成長初期過程の核発生制御”、第54回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 27p-M-6 (2007.3.27-30、青山学院大学).
  34. 大田 晃生、宮崎 誠一、赤坂 泰士、渡辺 平司、白石 賢司、山田 啓作、犬宮誠治、奈良 安雄、 “TiN/HfSiONゲートスタック構造の実効仕事関数評価と制御指針”、 第12回研究会極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性pp. 103-108, (2007.2.2-3、東レ総合研修センター).
  35. 宗高 勇気、大田 晃生、津郷 晶也、中川 博、村上 秀樹、東 清一郎、宮崎 誠一、犬宮 誠治、奈良 安雄、“光電子収率分光法によるN添加Hfシリケートの欠陥準位密度評価”、 第12回研究会極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性 [P-30], pp. 333-338. (2007.2.2-3、東レ総合研修センター).
  36. [招待講演] 宮崎 誠一、“硬X線光電子分公法による極薄Hf系酸化膜の化学結合状態および電子状態評価”、 シリコンナノエレクトロニクス研究と放射光、(兵庫県佐用郡, 2006年11月13日).
  37. [招待講演] 宮崎 誠一、“量子ドット形成とデバイス応用”、 薄膜材料デバイス研究会 第3回研究集会「薄膜デバイスの新展開, pp. 50-57(あすなら会議場, 奈良, 2006年11月10日~11日).
  38. [招待講演] 宮崎 誠一、 “メタルゲート/絶縁膜界面の化学構造分析と実効仕事関数評価”、 第67回応用物理学会学術講演会、(2006年8月29日~9月1日、立命館大学、びわこ・くさつキャンパス).
  39. 川口 恭裕、牧原 克典、池田 弥央、村上 秀樹、東 清一郎、宮崎 誠一、“Si量子ドット/SiO2多重集積構造の発光特性”、 第67回応用物理学会学術講演会 講演予稿集31Pp-ZN-18(2006年8月29日~9月1日、立命館大学、びわこ・くさつキャンパス).
  40. 牧原 克典、川口 恭裕、東 清一郎、宮崎 誠一、“AFM/ケルビンプローブによる不純物添加Si量子ドットの帯電評価”、第67回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 31Pp-ZN-16 (2006年8月29日~9月1日、立命館大学、びわこ・くさつキャンパス).
  41. 西原 良祐、牧原 克典、川口 恭裕、松本 龍児、池田 弥央、村上 秀樹、東 清一郎、宮崎 誠一、“AFM/KFMによるNiSiドットの帯電状態計測”、第67回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 31Pp-ZN-17(2006年8月29日~9月1日、立命館大学、びわこ・くさつキャンパス).
  42. 大田 晃生、中川 博、村上 秀樹、東 清一郎、宮崎 誠一、川原 孝昭、鳥居 和功、奈良 安雄、“HfSiOx/SiONスタック構造の光電子分光分析”、第67回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 30a-P5-1 (2006年8月29日~9月1日、立命館大学、びわこ・くさつキャンパス).
  43. 中川 博、大田 晃生、安部 浩透、宗高 勇気、村上 秀樹、東 清一郎、宮崎 誠一、“薄膜Si層のNH3熱窒化により形成したSiONx/Ge(100)構造における化学結合状態評価”、第67回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 31p-P12-2(2006年8月29日~9月1日、立命館大学、びわこ・くさつキャンパス).
  44. 酒池 耕平、東 清一郎、坂田 務、加久 博隆、村上 秀樹、宮崎 誠一、“半導体レーザによるa-Ge:H膜の急速熱処理”、第67回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 29a-ZQ-10(2006年8月29日~9月1日、立命館大学、びわこ・くさつキャンパス).
  45. 寄本 拓也、東 清一郎、加久 博隆、岡田 竜弥、村上 秀樹、宮崎 誠一、牧 正人、鮫島 俊之、“熱プラズマジェット結晶化微量ドープSi膜の電気特性評価”、第67回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 29p-ZQ-10(2006年8月29日~9月1日、立命館大学、びわこ・くさつキャンパス).
  46. 吉永 博路、大田 晃生、宗高 勇気、村上 秀樹、東 大介、東 清一郎、宮崎 誠一、青山 敬幸、保坂 公彦、芝原 健太郎、“Ni-Silicide/SiO2界面近傍の化学結合状態およびNi-Silicide層の実効仕事関数評価(II)”、第67回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 31a-ZQ-7(2006年8月29日~9月1日、立命館大学、びわこ・くさつキャンパス).
  47. 岡田 竜弥、東 清一郎、加久 博隆、寄本 拓也、村上 秀樹、宮崎 誠一、“熱プラズマジェットを用いたSiOx薄膜の急速熱処理によるSiナノ結晶成長”、第67回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 31p-ZQ-1(2006年8月29日~9月1日、立命館大学、びわこ・くさつキャンパス).
  48. 辛川 孝行、東 清一郎、村上 秀樹、宮崎 誠一、“VHF-ICPによる微結晶シリコン(μc-Si:H)堆積初期過程における結晶核形成”、第67回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 29a-X- 1(2006年8月29日~9月1日、立命館大学、びわこ・くさつキャンパス).
  49. 坂田 務、牧原克典、東 清一郎、宮崎 誠一、“GeH4VHF-ICPからの高結晶性Ge:H薄膜の形成”、第67回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 29p-X- 2(2006年8月29日~9月1日、立命館大学、びわこ・くさつキャンパス).
  50. [招待講演] 宮崎 誠一, CVD, 日本学術振興会 薄膜第131委員会 第23回 薄膜スクール, (大磯プリンスホテル, 2006年6月28日~30日).

2005年度

  1. [Invited] S. Miyazaki, “Self-assembling formation of Silicon-based quantum dots and control of their electric charged states for multi-valued memories,” Abs. 2006 RCIQE Int. Seminar for 21st Century COE Prog: Quantum Nanoelectronics for Meme-Media-Based Information Technologies (IV), (Hokkaido, Feb. 9-10, 2006), pp. 41-44.
  2. [Invited] M. Ikeda and S. Miyazaki, “Self-Assembling Formation of Si Quantum Dots and its Application to Floating Gate MOS Devices,” Japan-Korea Special Symp. on Evaluation and Outlook of Oxide Nonvolatile Memories, in The 16th Symp The Materials Research Society of Japan (Tokyo, Japan, Dec. 9-11, 2005), [G2-I03-G].
  3. [Invited] S. Higashi, “Rapid Thermal Annealing Technique Using Thermal Plasma Jet and its Application to Thin Film Transistor Fabrication,” Tech. Dig. 12th Int. Display Workshop / Asia Display 2005, (Takamatsu, Japan, Dec. 6-9, 2005), pp. 285-288.
  4. T. Sakata, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki, “Growth of Crystallized Ge Films from VHF Inductively-Coupled Plasma of H2-Diluted GeH4,” Proc. Int. Symp. Dry Process (Jeju, Korea, Nov. 28-30, 2005), pp. 233-234 [9-02].
  5. T. Okada, S. Higashi, H. Kaku, N. Koba, H. Murakami and S. Miyazaki, “Control of Substrate Surface Temperature in Millisecond Annealing Technique Using Thermal Plasma Jet,” Proc. Int. Symp. Dry Process (Jeju, Korea, Nov. 28-30, 2005), pp. 405-406.
  6. [Invited] S. Miyazaki, “Control of Discrete Charged States in Si-Based Quantum Dots and Its Application to Floating Gate Memories,” Abst. 4th Int. Symp. Surface Science and Nanotechnology (Omiya, Japan, Nov. 14-17, 2005), p. 540 [Th-A6(I)].
  7. A. Ohta, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki, “Photoemission Study of Ultrathin GeO2/Ge Heterostructures Formed by UV-O3 Oxidation,” Abst. 4th Int. Symp. Surface Science and Nanotechnology (Omiya, Japan, Saitama, Nov. 14-17, 2005), p. 543 [Th-A9].
  8. [Invited] S. Miyazaki "Self-Assembling Formation of Si-based Quantum Dots and Control of Their Electric Charged States for Multi-valued Memories," SPIE Conference on Nanofabrication: Technologies, Devices, and Applications II (SA111) at Optics East (Boston, USA. Oct. 23-26, 2005), [No. OE05-SA111-41].
  9. [Invited] S. Miyazaki "Electron charging and discharging characteristics of Si-based quantum dots floating gate," Abst. of The Second Int. Symp. on Point Defects and Nonstoichiometry (ISPN-2, Kaohsiung, Taiwan, Oct 3-5, 2005), p. 19 [Th-A1-1].
  10. S. Miyazaki, “Control of Charged States of Silicon Quantum Dots and Their Application to Floating Gate MOS Memories and Light Emitting Diodes,” Ext. Abst. 4th Hiroshima Int. Workshop on 21th Century COE, Nanoelectronics for Tera-bit Information Processing (Hiroshima, Japan, Sep. 16, 2005), pp. 92-93 [P-30].
  11. H. Murakami, F. Takeno, A. Ohta, S. Higashi, S. Miyazaki, K. Komeda, M. Horikawa and K. Koyama, “Impact of Rapid Thermal Annealing on ALCVD-Al2O3/Si3N4/Si(100) Stack Structures -Photoelectron Spectroscopy,” Ext. Abst. 4th Hiroshima Int. Workshop on 21th Century COE, Nanoelectronics for Tera-bit Information Processing (Hiroshima, Japan, Sep. 16, 2005), pp. 94-95 [P-31].
  12. S. Higashi, T. Okada, N. Fujii, N. Koba, H. Murakami and S. Miyazaki, “Formation of Si Nano-crystals by Millisecond Annealing of SiOX Films using Thermal Plasma Jet,” Ext. Abst. 4th Hiroshima Int. Workshop on 21th Century COE, Nanoelectronics for Tera-bit Information Processing (Hiroshima, Japan, Sep. 16, 2005), pp. 96-97 [P-32].
  13. K. Makihara, Y. Kawaguchi, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki, “Fabrication of Multiply-Stacked Structures Consinting of Si-QDs with Ultrathin SiO2 and Its Application of Light Emitting Diodes,” Ext. Abst. 4th Hiroshima Int. Workshop on 21th Century COE, Nanoelectronics for Tera-bit Information Processing (Hiroshima, Japan, Sep. 16, 2005), pp. 98-99 [P-33].
  14. K. Makihara, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki, “Characterization of Electronic Charged States of P-doped Si Quantum Dots Using AFM/Kelvin Probe,”   Ext. Abst. 4th Hiroshima Int. Workshop on 21th Century COE, Nanoelectronics for Tera-bit Information Processing (Hiroshima, Japan, Sep. 16, 2005), pp. 100-101 [P-34].
  15. Y. Pei, S. Nagamachi, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki, T. Kawahara, K. Torii and Y. Nara, “Characterization of Charge Trapping and Dielectric Breakdown of HfAlOX/SiON Dielectric Gate Stack,” Ext. Abst. 4th Hiroshima Int. Workshop on 21th Century COE, Nanoelectronics for Tera-bit Information Processing (Hiroshima, Japan, Sep. 16, 2005)) pp. 102-103 [P-35].
  16. H. Nakagawa, A. Ohta, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki, “Characterization of Chemical Bonding Features of NH3-Annealed Hafnium Oxides Formed on Si(100),”  Ext. Abst. 4th Hiroshima Int. Workshop on 21th Century COE, Nanoelectronics for Tera-bit Information Processing (Hiroshima, Japan, Sep. 16, 2005), pp. 104-105 [P-36].
  17. A. Ohta, H. Furukawa, H. Nakagawa, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki, “XPS Study of Ultrathin GeO2/Ge System,” Ext. Abst. of the 4th Hiroshima Int. Workshop on 21th Century COE, Nanoelectronics for Tera-bit Information Processing (Hiroshima, Japan, Sep. 16, 2005), pp. 106-107 [P-37].
  18. H. Kaku, S. Higashi, T. Okada, H. Murakami and S. Miyazaki, “Phase Transformation of Amorphous Si Films in Millisecond Time Domain Induced by Thermal Plasma Jet Irradiation,” Ext. Abst. 4th Hiroshima Int. Workshop on 21th Century COE, Nanoelectronics for Tera-bit Information Processing (Hiroshima, Japan, Sep. 16, 2005), pp. 108-109 [P-38].
  19. T. Nagai, M. Ikeda, Y. Shimizu, S. Higashi and S. Miyazaki, “Characterization of Multi Step Electron Chargeing to Silicon-Quantum-Dot Floating Gate by Applying Pulsed Gate Biases,”  Ext. Abst. 4th Hiroshima Int. Workshop on 21th Century COE, Nanoelectronics for Tera-bit Information Processing (Hiroshima, Japan, Sep. 16, 2005), pp. 110-111 [P-39].
  20. J. Nishitani, K. Makihara, M. Ikeda, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki, “Decay Characteristics of Electronic Charged States of Si Quantum Dots as Evaluated by an AFM/Kelvin Probe Technique,”  Ext. Abst. 4th Hiroshima Int. Workshop on 21th Century COE, Nanoelectronics for Tera-bit Information Processing (Hiroshima, Japan, Sep. 16, 2005), pp. 112-113 [P-40].
  21. T. Okada, S. Higashi, H. Kaku, N. Koba, H. Murakami and S. Miyazaki, “Analysis of Transient Temperature Profile During Thermal Plasma Jet Annealing of Si Films on Quartz Substrate,” Ext. Abst. 4th Hiroshima Int. Workshop on 21th Century COE, Nanoelectronics for Tera-bit Information Processing (Hiroshima, Japan, Sep. 16, 2005), pp. 114-115 [P-41].
  22. T. Nagai, M. Ikeda, Y. Shimizu, S. Higashi and S. Miyazaki, “Characterization of MaltiStep Electron Charging to Silicon-Quantum-Dot Floating Gate by Applying Pulsed Gate Biases,”  Ext. Abst. 2005 Int. Conf.on Solid State Devices and Materials (Kobe, Japan, Sep. 13-15, 2005), pp. 174-175 [G-2-6].
  23. S. Miyazaki and N. Kosku, “The Application of very High Frequency Inductively-coupled Plasma to High-Rate Growth of Microcrystalline Silicon Films,” 21st Int. Conf. on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors (Lisbon, Portugal, Sep. 4-9, 2005) [TP1.1].
  24. J. Nishitani, K. Makihara, Y. Darma, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyzaki, “Experimental Evidence of Coulombic Interaction among Stored Charges in Single Si Dot as Detected by AFM/Kelvin Probe Technique,” 2005 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2005), (Seoul, Korea, June 28-30, 2005), pp. 177-180 [A9.4].
  25. T. Okada, S. Higashi, H. Kaku, H. Murakami and S. Miyazaki, “Analysis of Transient Temperature Profile During Thermal Plasma Jet Annealing of Si Films on Quartz Substrate,” Dig. Tech. Papers of 2005 Int. Workshop on Active-Matrix Liquid-Crystal Displays (Kanazawa, Japan, July 6-8, 2005), pp. 171-174 [TFTp1-3].
  26. [Invited] S. Higashi, “Rapid Thermal Annealing of Thin Films in Millisecond Time Domain Using Thermal Plasma Jet,” Dig. Tech. Papers of Int. Workshop on Active-Matrix Liquid-Crystal Displays 2005, (Kanazawa, Japan, July 6-8, 2005), pp. 75-78.
  27. K. Makihara, Y. Kawaguchi, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki,” The Application of Maltiple-Stacked Si Quantum Dots to Light Emitting Diodes,” 2005 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2005), (Seoul, Korea, June 28-30, 2005), pp. 173-176. [A9.3].
  28. H. Nakagawa, F. Takeno, A. Ohta, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki, “Characterization of Chemical Bonding Features of NH3-Annealed Hafnium Oxides Formed on Si(100),” 8th Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-8), (Stockholm, June 19-23, 2005), p. 102 .
  29. J. Xu, K. Makihara, H. Deki, Y. Kawaguchi, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki, “Light Emitting Diode with MOS Structures Containing Multiple-Stacked Si Quantum Dots,” 2005 China Int. conf. on Nanoscience & Technology (Beijing, China, Jun. 9-12, 2005), p. 126.
  30. [Invited] S. Miyazaki, “Control of Charged States of Silicon-Based Quantum Dots and Its Application to Floating Gate MOS Memories,” Abst. First Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (Sendai, May 27-28, 2005) Session V-2, pp. 39-40.
  31. K. Makihara, J. Xu, H. Deki, Y. Kawaguchi, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki,  “Fabrication of Multiply-Stacked Structures Consisting of Si-QDs with Ultrathin SiO2 and Its Application of Light Emitting Diodes,” Abst. First Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (Sendai, May 27-28, 2006), pp. 47-48 [P-13].
  32. A. Yamashita, Y. Okamoto, S. Higashi, S. Miyazaki, H. Watakabe and T. Sameshima, “In-Situ Observation of Rapid Crystalline Growth Induced by Excimer Laser Irradiation to Ge/Si Stacked Structure,” Abst. Fourth Int. conf. Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-4), (Awaji Island, Hyogo, Japan, May 23-26, 2005), pp. 44-45 [24F-2].
  33. J. Nishitani, K. Makihara, M. Ikeda, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyzaki, “Decay Characteristics of Electronic Charged States of Si Quantum Dots as Evaluated by an AFM/Kelvin Probe Technique,” Abst. Fourth Int. conf. Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-4), (Awaji Island, Hyogo, Japan, May 23-26, 2005), pp. 294-295 [25P2-32].
  34. K. Makihara, J. Xu, M. Ikeda, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki, “Characterization of Electronic Charged States of P-doped Si Quantum Dots Using AFM/Kelvin Probe,” Abst.  Fourth Int. conf. Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-4), (Awaji Island, Hyogo, Japan, May 23-26, 2005), pp. 32-33 [23D-6].
  35. H. Kaku, S. Higashi, T. Okada, H. Murakami, S. Miyazaki, H. Watakabe, N. Andoh and T. Sameshima, “Fabrication of Polycrystalline Si Thin Film Transistor using Plasma Jet Crystallization Technique,” 2005 Int. Meeting for Future of Electron Devices (IMFEDK2005), (Kyoto, April 11-13, 2005), pp. 91-92 [P-D4].
  36. K. Makihara, J. Xu, H.Deki, Y. Kawaguchi, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki, “Light Emitting Devices from Multilayered Si Quantum Dots Structures,” Abst. 2005 Int. Meeting for Future of Electron Devices (Kyoto, April 11-13, 2005), pp. 93-94 [P-D5].
  37. [Invited] S. Miyazaki "High Rate Growth of Crystalline Si and Ge Films from Inductively-Coupled Plasma," SREN 2005 Int. conf. on Solar Renewable Energy News, Low Energy Buildings, Research of Historical Artifacts (Florence, Italy, April 2-8, 2005), Section 1-1.
  38. 辛川孝行、東 清一郎、村上秀樹、宮崎誠一、“VHF-ICPによる微結晶シリコン(μc-Si:H)膜堆積初期過程における核発生評価”、第53回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 22a-P-2 (2006年3月22日~26日、武蔵工業大学 世田谷キャンパス).
  39. 坂田 務、牧原克典、東 清一郎、宮崎誠一、“H2希釈GeH4ガスVHF-ICPからの高結晶性Ge:H薄膜の形成”、第53回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 22a-P-9(2006年3月22日~26日、武蔵工業大学 世田谷キャンパス).
  40. 加久博隆、東 清一郎、岡田竜弥、村上秀樹、宮崎誠一、“He添加Ar熱プラズマジェット熱処理による基板温度特性評価”、第53回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 22a-W-3(2006年3月22日~26日、武蔵工業大学 世田谷キャンパス).
  41. 木庭直浩、東 清一郎、岡田竜弥、加久博隆、村上秀樹、宮崎誠一、“He添加Ar熱プラズマジェット熱処理による基板温度特性評価”、第53回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 22a-W-2 (2006年3月22日~26日、武蔵工業大学 世田谷キャンパス).
  42. 岡田竜弥、東 清一郎、加久博隆、木庭直浩、村上秀樹、宮崎誠一、“熱プラズマジェットを用いた急速熱処理によるSiOx薄膜からのSiナノ結晶成長制御”、第53回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 24p-W-5(2006年3月22日~26日、武蔵工業大学 世田谷キャンパス).
  43. 宗高勇気、竹野文人、大田晃生、村上秀樹、東 清一郎、宮崎誠一、門島 勝、生田目俊秀、“極薄HfO2/Si(100)上に形成したPtSi層の光電子分光分析”、第53回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 22a-V-5(2006年3月22日~26日、武蔵工業大学 世田谷キャンパス).
  44. 西谷純一郎、牧原克典、川口恭裕、池田弥央、東 清一郎、宮崎誠一、“AFM/KFMによるSi量子ドット/SiO2多重集積構造の帯電電荷分布計測”、第53回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 22p-V-7(2006年3月22日~26日、武蔵工業大学 世田谷キャンパス).
  45. 多比良昌弘、古川寛章、大田晃生、中川 博、村上秀樹、宮崎誠一、米田賢司、堀川貢弘、小山邦明、三宅秀治、“光電子分光分析によるAl2O3/SiNx/poly-Siスタック構造における界面反応評価”、第53回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 23p-V-10(2006年3月22日~26日、武蔵工業大学 世田谷キャンパス).
  46. 中川 博、大田晃生、多比良昌弘、安部浩之、村上秀樹、東 清一郎、宮崎誠一、“HfO2/Ge(100)構造における光電子分光分析”、第53回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 23p-V-16 (2006年3月22日~26日、武蔵工業大学 世田谷キャンパス).
  47. 大田晃生、中川 博、村上秀樹、東 清一郎、宮崎誠一、犬宮誠治、奈良安雄、“HfSiOxNy薄膜の光電子分光分析-化学組成および欠陥密度の深さ方向分析”、第53回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 25p-V-11(2006年3月22日~26日、武蔵工業大学 世田谷キャンパス).
  48. 東 大介、村上秀樹、大田晃生、宗高勇気、吉永博路、東 清一郎、宮崎誠一、青山敬幸、芝原健太郎、“NiSi/SiO2界面近傍での化学結合状態およびNiSi層の仕事関数評価”、第53回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 24p-W-14(2006年3月22日~26日、武蔵工業大学 世田谷キャンパス).
  49. 牧原克典、永井武志、池田弥央、川口恭裕、村上秀樹、東 清一郎、宮崎誠一、“価電子制御したSi量子ドットフローティングゲートにおける電荷注入・放出特性”、第53回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 24p-X-12(2006年3月22日~26日、武蔵工業大学 世田谷キャンパス).
  50. 酒池耕平、東 清一郎、加久博隆、岡田竜弥、村上秀樹、宮崎誠一、“半導体レーザによる微結晶Si膜の急速熱処理”、第53回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 23a-Y-10(2006年3月22日~26日、武蔵工業大学 世田谷キャンパス).
  51. 永井武志、池田弥央、清水雄介、東 清一郎、宮崎誠一、“Si量子ドットフローティングゲートMOSメモリにおける多段階電子放出特性”、第53回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 24p-X-13(2006年3月22日~26日、武蔵工業大学 世田谷キャンパス).
  52. 裴 艶麗、村上秀樹、東 清一郎、宮崎誠一、犬宮誠治、奈良安雄、“Influences of Nitrogen Incorporation on TDDB Characteristics of HfSiOx Capacitors with Metal Gate”、第53回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 25p-V-20(2006年3月22日~26日、武蔵工業大学 世田谷キャンパス).
  53. [招待講演] 宮崎 誠一, ULSI薄膜プロセスの基礎物理, 半導体界面制御技術第154委員会, 東京, 2005年11月10日, pp. 13-25, 2.
  54. [招待講演] 宮崎 誠一, "ゲート絶縁膜およびMOS界面の化学構造および電子状態分析," 第34回薄膜・表面物理基礎講座(JSAP No.AP052348),(東京、2005年11月10日-11日), (2005), pp. 25-34.
  55. 坂田 務、牧原克典、東 清一郎、宮崎誠一、“GeH4VHF-ICPからの高結晶性Ge:H薄膜の高速堆積”、第66回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 11a-M-10(2005年9月7日~11日、徳島大学).
  56. 牧原克典、川口恭祐、東 清一郎、宮崎誠一、“AFM/ケルビンプローブによるBドープSi量子ドットの帯電状態評価”、第66回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 7p-P3-2(2005年9月7日~11日、徳島大学).
  57. 西谷純一郎、牧原克典、池田弥央、東 清一郎、宮崎誠一、“AFM/ケルビンプローブによる孤立Siドットの電荷保持特性評価”、第66回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 7p-P3-3(2005年9月7日~11日、徳島大学).
  58. 持留雅志、西谷純一郎、牧原克典、多比良昌弘、池田弥央、東 清一郎、宮崎誠一、“AFM/ケルビンプローブによるNiSiドットの帯電状態評価”、第66回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 7p-P3-4(2005年9月7日~11日、徳島大学).
  59. 大田晃生、古川寛章、中川 博、村上秀樹、東 清一朗、宮崎誠一、“極薄GeO42/Ge構造のX線光電子分光分析”、第66回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 8p-ZK-17(2005年9月7日~11日、徳島大学).
  60. 中川 博、大田晃生、多比良昌弘、安部浩透、村上秀樹、東 清一郎、宮崎誠一、“Ge(100)表面の真空紫外光誘起NH3窒化”、第66回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 8p-ZK-18(2005年9月7日~11日、徳島大学).
  61. 大田晃生、中川 博、村上秀樹、東 清一郎、宮崎誠一、犬宮誠治、奈良安雄、“HfSiOxN/Si(100)系の光電子分光分析”、第66回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 10a-ZK-8(2005年9月7日~11日、徳島大学).
  62. 岡田竜弥、東 清一郎、加久博隆、木庭直浩、村上秀樹、宮崎誠一、“熱プラズマジェット照射短時間熱処理における基板表面温度制御”、第66回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 9a-A-9(2005年9月7日~11日、徳島大学).
  63. 加久博隆、東 清一郎、岡田竜弥、村上秀樹、宮崎誠一、“熱プラズマジェット照射によるミリ秒領域でのSi薄膜結晶化過程の解析”、第66回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 9a-A-10(2005年9月7日~11日、徳島大学).
  64. 永井武志、池田弥央、清水雄介、東 清一郎、宮崎誠一、“パルスゲート電圧印加によるSi量子ドットフローティングゲートMOSメモリの多段階電子”、第66回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 10p-ZN-8(2005年9月7日~11日、徳島大学).
  65. 裴 艶麗、村上秀樹、東 清一郎、宮崎誠一、川原孝昭、鳥居和功、奈良安雄、“メタル/HfAlOx/SiON ゲートスタックキャパシタにおける経時絶縁破壊の評価”、第66回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 10p-ZK-4(2005年9月7日~11日、徳島大学).
  66. 東 清一郎、藤井直人、岡田竜弥、木庭直浩、村上秀樹、宮崎誠一、“SiOx薄膜のミリ秒高温熱処理によるSiナノ結晶作製”、第66回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 10p-ZN-4(2005年9月7日~11日、徳島大学).
  67. [招待講演] 宮崎誠一, CVD, 日本学術振興会 薄膜第131委員会 第22回 薄膜スクール, なにわ一水, 松江市, 2005年7月13日~15日.
  68. [招待講演] 宮崎 誠一, シリコン量子ドットの荷電状態制御とフローティングゲートMOSデバイスへの応用, 未踏・ナノデバイステクノロジー第151委員会 第72回研究会, 東京, 2005年5月13日, pp. 23-32.

2004年度

  1. K. Makihara, Y. Kawaguchi, M. Ikeda, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki, “Fabrication of Multiple-Stacked Si Quantum Dots and Its Application to Light Emitting Diodes,” The 4th International Symposium on Nanotechnology (Tokyo, Japan, Feb, 2005), pp. 168-169 [P-3-19].
  2. H. Nakagawa, Fumito Takeno, A. Ohta, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki, “Characterization of Chemical Bonding Features of NH3-Annealed Hafnium Oxides Formed on Si(100),”  Ext. Abst. of the 10th Workshop on Gate Stack Technology and Physics(Mishima, Japan, January 28-29, 2005) pp. 285-290.
  3. S. Miyazaki, “Characterization of Charged States of Silicon-Based Quantum Dots and Its Application to Floating Gate MOS Memories,” Ext. Abst. of the 3rd Hiroshima Int. Workshop on 21th Century COE, Nanoelectronics for Tera-bit Information Processing (Hiroshima ,Japan, Dec. 6, 2004), pp. 82-83 [P-31].
  4. H. Murakami, Y. Moriwaki, M. Fujitake, D. Azuma, S. Higashi and S. Miyazaki, “Characterization of Atom Diffusion in Polycrystalline Si/SiGe/Si Stacked Gate,” Ext. Abst. of the 3rd Hiroshima Int. Workshop on 21th Century COE, Nanoelectronics for Tera-bit Information Processing (Hiroshima, Japan, Dec. 6, 2004), pp. 84-85 [P-32].
  5. S. Higashi, H. Kaku, T. Okada, H. Taniguchi, H. Murakami and S. Miyazaki, “Crystallization of Amorphous Si Films on Glass Substrate Using Plasma Jet and Its Application to Thin Film Transistor Fabrication,” Ext. Abst. of the 3rd Hiroshima Int. Workshop on 21th Century COE, Nanoelectronics for Tera-bit Information Processing (Hiroshima, Japan, Dec. 6, 2004), pp. 86-87 [P-33].
  6. Y. Darma and S. Miyazaki, “Local Electronic Transport through Si Dot with Ge Core as Detected by AFM Conductive Probe,” Ext. Abst. of the 3rd Hiroshima Int. Workshop on 21th Century COE, Nanoelectronics for Tera-bit Information Processing (Hiroshima, Japan, Dec. 6, 2004), pp. 88-89 [P-34].
  7. K. Makihara, H. Nakagawa, M. Ikeda, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki, “Fabrication of Multiply-Stacked Structures of Si Quantum-Dots Embedded in SiO2 by Combination of Low-Pressure CVD with Remote Plasma Treatments,” Ext. Abst. of the 3rd Hiroshima Int. Workshop on 21th Century COE, Nanoelectronics for Tera-bit Information Processing (Hiroshima, Japan, Dec. 6, 2004), pp. 90-91 [P-35].
  8. N. Kosku and S. Miyazaki, “High-Rate Growth of Highly-Crystallized Si Films form VHF Inductively-Coupled Plasma CVD,” Ext. Abst. of the 3rd Hiroshima Int. Workshop on 21th Century COE, Nanoelectronics for Tera-bit Information Processing (Hiroshima, Japan, Dec. 6, 2004), pp. 92-93 [P-36].
  9. Y. Pei, S. Nagamachi, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki, T. Kawahara and K. Torii, “Electrical Characterization of HfAlOX/SiON Dielectric Gate Capacitors,”  Ext. Abst. of the 3rd Hiroshima Int. Workshop on 21th Century COE, Nanoelectronics for Tera-bit Information Processing (Hiroshima, Japan, Dec. 6, 2004), pp. 94-95 [P-37].
  10. H. Nakagawa, A. Ohta, F. Takeno, S. Nagamachi, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki, “Characterization of Interfacial Oxide Layers in Heterostructures of Hafnium Oxides Formed on NH3-nitrided Si(100),”  Ext. Abst. of the 3rd Hiroshima Int. Workshop on 21th Century COE, Nanoelectronics for Tera-bit Information Processing (Hiroshima, Japan, Dec. 6, 2004), pp. 96-97 [P-38].
  11. T. Shibaguchi, M. Ikeda, H. Murakami and S. Miyazaki, “Charging and Discharging Characterization of Stacked Floating Gates of Silicon Quantum Dots,” Ext. Abst. of the 3rd Hiroshima Int. Workshop on 21th Century COE, Nanoelectronics for Tera-bit Information Processing (Hiroshima, Japan, Dec. 6, 2004), pp. 98-99 [P-39].
  12. T. Nagai, M. Ikeda, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki, “Photo-Induced Electron Charging to Silicon-Quantum-Dot Floating Gate in Metal-Oxide-Semiconductor Memories,” Ext. Abst. of the 3rd Hiroshima Int. Workshop on 21th Century COE, Nanoelectronics for Tera-bit Information Processing (Hiroshima, Japan, Dec. 6, 2004), pp. 100-101 [P-40].
  13. S. Miyazaki, T. Shibaguchi and M. Ikeda, “Characterization of Electronic Charged States of Silicon Nanocrystals as a Floating Gate in MOS Structures,” Abst. 2004 MRS Fall Meeting (Boston, U.S.A., Nov. 29-Dec. 3, 2004) [D5.8].
  14. N. Kosku and S. Miyazaki, “High-Rate Growth of Highly-Crystallized Si Films from VHF Inductively-Coupled Plazma CVD,” Proc. 4th Int. Symp. Dry Process (Tokyo, Nov. 30-Dec.1, 2004), pp. 145-150 [P-25].
  15. N. Kosku, S. Higashi and S. Miyazaki, “High-Rate Growth of Highly-Crystallized Si Films from VHF Inductively-Coupled Plazma CVD, Abst. Int. Union of Materials Research Societies-Int. Conf. in Asia-(Hsinchu, Taiwan, Nov. 16-18, 2004), p.176 [E-O-08].
  16. [Invited] S. Miyazaki, “Characterization of Charged States of Silicon-based Quantum Dots and Its Application to Floating Gate MOS Memories,” Abst. Int. Union of Materials Research Societies-Int. conf. in Asia-(Hsinchu, Taiwan, Nov. 16-18, 2004), p. 208 [F-I-08].
  17. S. Miyazaki, “Characterization of Charged States of Silicon-based Quantum Dots and Its Application to Floating Gate MOS Memories,” Int. Union of Materials Research Societies-Int. conf. in Asia-(Hsinchu, Taiwan, Nov. 16-18, 2004),  p. F231.
  18. K. Makihara, H. Nakagawa, M. Ikeda, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki, “Fabrication of Multiply-Stacked Structures of Si Quantum-Dots Embedded in SiO2 by Combination of Low-Pressure CVD and Remote Plasma Treatments,” Dig.  Papers 2003 Int. Microprocesses and Nanotechnol. Conf. (Tokyo, Japan, October 27-29, 2004), pp. 216-217 [28P-6-68L].
  19. N. Kosku and S. Miyazaki, “Insights into High-Rate Growth of Highly-Crystallized Silicon Films from Inductively-Coupled Plasma of H2-diluted SiH4-Comparison between RF- and VHF-ICP,” The 3rd Asian conf. on Chemical Vapor Deposition (Taipei, Taiwan, Nov. 12-14, 2004) p. 52 [A21].
  20. S. Miyazaki, T. Shibaguchi and M. Ikeda, “Characterization of Charged States of Si Quantum Dots Floating Gate in MOS Structures,” Abst. Electrochemical Society-Int. Symp. Nanoscale Devices and Materials (Hawai, Oct. 3-8, 2004) [No. 1013].
  21. K. Torii, T. Kawahara, R. Mitsuhashi, H. Ohji, A. Mutoh, S. Miyazaki, H. Kitajima and T. Arikado, “Time-dependent dielectric breakdown of HfAlOx/SiON gate dielectric, "  Proc. of 34th European Solid-State Devices Research Conf. (Leuven, Belgium, Sep. 21-23, 2004), p. 96.
  22. [Invited] S. Miyazaki, “Electrical Charging Characteristics of Silicon Dots Floating Gates in MOS Devices,” Proc. of 7th China-Japan Symp. on Thin Films (Chengdu Sichuan, China, September 20-22,2004),3, pp. 7-10.
  23. M. Sugimura, A. Ohta, H. Nakagawa, T. Shibaguchi, S. Higashi and S. Miyazaki, “Evaluation of Electronic Defect States at Poly-Si/HfO2 interface by Photoelectron Yield Spectroscopy,”  Ext. Abst. 2004 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (Tokyo, Japan, September 15-17, 2004), pp. 792-793 [C-9-4].
  24. T. Nagai, M. Ikeda, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki, “Photo-Induced Electron Charging to Silicon-Quantum-Dot Floating Gate in Metal-Oxide-Semiconductor Memories,” Ext. Abst. 2004 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (Tokyo, Japan, September 15-17, 2004), pp. 126-127 [H-2-4].
  25. S. Higashi, H. Kaku, H. Taniguchi, H. Murakami and S. Miyazaki, “Crystallization of Si Films on Glass Substrate Using Thermal Plasma Jet,” Int. Conf. Polycrystalline Semiconductors 2004 (Potsdam, Germany, September 5-10, 2004)
  26. S. Higashi, H. Kaku, H. Murakami, S. Miyazaki, M. Asami, H. Watakabe, N. Ando and T. Sameshima, “Crystallization of Si Thin Film Using Thermal Plasma Jet and Its Application to Thin-Film Transistor Fabrication,” Proc. Int. Workshop on Active-Matrix Liquid-Crystal Displays 2004, (Tokyo, Japan, August 25-27, 2004) pp. 179-180.
  27. H. Murakami, Y. Moriwaki, M. Fujitake, D. Azuma, S. Higashi and S. Miyazaki, “Characterization of Atom Diffusion in Polycrystalline Si/SiGe/Si Stacked Gate,” Ext. Abst. 2004 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Application of Advanced Semiconductor Devices (Nagasaki, Japan, June 30-July 2, 2004), pp. 189-193 [B6.3].
  28. K. Makihara, Y. Okamoto, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki, “Characterization of Germanium Nanocrystallites Grown on SiO2 by a Conductive AFM Probe Technique,” Ext. Abst. 2004 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Application of Advanced Semiconductor Devices (Nagasaki, Japan, June 30-July 2, 2004), pp. 277-280 [A10.5].
  29. T. Shibaguchi, M. Ikeda, H. Murakami and S. Miyazaki, “Charging and Discharging Characteristics of Stacked Floating Gates of Silicon Quantum Dots,” Ext. Abst. 2004 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Application of Advanced Semiconductor Devices (Nagasaki, Japan, June 30-July 2, 2004), pp. 273-276 [A10.4].
  30. H. Kaku, S. Higashi, H. Taniguchi, H. Murakami and S. Miyazaki, “A new crystallization technique of Si flms on glass substrate using thermal plasma jet,” Abst. 12th Int. conf. on Solid Films and Surfaces (Hamamatsu, Japan, June 21-25, 2004) p. 7 [A1-4].
  31. K. Makihara, H. Deki, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki, “Control of the Nucleation Density of Si Quantum Dots by Remote Hydrogen Plasma Treatment,” Abst. 12th Int. conf. on Solid Films and Surfaces (Hamamatsu, Japan, June 21-25, 2004), p. 137 [A5-2].
  32. N. Kosku, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki, “Influence of Substrate DC Bias on Crystallinity of Si Films Grown at a High Rate from Inductively-Coupled Plasma CVD,” Abst. 12th Int. conf. on Solid Films and Surfaces (Hamamatsu, Japan, June 21-25, 2004), p. 202 [P2-26].
  33. Y. Okamoto, K. Makihara, S.Higashi and S.Miyazaki, “Formation of Microcrystalline Germanium(μc-Ge:H) Films from Inductively-Coupled Plasma CVD,” Abst. 12th Int. conf. on Solid Films and Surfaces (Hamamatsu, Japan, June 21-25, 2004) p. 10 [A2-3].
  34. K. Torii, T. Aoyama, S. Kamiyama, T. Tamura, S. Miyazaki, H. Kitajima and T. Arikado,” Dielectric Breakdown Mechanism of HfSiON/SiO2 Gate Dielectric,” Dig. Papers 2004 Symp. VLSI Technol. (Honolulu, U.S.A. June 15-17, 2004), pp. 112-113 [11.4].
  35. A. Ohta, S. Miyazaki, H. Murakami, T. Kawahara and K. Torii, “Impact of Rapid Thermal O2-Anneal on Dielectric Stack Structures of Hafnium Aluminate and Silicon Dioxide Formed on Si(100),”  Ext. Abst. 2004 Int. Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ULSI DEVICES: SCIENCE AND TECHNOLOGY (Tokyo, May 26-28, 2004), pp. 97-98.
  36. H. Nakagawa, A. Ohta, F. Takeno, S. Nagamachi, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki, “Characterization of Interfacial Oxide Layers in Heterostructures of Hafnium Oxides Formed on NH3-nitrided Si(100),”  Ext. Abst. 2004 Int. Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ULSI DEVICES: SCIENCE AND TECHNOLOGY (Tokyo, Japan, May 26-28, 2004), pp. 35-36.
  37. [Invited] S. Miyazaki "Charging/Discharging Characteristics of Silicon Quantum Dots and Their Application to Memory Devices,” Abst. of The 2004 Joint conf. of The 7th Int. conf. on Advanced Surface Enginnering (ASE2004) and The 2nd Int. Conf. on Surface and Interface Science and Engineering (SISE 2004) FSISE 2004(Guangzhou, China, May 14-16, 2004), No. 270, p. 138
  38. K. Torii, H. Ohji, T. Kawahara, R. Mitsuhashi, A. Horiuchi and S. Miyazaki, “Dielectric Breakdown Characteristics of HfAlOx/SiON gate stack,” Abst. 2004 MRS Spring Meeting (San Francisco, U.S.A., April. 12-16, 2004) [D2.7].
  39. [招待講演]宮崎 誠一, Si系量子ドットの荷電状態制御とフローティングゲートMOSデバイスへの応用, 第52回応用物理学関係連合講演会, シンポジウム 30p-S-4.「シリコンナノエレクトロニクスの新展開-ポストスケーリングテクノロジー-」,( 2005年3月29日~4月1日, 埼玉大学).
  40. 西谷純一郎、牧原克典、池田弥央、東 清一郎、宮崎誠一、“AFM/ケルビンプローブによるSi量子ドットの電荷保持特性評価”、第52回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 30p-ZC-9 ( 2005年3月29日~4月1日, 埼玉大学).
  41. 牧原克典、徐  駿、川口恭裕、東 清一郎、宮崎誠一、“AFM/ケルビンプローブによるPドープSi量子ドットの帯電状態評価”、第52回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 30p-ZC-10 ( 2005年3月29日~4月1日, 埼玉大学).
  42. Darma Yudi、宮崎誠一、“Characterization of Electronic Charged States of Nanometer Silicon Dot Using AFM/Kelvin Probe Technique”、第52回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 30p-ZC-11 ( 2005年3月29日~4月1日, 埼玉大学).
  43. 大田晃生、古川寛章、中川 博、村上秀樹、東 清一郎、宮崎誠一、“UV-O3酸化したSi(100)表面の欠陥密度評価-光電子収率分光”、第52回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 29p-ZC-12 ( 2005年3月29日~4月1日, 埼玉大学).
  44. 竹野文人、大田晃生、中川 博、宮崎誠一、米田賢司、堀川貢弘、小山邦明、“光電子収率分光によるAl2O3/Si3N4/Si(100)スタック構造の欠陥準位密度評価”、第52回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 29p-ZB-15 ( 2005年3月29日~4月1日, 埼玉大学).
  45. 中川 博、竹野文人、大田晃生、村上秀樹、東 清一郎、宮崎誠一、“低温NH3処理によるHfO2/Si(100)構造への窒素導入と化学結合状態評価”、第52回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 30p-ZB-12 ( 2005年3月29日~4月1日, 埼玉大学).
  46. 長町 学、大田晃生、竹野文人、中川 博、村上秀樹、宮崎誠一、川原孝昭、鳥居和功、“Al/HfAlOx/SiONx/Si(100)MOSキャパシタのリーク電流解析”、第52回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 31p-ZB-5 ( 2005年3月29日~4月1日, 埼玉大学).
  47. 裴 艶麗、村上秀樹、東 清一郎、宮崎誠一、川原孝昭、鳥居和功、“Al/HfAlOx/SiON ゲートスタックの信頼性”、第52回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 31p-ZB-9 ( 2005年3月29日~4月1日, 埼玉大学).
  48. 山下亜希子、岡本祥裕、東 清一郎、宮崎誠一、渡壁 創、鮫島俊之、“Ge/Si積層構造のエキシマレーザー誘起結晶成長過程のその場観測”、第52回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 29a-R-2 ( 2005年3月29日~4月1日, 埼玉大学).
  49. 加久博隆、東 清一郎、岡田竜弥、村上秀樹、宮崎誠一、“熱プラズマジェット照射による極薄Si膜の結晶化”、第52回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 29a-R-9( 2005年3月29日~4月1日, 埼玉大学).
  50. 徐  駿、牧原克典、出木秀典、川口恭弘、村上秀樹、東 清一郎、宮崎誠一、Electronically-driven Light Emitting Diode Based on Si Quantum Dots Multilayers第52回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 30p-ZC- 12 ( 2005年3月29日~4月1日, 埼玉大学).
  51. Nihan Kosku、宮崎誠一、“High-Rate Growth of Highly-Crystallized Si Films from VHF Inductively-Coupled Plasma CVD”、第52回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 29p-E-12 ( 2005年3月29日~4月1日, 埼玉大学).
  52. 岡田竜弥、加久博隆、村上秀樹、東 清一郎、宮崎誠一、“熱プラズマジェットによる短時間熱処理過程の温度解析”、第52回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 30a-N- 7 ( 2005年3月29日~4月1日, 埼玉大学).
  53. 岡本祥裕、東 清一郎、宮崎誠一、“H2希釈GeH4ガスICPからの高結晶性Ge薄膜の高速堆積 ー 二段階成長法”、第65回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 1p-ZB-13(2004年9月1日~9月4日、東北学院大学 泉キャンパス).
  54. 岡本祥裕、牧原克典、東 清一郎、宮崎誠一、“ICPプラズマによる微結晶Ge:H膜成長制御  ― アモルファスインキュベーション層の堆積速度依存性”、第65回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 1p-ZB-12 (2004年9月1日~9月4日、東北学院大学 泉キャンパス).
  55. 牧原克典、中川 博、池田弥央、東 清一郎、宮崎誠一、“ドライ一貫プロセスによる高密度Siドット/SiO2立体集積構造の作成”、第65回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 1p-ZC-10 (2004年9月1日~9月4日、東北学院大学 泉キャンパス).
  56. 牧原克典、出木秀典、池田弥央、東 清一郎、宮崎誠一、“リモート水素及び酸素プラズマ前処理によるSiドット核密度制御”、第65回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 3a-B-3(2004年9月1日~9月4日、東北学院大学 泉キャンパス).
  57. 杉村将士、大田晃生、中川 博、柴口 拓、村上秀樹、東 清一郎、宮崎誠一、“光電子収率分光法によるpoly-Si/HfO2界面の欠陥密度評価”、第65回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 1p-C-3 (2004年9月1日~9月4日、東北学院大学 泉キャンパス).
  58. 大田晃生、竹野文人、中川 博、村上秀樹、東 清一朗、川原孝昭、鳥居和功、宮崎誠一、“光電子収率分光法によるHfAlOx/Si(100)系スタック構造における欠陥密度評価”、第65回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 2a-C-4 (2004年9月1日~9月4日、東北学院大学 泉キャンパス).
  59. 山下亜希子、徳永達也、岡本祥裕、東 清一郎、宮崎誠一、“Si基板上Ge薄膜のエキシマレーザー誘起結晶成長”、第65回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 3p-C-5(2004年9月1日~9月4日、東北学院大学 泉キャンパス).
  60. 加久博隆、東 清一郎、谷口 弘、村上秀樹、宮崎誠一、“熱プラズマジェット照射によるSi薄膜結晶化過程の実時間観測”、第65回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 3a-P9-20(2004年9月1日~9月4日、東北学院大学 泉キャンパス).
  61. 藤竹正仁、森脇嘉一、岡本祥裕、東 大介、村上秀樹、東 清一郎、宮崎誠一、“多結晶SiGeゲートスタック構造におけるGe及び不純物原子の熱拡散評価”、第65回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 3p-P10-9(2004年9月1日~9月4日、東北学院大学 泉キャンパス).
  62. 柴口 拓、池田弥央、東 清一郎、宮崎誠一、“光照射下におけるSi量子ドットフローティングゲートMOSキャパシタの電荷注入・放出特”、第65回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 1p-L-13(2004年9月1日~9月4日、東北学院大学 泉キャンパス).
  63. 永井武志、池田弥央、村上秀樹、東 清一郎、宮崎誠一、“Si量子ドットフローティングゲートMOSメモリにおける光誘起電子注入”、第65回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 1p-L-14(2004年9月1日~9月4日、東北学院大学 泉キャンパス).
  64. Nihan Kosku、村上秀樹、東 清一郎、宮崎誠一、“High-Rate Growth of Highly-Crystallized Si Films from VHF Inductively-Coupled Plasma CVD”、第65回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 1p-ZB-9(2004年9月1日~9月4日、東北学院大学 泉キャンパス).
  65. [招待講演] 宮崎 誠一、“ Hf系高誘電率絶縁膜ゲートスタックにおける界面反応制御”、 第65回応用物理学会学術講演会, シンポジウム 2p-C-5 (2004年9月1日~9月4日、東北学院大学 泉キャンパス)p. 39.
  66. [招待講演] 宮崎誠一, CVD, 日本学術振興会 薄膜第131委員会 第21回薄膜スクール, 2004年7月7‐9日, 秋保温泉左勘, 仙台.

2003年度

  1. A. Sakai, S. Sakashita, M. Sakashita, S. Zaima, Y. Yasuda and S. Miyazaki, “Praseodymium silicate formation by post-growth high-temperature aneeling,” Abst. of 2003 MRS Fall Meeting (Boston, U.S.A., Dec. 1-4, 2003), [E3.23].
  2. H. Nakagawa, A. Ohta, F. Takeno, H. Murakami and S. Miyazaki, “Characterization of Interfacial Oxide Layers in Heterostructures of Zirconium Oxides Formed on Si(100) and NH3-nitrided Si(100) surfaces,” Abst. of The 7th Int. Conf. on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (Nara, Japan, November 16-20, 2003), p. 253 [20D72].
  3. A. Ohta, S. Miyazaki, H. Murakami, T. Kawahara and K. Torii, “Characterization of Dielectric Stack Structures of Hafnium Aluminate and Silicon Dioxide formed on Si(100),” Abst. of The 7th Int. Conf. on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (Nara, Japan, November 16-20, 2003), p. 255 [20D74].
  4. [Invited] S. Miyazaki, “Photoemission Study of High-k Gate Dielectric/Si(100) Heterostructures - Chemical Bonding Features and Energy Band Alignment,” Abst. of American Vacuum Society 50th Inter. Symp. and Exhibition (Baltimore U.S.A, Nov. 3, 2003), DI-MoM7.
  5. Y. Darma and S. Miyazaki, “Characterization of Electronic Transport Through Si Dot with Ge Core Using AFM Conducting Probe,” Dig. of Papers 2003 Int. Microprocesses and Nanotechnology Conf. (Tokyo, Jaoan, October 29-31, 2003), pp. 22-23 [29B-2-3].
  6. M. Yamaoka, A. Ohta and S. Miyazaki, “Characterization of Hafnium Diffusion into Thermally-Grown SiO2 on Si(100),”  2003 International Conference on Solid State Devices and Materials  pp. 810-811-D-8-3L [September 18, 2003].
  7. M. Ikeda, Y. Shimizu, T. Shibaguchi, H. Murakami and S. Miyazaki, “Multiple-Step Electron Charging in Si Quantum-Dot Floating Gate nMOSFETs,” Ext. Abst. of 2003 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (Tokyo, Japan, September 16-18, 2003), pp. 846-847 [E-9-1].
  8. M. Yamaoka, A. Ohta and S. Miyazaki, “Characterization of Hafnium Diffusion into Thermally-Grown SiO2 on Si(100),”  Ext. Abst. of 2003 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (Tokyo, Japan, September 16-18, 2003), pp. 810-811 [D-8-3L].
  9. Y. Darma, K. Takeuchi and S. Miyazaki, “Electronic Charged States of Single Si Quantum Dots with Ge Core as Detected by AFM/Kelviin Probe Technique,”  Ext. Abst. of 2003 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (Tokyo, Japan, September 16-18, 2003), pp. 300-301 [E-3-3].
  10. K. Makihara, Y. Okamoto, H. Nakagawa, M. Ikeda, H. Murakami and S. Miyazaki, “Local Characterization of Electronic Transport in Microcrystalline Germanium Thin Films by Atomic Force Microscopy Using a Conducting Probe,” Proc. 2003 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (Busan, Korea, June 30-July2, 2003) pp. 37-40 [2.4].
  11. T. Shibaguchi, Y. Shimizu, M. Ikeda, H. Murakami and S. Miyazaki, “Analysis of Charging Characteristics in MOSFETs with a Si-Quantum-Dots Floating Gate,” Proc. 2003 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (Busan, Karea, June 30-July2, 2003), pp. 151-154 [7.4].
  12. Y. Darma and S. Miyazaki, “Thermal Stability of Nanometer Dot Consisting of Si Clad and Ge Core as Detected by Raman and Photoemission Spectroscopy,” Proc. 2003 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (Busan, Korea, June 30-July2, 2003), pp. 145-149 [7.3].
  13. A. Ohta, M. Yamaoka and S. Miyazaki,” Photoelectron Spectroscopy of Ultrathin Yttrium Oxide Films on Si(100),” 13th Bi-annual Conf. on Insulating Films on Semiconductors (Barcelona, Spain, June18-20, 2003) [GS20].
  14. K. Makihara, Y. Okamoto, H. Nakagawa, M. Ikeda, H. Murakami and S. Miyazaki, “ Electrical Characterization of Ge Microcrystallites by Atomic Force Microscopy Using a Conduncing Probe,” 16th symp. on Plasma Science for Materials (Tokyo, Japan, June 4-5, 2003) p. 115 [B6-3].
  15. N. Kosku, H. Murakami and S. Miyazaki, “High-Rate Deposition of Highly-Crystallized Silicon Films From Inductively-Coupled Plasma,” 16th symp. on Plasma Science for Materials (Tokyo, Japan, June 4-5, 2003), p. 114 [B6-2].
  16. [招待講演] 宮崎 誠一、“高誘電率絶縁膜/Si界面の基礎物性”、 第51回応用物理学会学術講演会、シンポジウム 28p-A-3 「High-kゲート絶縁膜-現状と課題-」, (2004年3月28日~31日、東京工科大学) p. 2.
  17. 牧原克典、柴口 拓、村上秀樹、東 清一郎、宮崎誠一、“AFM/ケルビンプローブによる高密度Si量子ドットの帯電状態評価”、第51回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 31a-ZG-10 (2004年3月28日~31日、東京工科大学).
  18. Yudi Darma、宮崎誠一、“Electronic Transport through Si Dots with Ge Core as Detected by Conductive AFM probe”、第51回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 31a-ZG-11(2004年3月28日~31日、東京工科大学).
  19. 西谷純一郎、柴口 拓、池田弥央、村上秀樹、東 清一郎、宮崎誠一、“真空紫外光照射によるSi量子ドット核密度制御”、第51回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 31a-B-3 (2004年3月28日~31日、東京工科大学).
  20. 牧原克典、出木秀典、村上秀樹、東 清一郎、宮崎誠一、“リモート水素プラズマ処理によるSiドット核密度制御”、第51回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 31p-B-4 (2004年3月28日~31日、東京工科大学).
  21. 大田晃生、中川 博、村上秀樹1,東 清一郎、川原孝昭、鳥居和功、宮崎誠一、“HfAlOx/SiO2/Si(100)スタック構造における界面反応評価”、第51回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 29p-C-7 (2004年3月28日~31日、東京工科大学).
  22. 中川 博、大田晃生、竹野文人、長町 学、村上秀樹、東 清一郎、宮崎誠一、“HfO2/SiNx/Si(100)スタック構造における界面酸化反応評価(II)”、第51回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 29p-C-8 (2004年3月28日~31日、東京工科大学).
  23. 竹野文人、大田晃生、中川 博、村上秀樹、東 清一郎、宮崎誠一、 “分子層制御CVD AlOx:N形成におけるN2アニールが膜中欠陥密度に及ぼす影響”、第51回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 30a-D-10(2004年3月28日~31日、東京工科大学).
  24. 東 清一郎、加久博隆、谷口 弘、村上秀樹、宮崎誠一、“熱プラズマジェットによる薄膜の短時間熱処理技術”、第51回応用物理学関係連合講演会 28p-ZG-5(2004年3月28日~31日、東京工科大学).
  25. Nihan Kosku、村上秀樹、東 清一郎、宮崎誠一、“Influence of Substrate DC Bias on Crystallinity of Si Films Grown at High Rate from Inductively-Coupled Plasma CVD”、第51回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 29p-YC-3 (2004年3月28日~31日、東京工科大学).
  26. 岡本祥裕、牧原克典、Nihan Kosku、村上秀樹、東 清一郎、宮崎誠一、“誘導結合型GeH4プラズマによる微結晶ゲルマニウム(uc-Ge:H)膜の形成”、第51回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 29p-YC-6 (2004年3月28日~31日、東京工科大学).
  27. 加久博隆、谷口 弘、村上秀樹、東 清一郎、宮崎誠一、“熱プラズマジェットによるa-Si薄膜の結晶化”、第51回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 28p-ZE-4 (2004年3月28日~31日、東京工科大学).
  28. 柴口 拓、池田弥央、東 清一郎、宮崎誠一、“Si量子ドットフローティングゲートMOSキャパシタにおけるドット堆積回数が電荷保持特”、第51回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 28p-ZH-4 (2004年3月28日~31日、東京工科大学).
  29. [招待講演] 宮崎誠一, CVD, 日本学術振興会 薄膜第131委員会 第20回薄膜スクール, 2003年7月2‐4日, 名鉄犬山ホテル, 犬山).
  30. [招待講演]宮崎 誠一, 高誘電率ゲート絶縁膜の光電子分光分析-エネルギーバンドアライメント評価および高感度欠陥計測-, 特定研究「超機能化グローバル・インターフェイス・インテグレーション研究」テーマ「グローバル・インテグレーションのための新材料とプロセス技術」, 名古屋大学, 2003年5月26日.

2002年度

  1. S. Miyazaki, “Self-Assembling of Si Quantum Dots and Their Application to Memory Devices,” Ext. Abst. of 1st Hiroshima Int. Workshop on 21th Century COE, Nanoelectronics for Tera-bit Information Processing (Hiroshima, Japan, Mar. 17, 2003), pp. 40-41 [P-16].
  2. M. Ikeda, Y. Shimizu, H. Murakami and S. Miyazaki, “Multiple-Step Electron Charging in Si Quantum Dots Floating Gate MOS Memories,” Ext. Abst. of 1st Hiroshima Int. Workshop on 21th Century COE, Nanoelectronics for Tera-bit Information Processing (Hiroshima, Japan, Mar. 17, 2003), pp. 42-43 [P-17].
  3. Y. Darma, K. Takeuchi, H. Murakami and S. Miyazaki, “Electronic Charged State of Single Si Quantum Dots with and without Ge core as Detected by AFM/Kelvin Probe Technique,” Ext. Abst. of 1st Hiroshima Int. Workshop on 21th Century COE, Nanoelectronics for Tera-bit Information Processing (Hiroshima, Japan, Mar. 17, 2003), pp. 44-45 [P-18].
  4. A. Ohta, M. Yamaoka, S. Miyazaki, A. Ino, M.Taniguchi, H Namatame, M. Nakatake, A. Kimura and H. Sato, “Photoelectron Spectroscopy of Ultrathin Yttrium Oxide Films on Silicon,” 7th Hiroshima Int. Symp. on Synchrotron Radiation (Higashi-Hiroshima, Japan, March 13-14, 2003), p. 218 [P13].
  5. K. Makihara, K. Takeuchi, M. Ikeda, H. Murakami and S. Miyazaki, “Characterization of Nucleation and Growth of Ge Microcrystallites by AFM (Atomic Force Microscopy) with a Conducting Probe,”  Proc. of The 20th Symposium on Plasma Processing、Hotel New Otani Nagaoka, Niigata pp. 321-322 [P2-48].
  6. N. Kosku and S. Miyazaki, “Microcrystalline Silicon Films Form Inductively-coupled Plasma,” Proc. of The 20th Symposium on Plasma Processing、Hotel New Otani Nagaoka, Niigata pp. 319-320 [P2-47].
  7. Y. Darma, H. Murakami and S. Miyazaki, “Infuence of Thermal Annealing on Compotional Mixing and Crystallinity of Highly-Selective Grown Si Dots with Ge Core,” Ext. Abst. of 1st Int. SiGe Technology and Device Meeting (Nagoya, Japan,  Jan. 15-17, 2003), pp. 209-210 [P2-45].
  8. S. Miyazaki, H. Yamashita, H. Nakagawa and M. Yamaoka, “Photoemission Study of Interfacial Oxidation in ZrO2/Sub-Nanometer SiONx/Si(100) Stacked,” Abst. of 2002 MRS Fall Meeting (Boston, U.S.A., Dec. 2-6, 2002), [V3.7].
  9. M. Ikeda, Y. Shimizu, H. Murakami and S. Miyazaki, “Multiple-Step Electron Charging in Si Quantum-Dot Floating Gate MOS Memories,” Dig. of Papers Int. Microprocesses and Nanotechnology Conf. (Tokyo, Japan, Nov. 6-8, 2002), pp. 116-117 [7P-7-10].
  10. Y. Darma, H. Murakami and S. Miyazaki, “Formation of Nanometer Silicon Dots with Germanium Core by Highly-Selective Low-Pressure Chemical Vapour Deposition,” Dig. of Papers Int. Microprocesses and Nanotechnology Conf. (Tokyo, Japan, Nov. 6-8, 2002), pp. 58-59 [7B-4-2].
  11. M. Yamaoka, H. Murakami and S. Miyazaki, “Diffusion and Incorporation of Zr into Thermally-Grown SiO2 on Si(100),” 4th Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces (Karuizawa, Japan, Oct. 21-25, 2002), [A4-3].
  12. S. Miyazaki, M. Narasaki and H. Murakami, “Electronic Structure and Energy Band Offsets for Ultrathin Silicon Nitride on Si(100),” Abst. of 4th Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces (Karuizawa, Japan, Oct. 21-25, 2002), [A5-3].
  13. A. Suyama, H. Yokoi, M. Narasaki, W. Mizubayashi, H. Murakami and S. Miyazaki, “Photoemission Study of Aluminum Oxynitride/Si(100) Heterostructures-Chemical Bonding Features and Energy Band Lineup,” Ext. Abst. of Inter. Conf. on Solid State Devices and Materials (Nagoya, Japan, Sept. 17-19, 2002), pp. 760-761 [C-8-3].
  14. H. Murakami, W. Mizubayashi, H. Yokoi, A. Suyama and S. Miyazaki, “Electrical Characterization of Aluminum-Oxynitride Stacked Gate Dielectrics Prepared by a Layer-by-Layer Process of Chemical Vapor Deposition and Rapid Thermal Nitridation,” Ext. Abst. of Inter. Conf. on Solid State Devices and Materials (Nagoya, Japan, Sept. 17-19, 2002), pp. 712-713 [B-7-1].
  15. K. Takeuchi, H. Murakami and S. Miyazaki, “Electronic Charging State of Si Quantum Dots formed on Ultrathin SiO2 as Evaluated by AFM/Kelvin Probe Method,” Semiconductor Technology: Proc. of Int. Smiconductor Technology Conf. (Tokyo, Japan, Sept. 12-14, 2002), pp. 1-8 [33].
  16. M. Yamaoka, M. Narasaki, H. Murakami and S. Miyazaki, “Photoemission Study of Ultrathin Hafnium Oxide Films Evaporated on Si(100),” Semiconductor Technology: Proc. of Int. Smiconductor Technology Conf. (Tokyo, Japan, Sept. 12-14, 2002), pp. 229-236 [57].
  17. [Invited] S. Miyazaki, “Self-Assembling of Si Quantum Dots and Their Application to Memory Devices,” Abst. of Int. Conf. on Polycrystalline Semiconductors (Nara, Japan, Sept. 10-13, 2002), 105, p. 56.
  18. [Invited] S. Miyazaki, “Self-Assembling of Si quantum Dots and Their Application to Memory Devices,” Abst. of The 2nd Vacuum & Surface Sciences conf. of Asia and Australia(VASSCAA-2), (Hong Kong, China, August 26-30, 2002), Mo7.
  19. N. Kosku, F. Kurisu, M. Takegoshi, H. Takahashi and S. Miyazaki, “High-rate Deposition of Highly-crystallized Silicon Films from Inductively-coupled Plasma,” Meeting Abst. of Joint Int. Plasma Symp. of 6th APCPST, 15th SPSM, and 11th KAPRA (Cheju, Korea, July 1-4, 2002), p. 131.
  20. Y. Darma, R. Takaoka, H. Murakami and S. Miyazaki, “Self-Assembling Formation of Silicon Quantum Dot with Germanium Core by LPCVD,” Proc. 2002 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (Sapporo, Japan, July 1-3, 2002), pp. 307-310 [7.9].
  21. [Invited] S. Miyazaki, H. Takahashi, M. Sagara and M. Hirose, “Growth and Characterization of Amorphous and Microcrystalline Silicon-Germanium Films,” Abst. of 2002 MRS Spring Meeting (San Francisco, U.S.A., April 4, 2002), A18.1.
  22. [招待講演] 宮崎 誠一, シリコンナノデバイス・プロセス技術ーテラビット情報ナノエレクトロニクスへの展開ー, 名古屋大学電気系21世紀 COE シンポジウム プラズマが拓くナノ情報デバイスの世界的拠点形成に向けて, 名古屋大学, 2003年3月3日, pp. 1-7.
  23. [招待講演] 宮崎 誠一, 半導体ナノメートルドットの形成と機能メモリデバイス応用, 平成14年度東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究会「サブサーフェス制御知能プラズマプロセスに関する研究」, 東北大学, 2002年10月5日, pp. 115-123.
  24. [招待講演] 宮崎誠一, 化学気相堆積法(CVD), 日本学術振興会 薄膜第131委員会 第19回薄膜スクール, 2002年7月3‐5日, 筑波山 江戸屋, pp. 83-100.

2001年度

  1. N. Kosku, F. Kurisu, H. Takahashi and S. Miyazaki, “High-rate deposition of highly-crystallized silicon films from inductively-coupled plasma,” Ext. Abst. of The 5th SANKEN Int. Symp. (Osaka, Japan, March 14, 2002), pp. 52-53 [P1.6].
  2. [Invited]  S. Miyazaki and H. Murakami, “Characterization of Deposition Process of Microcrystalline Silicon-Germanium Films: In-situ Infrared Attenuated Total Reflection and Ex-situ Raman Scattering Studies,” Ext. Abst. of The 5th SANKEN Int. Symp. (Osaka, Japan, March 14, 2002), P1.13, pp. 65-66.
  3. M. Ichioka, S. Miyazaki, M. Taniguchi, H. Namatame, A. Kimura and H. Sato, “Characterization on As+ Heavily-Implanted Layer on Si(100) by X-ray Photoelectron Spectroscopy,” 6th Hiroshima Int. Symp. on Synchrotron Radiation (Higashi-Hiroshima, Japan, March 14, 2002), [P-11].
  4. S. Miyazaki, M. Ichioka, M. Hirose, M. Taniguch, H. Namatame, A. Kimura and H. Sato, “Photoemission Study of Ultra Shallow Junctions Formed on Si(100) by Arsenic Ion Implantation,” Ext. Abst. of 2001 Int. Conf. on Rapid Thermal Processing for Future Semiconductor Devices (Ise-shima, Japan, Nov. 14-16, 2001), pp. 7-8 [1.3].
  5. S. Miyazaki, “Chemical and Electronic Structures of Ultrathin High-k Dielectrics and the Dielectric/Silicon Interfaces,” Conf. Proc. of The Sixth China-Japan Symp. on Thin Films (Kunming Yunnan, China, Nov. 5-8, 2001,) pp. 69-73 [19].
  6. [Invited] S. Miyazaki, “Characterization of Deposition Processes
    of Silicon-Germanium Films by Using In-Situ Infrared
    Attenuated-Total-Reflection and Surface-Sensitive Raman Scattering Spectroscopy,”
    Abst. of Frontiers of Surface Engineering 2001: The 2001 Joint Intern Conf.
    (Nagoya, Japan, Oct. 28 - Nov. 1, 2001), ID-01, p. 16.
  7. H. Yamashita, W. Mizubayashi, H. Murakami and S. Miyazaki, “Impact of Nitrogen Incorporation in Ultrathin SiO2 on the Chemical and Electronic Structures of the SiO2/Si(100) Interface,” Ext. Abst. of Int. Workshop on Gate Insulator (Tokyo, Japan,  Nov. 1-2, 2001) pp. 224-225 [8.3].
  8. M. Ikeda, R. Takaoka, S. Sugioka, S. Miyazaki and M. Hirose, “Control of The Positioning of Self-Assembling Si Quantum Dots on Ultrathin SiO2/c-Si by Using Scanning Probe,” Dig. of Papers 2001 Int. MicroProcesses and Nanotechnology Conf. (Matsue, Japan, Oct. 31-Nov. 2, 2001), pp. 282-283 [2B-8-3].
  9. M. Ikeda, E. Yoshida, A. Kohno, S. Miyazaki and M. Hirose, “Charge Injection Characteristics of a Si Quantum Dot Floating Gate in MOS Structures,” Ext. Abst. of 2001 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (Tokyo, Japan, Sept. 26-28, 2001), pp. 308-309 [D-5-6].
  10. W. Mizubayashi, Y. Yoshida, S. Miyazaki and M. Hirose, “Analysis of Oxide Voltage and Field Dependence of Time-Dependent Dielectric Soft Breakdown in Ultrathin Gate Oxides,” Ext. Abst. of 2001 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (Tokyo, Sept. 26-28, 2001) pp. 210-211 [B-4-4].
  11. [Invited]  S. Miyazaki, “Characterization of Ultrathin Gate Dielectrics on Silicon by Photoelectron Spectroscopy,” Abst. of Int. Workshop on Device Technology - Alternatives on to SiO2 as Gate Dielectric for Future Si-Based Microelectronics (Porto Alegre, Brasil, Sept. 3-5, 2001), Tu5.
  12. S. Miyazaki, H. Takahashi, H. Yamashita, M. Narasaki and M. Hirose, “Growth and Characterization Microcrystalline Silicon-Germanium Films,” 19th Int. Conf. on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors (Nice, France, Aug. 27-31, 2001), [Tu-A1/4].
  13. [Invited] A. Kohno and S. Miyazaki "Self-Assembling of Si Quantum Dots and Their Application to Memory Devices", Frontier Sci. Res. Conf. in Mat. Sci. & Technol. Series: Sci. & Technol. of Silicon Materials (La Jolla, CA, Aug. 13-15, 2001) [Session II, Bulletin of the Stefan Univ. vol.13, pp. 33-36.
  14. [Invited] S. Miyazaki "Electronic Structures of High-k Gate Dielectrics", Frontier Sci. Res. Conf. in Mat. Sci. & Technol. Series: Sci. & Technol. of Silicon Materials (La Jolla, CA, Aug. 13-15, 2001) [Session I, Bulletin of the Stefan Univ. vol.13].
  15. A. Kohno, M. Ikeda, H. Murakami, S. Miyazaki and M. Hirose, “Memory Operation and Electron Charging Characteristics of Silicon Quantum-Dot Floating Gate MOSFETs,” Proc. of 2001 Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices (Cheju, Korea, July 4-7, 2001), pp. 105-109 [Ses.3.6].
  16. H. Murakami, T. Mihara, H. Yamashita, S. Miyazaki and M. Hirose, “Experimental Evidence of Carrier Depletion Effect near n+ Poly-Si Gate Side Wall/SiO2 Interfaces for Sub-100nm nMOSFETs,” Proc. of 2001 Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices (Cheju, Korea, July 4-7, 2001), pp. 61-63 [Ses.2.4].
  17. S. Miyazaki, M. Narasaki, M. Ogasawara and M. Hirose, “Characterization of Ultrathin Zirconium Oxide Films on Silicon Using Photoelectron Spectroscopy,” Conf. Proc. of 12th Biannual Conf. on Insulating Films on Semiconductors (Udine, Italy, June 20-23, 2001), pp. 127-128 [Ses.3.2.1].
  18. H. Takahashi, H. Yamashita, S. Miyazaki and M. Hirose, “Structural Characterization of Plasma Deposited mc-Ge:H under High H2-dilution Conditions,” 14th Symp. on Plasma Sci. for Mat. (Tokyo, Japan, June 13-14, 2001), p. 78 [B3-10].
  19. W. Mizubayashi, Y. Yoshida, S. Miyazaki and M. Hirose, “Statistical Analysis of Soft Breakdown in Ultrathin Gate Oxides,” Dig. of Tech. Papers 2001 Symp. on VLSI Technol. (Kyoto, Japan, June 12-14, 2001), pp. 95-96 [8A-2].
  20. [Invited] S. Miyazaki, “Characterization of High-k Gate Dielectric/Silicon Interfaces,” 8th Int. Conf. on the Formation of Semiconductor Interfaces (Sapporo, Japan,  June 10-15, 2001), p. 190 [Tu3-4].
  21. [招待講演] 宮崎 誠一, Si量子ドットの自己組織化形成とメモリーデバイス応用, 平成13年度第1回研究科フォーラム「シラン系CVDプロセスの基礎から応用まで」, 北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科, 2002年3月15日, pp. 77-88.
  22. [招待講演] 宮崎誠一, CVD:化学気相堆積法, 日本学術振興会 薄膜第131委員会 第18回薄膜スクール, 2001年7月4‐6日, 淡路国際会議場, pp. 85-101.

2000年度

  1. M. Ichioka, S. Miyazaki, M. Hirose, M. Taniguchi, H. Namatame, M. Nakatake, A. Kimura and H. Sato, “Photoelectron Spectroscopy of Ultrathin As-Implanted Layer on Si(100),” 5th Hiroshima Int. Symp. on Synchrotron Radiation (Hiroshima, Japan,  March 15-16, 2001), p. 279 [P-7].
  2. M. Narasaki, S. Miyazaki, M. Hirose, M. Taniguchi, H. Namatame, M. Nakatake, A. Kimura and H. Sato, “Photoelectron Spectroscopy of Ultrathin Zirconium Oxide Films on Silicon,” 5th Hiroshima Int. Symp. on Synchrotron Radiation (Hiroshima,  Japan, March 15-16, 2001), p. 280 [P-8 ].
  3. [Invited] S. Miyazaki, “Photoemission Study of Energy Band Alignments and Gap State Density Distributions for High-k Gate Dielectrics,” 28th Conf. on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces (Lake Buena Vista, U.S.A., Jan. 7-11, 2001), [We1620].
  4. S. Miyazaki, K. Morino and M. Hirose, “Influence of Boron and Fluorine Incorporation on the Network Structure of Ultrathin SiO2,” Abst. of 5th Inter. Symp. on Ultra Clean Processing of Silicon Surfaces (Ostend, Belgian, Sept. 18-20, 2000), pp. 108-109 [Ses.4.3].
  5. S. Miyazaki, M. Ikeda, E. Yoshida, N. Shimizu and M. Hirose, “Nucleation Site Control in Self-Assembling of Si Quantum Dots on Ultrathin SiO2/c-Si,” Int. Conf. on the Phys. of Semiconductors (Osaka, Japan, Sept. 17-22, 2000), p. 766 [M062].
  6. S. Miyazaki, Y. Hamamoto, E. Yoshida, M. Ikeda and M. Hirose, “Control of Self-Assembling Formation of Nanometer Silicon Dots by Low Pressure Chemical Vapor Deposition,” Abst. of Int. Joint Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures (Zao, Japan, Sept. 12-17, 2000) pp. B/7-8 [B-4].
  7. H. Kohno, H. Murakami, M. Ikeda, H. Nishiyama, S. Miyazaki and M. Hirose, “Transient Characteristics of Electron Charging in Si-Quantum-Dot Floating Gate MOS Memories,” Ext. Abst. of 2000 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (Sendai, Japan, Aug. 29-31, 2000), pp. 124-125 [D-2-7].
  8. H. Murakami, T. Mihara, S. Miyazaki and M. Hirose, “Etch Damage of n+ Poly-Si Gate Side Wall as Evaluated by Gate Tunnel Leakage Current,” Ext. Abst. of 2000 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (Sendai, Japan, Aug. 29-31, 2000), pp. 194-195 [A-6-2].
  9. N. Fujiwara, T. Kikkawa, S. Miyazaki, F. Nishiyama and M. Hirose, “Inductive-Coupled RF Magnetron Plasma Deposition of (Ba, Sr)TiO3 for Decoupling Capacitors,” Ext. Abst. of 2000 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (Sendai, Japan, Aug. 29-31, 2000), pp. 158-159 [A-3-2].
  10. W. Mizaubayashi, Y. Yoshida, M. Narasaki, S. Miyazaki and M. Hirose, “Temperature Dependent Soft Breakdown in Ultrathin Gate Oxides,” Ext. Abst. of 2000 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (Sendai, Japan, Aug. 29-31, 2000), pp. 244-245 [B-6-3].
  11. [Invited] S. Miyazaki and M. Hirose, “Photoemission Study of Energy Band Alignment and Gap State Density Distribution for High-k Gate Dielectrics,” Conf. Abst. of Int. Conf. on Characterization and Metrology for ULSI Technology (Gaithersburg MD, U.S.A., June 26-29, 2000) [S2.2].
  12. M. Hirose, W. Mizubayashi, Khairurrijal, M. Ikeda, H. Murakami, A. Kohno, K. Shibahara, S. Miyazaki, “Ultrathin Gate Dielectrics for Silicon Nanodevices,” Silicon Nanoelectronics Workshop (Honolulu, U.S.A., June 10-11, 2000), [I-4].
  13. [招待講演] 宮崎 誠一, ゲート絶縁膜技術(高誘電率ゲート絶縁膜), 第28回応用物理学会スクールB「サブ100nmCMOSトランジスタ技術の動向と展望」, 明治大学, 2001年3月30日, pp. 35-47.
  14. [招待講演] 宮崎 誠一, MOSLSIゲート酸化膜, 第48回応用物理学会関係連合学術講演会, シンポジウム「高性能ポリシリコンTFTの現状と将来展望-ゲート酸化膜形成」,明治大学, 2001年3月29日, p. 87.
  15. [招待講演] 宮崎誠一, CVD成膜の物理-シリコン系薄膜形成を中心として, 第32回CVD研究会, 2000年12月13日, 愛知厚生年金会館, 基礎講座:pp.1-16.
  16. [招待講演] 宮崎誠一, 糸川寛志, 小笠原優, 廣瀬全孝, 高誘電率ゲート絶縁膜を用いたMIS構造におけるエネルギーバンドプロファイルの決定と界面電子状態計測, 応用物理学会, シリコンテクノロジー分科会, 第23回研究会「ゲート絶縁膜技術及びデバイス・プロセス技術」, 2000年11月1日, 東京工業大学, pp. 58-63.
  17. [招待講演] 宮崎誠一, 減圧CVDによるシリコン量子ドットの自己組織化形成, (社)電子情報技術産業協会, 量子相関エレクトロニクス専門委員会, 2000年10月16日, 広島大学 .
  18. [招待講演] 宮崎誠一, シリコン・極薄ゲート酸化膜界面 第61回応用物理学会学術講演会, シンポジウム「半導体界面形成-原子レベルの表面・界面制御を目指して」, 2000年9月5日, 北海道工業大学, 5p-L-6, p. 40.
  19. [招待講演] 宮崎誠一, CVD法による薄膜形成技術と反応制御, エレクトロニクス・材料技術セミナー, 2000年8月22日, 五反田・ゆうぽうと, (株)技術情報協会主催, No.008402, pp. 1-16.
  20. [招待講演] 宮崎誠一, CVD:化学気相堆積法, 日本学術振興会 薄膜第131委員会 第17回薄膜スクール, 2000年7月12‐14日, 秋保温泉左勘, 仙台, pp. 89-104.

1999年度

  1. 崎川伸基 , " High-Quality a-Si:H Deposition by an Inductively-Coupled Silane Plasma (誘導結合型シランプラズマを用いた高品質水素化アモルファスシリコンの作成) " , 12th Symposium on Plasma Science for Materials (SPSM-12) [東京].
  2. 崎川伸基 , " High-Rate Deposition of Hydrogenated Amorphous Silicon by an Inductively-Coupled Plasma " , 11th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-11) (第11回太陽光発電国際会議) [北海].
  3. 清水尚司 , " Charging States of Si Quantum Dots as Detected by AFM/Kelvin Probe Technique " , Intern. Conf. on Solid State Devices and Materials [東京].
  4. 糸川寛志 , " Determination of Bandgap and Energy Band Alignment for High-Dielectric-Constant Gate Insulators Using High-Resolution X-Ray Photoelectron Spectroscopy " , Intern. Conf. on Solid State Devices and Materials [ 東京].
  5. [Invited] S. Miyazaki and M. Hirose, “Insights into Surface Reactions During Plasma-Enhanced CVD of a-Si1-xGex:H Films From FT-IR-ATR and Raman Scattering,” 11th Symp. of Mat. Res. Soc. Jpn. (Kawasaki, Japan, Dec. 16-17, 1999) p. 185 [2-8-K10].
  6. S. Miyazaki, Y. Yoshida, Y. Hamamoto and M. Hirose, “Nucleation Site Control in Self-Assembling of Si Quantum Dots on Ultrathin SiO2/c-Si,” Int. Symp. on Surf. Sci. for Micro- and Nano-Device Fabrication (Tokyo, Japan, Nov. 29-Dec. 1, 1999) p. 102 [Tu-2-C-3].
  7. S. Miyazaki, T. Maruyama, A. Kohno and M. Hirose, “Electronic Defect States at Ultrathin SiO2/Si Interfaces from Photoelectron Yield Spectroscopy,” Abst. of Int. Workshop on Development of Thin Films for Future ULSI's and Nano-Scale Process Integration (Nagoya, Japan, Nov. 26-27, 1999) pp. 20-21 [O-10].
  8. Khairurrijial, W. Mizubayashi, S. Miyazaki and M. Hirose, “Unified Model of Tunnel Current through Nanometer-Thick Gate Oxides,” Abst. of 1st Int. Workshop on Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices: Sci. & Technol. (Hakusan, Japan, Oct. 22-23, 1999) pp. 11-12 [22a-2-4].
  9. S. Miyazaki, T. Tamura, M. Ogasawara, H. Itokawa, H. Murakami and M. Hirose, “Influence of Nitrogen Incorporation in Ultrathin SiO2 on the Structure and Electronic States of the SiO2/Si(100) Interface,” Abst. of 3rd Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces (Karuizawa, Japan, Oct. 25-29, 1999) pp. 108-109 [A3-3 ].
  10. H. Itokawa, T. Maruyama, S. Miyazaki and M. Hirose, “Determination of Bandgap and Energy Band Alignment for High-Dielectric-Constant Gate Insulators Using High-Resolution X-ray Photoelectron Spectroscopy,” Ext. Abst. of 1999 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (Tokyo, Sept. 21-24, 1999) pp. 158-159 [B-4-1]
  11. N. Shimizu, M. Ikeda, E. Yoshida, S. Miyazaki and M. Hirose, “Charging States of Si Quantum Dots as Detected by AFM/Kelvin Probe Technique,” Ext. Abst. of 1999 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (Tokyo, Japan, Sept. 21-24, 1999) pp. 80-81 [D-2-3].
  12. W. Mizubayashi, H. Itokawa, S. Miyazaki and M. Hirose, “Modeling of Soft Breakdown in Ultrathin Gate Oxides,” Ext. Abst. of 1999 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (Tokyo, Japan, Sept. 21-24, 1999) pp. 318-319 [A-10-2].
  13. N. Sakikawa, Y. Shishida, S. Miyazaki and M. Hirose, “High-Rate Deposition of Hydrogenated Amorphous Silicon Films Using Inductively-Coupled Silane Plasma,” Tech. Dig. of 11th Int. Photovoltaic Sci. and Eng. Conf. (Sapporo, Japan, Sept. 20-24, 1999), pp. 793-794 [P-II-47].
  14. A. Kohno, H. Murakami, M. Ikeda, H. Nishiyama, S. Miyazaki and M. Hirose, “Electron Charging to a Si Quantum Dot Floating Gate in MOS Structures,” Proc. of Workshop on Silicon Nanofabrication and Nanodevices (Tokyo, Japan, Sept. 18, 1999) pp. 19-22 [II-2].
  15. Khairurrijial, W. Mizubayashi, S. Miyazaki and M. Hirose, “Unified Model of Tunnel Current through Ultra-Thin Gate Oxides,” Abst. of Workshop on Silicon Nanofabrication and Nanodevices (Tokyo, Japan, Sept. 18, 1999) pp. 37-38 [III-2].
  16. S. Miyazaki, Y. Hamamoto, E. Yoshida, M. Ikeda and M. Hirose, “Self-Assembling of Silicon Quantum Dots - Nucleation Site, Size and Areal Density Control,” Proc. of Workshop on Silicon Nanofabrication and Nanodevices (Tokyo, Japan, Sept. 18, 1999) pp. 1-4 [I-1].
  17. H. Nakata, K. Murayama, S. Miyazaki and M. Hirose, “Luminescence and Absorption Edge of a-Ge:H Well Layers in a-Si:H/a-Ge:H Multilayers,” 18th Int. Conf. on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors - Sci. & Technol. (Snowbird, U.S.A., Aug. 23-27, 1999) p. 165 [TuP5.8].
  18. S. Miyazaki, N. Fukuhara and M. Hirose, “Surface-Sensitive Raman Scattering Study on a-Si:H Network Formation Process During Deposition and H2 Plasma Annealing,” 18th Int. Conf. on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors - Sci. & Technol. (Snowbird, U.S.A., Aug. 23-27, 1999) p. 89 [TuA2.3
  19. Y. Hirano, F. Sato, N. Saito, M. Abe, S. Miyazaki and M. Hirose, “Fabrication of Nanometer Sized Si dot Multilayers and Their Photoluminescence Properties,” 18th Int. Conf. on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors - Sci. & Technol. (Snowbird, U.S.A., Aug. 23-27, 1999) p. 58 [MC3.4].
  20. Y. Okazaki, S. Miyazaki and M. Hirose, “Infrared Attenuated-Total-Reflection Spectroscopy of Microcrystalline Silicon Growth,” 18th Int. Conf. on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors - Sci. & Technol. (Snowbird, U.S.A., Aug. 23-27, 1999) p. 224 [ThA2.2].
  21. K. Murayama, N. Katagiri, K. Ouno, S. Miyazaki and M. Hirose, “Thermalization Gaps of a-Si:H Well Layers in a-Si:H/a-Si3N4:H Multilayers,” 18th Int. Conf. on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors - Sci. & Technol. (Snowbird, U.S.A., Aug. 23-27, 1999) p. 188 [WA1.3].
  22. [Invited] S. Miyazaki, H. Murakami, M. Ikeda, E. Yoshida, A. Kohno and M. Hirose, “Self-Assembling of Silicon Quantum Dots and Its Application to Floating Gate Memory,” Dig. of Papers 1999 Int. Microprocesses and Nanotechnology conf. (Yokohama, Japan, July 6-8, 1999) pp. 84-85 [7B-5-2].
  23. S. Miyazaki, T. Maruyama, A. Kohno and M. Hirose, “Photoelectron Yield Spectroscopy of Electronic States at Ultrathin SiO2/Si Interfaces,” Abst. of 11th Biannual Conf. on Insulating Films on Semiconductors (Kloster Banz, Germany June 16-19, 1999) pp. S15/3-4 [Ses.15-2].
  24. N. Sakikawa, Y. Shishida, S. Miyazaki and M. Hirose, “High-Quality a-Si:H Deposition by an Inductively-Coupled Silane Plasma,” 12th Symp. on Plasma Sci. for Mat. (Tokyo, Japan, June 16-17, 1999) p. 14 [A1-2].
  25. Khairurrijial, W. Mizubayashi, S. Miyazaki and M. Hirose, “Analytic Model of Direct Tunnel Current through Nanometer-Thick Gate Oxides,” Abst. of 1999 Silicon Nanoelectronics Workshop (Kyoto, Japan, June 12-13, 1999) pp. 70-71 [Sec. 7-2].
  26. [Invited] M. Hirose, W. Mizubayashi, K. Shibahara and S. Miyazaki, “Spectroscopic and Electrical Characterizations of Ultrathin Gate Oxides for Scaled MOSFETs,” 1999 Spring Meeting of Mat. Res. Soc. (San Francisco, U.S.A., April 5-9, 1999) p. 285 [R11.3].
  27. Khairurrijial, W. Mizubayashi, S. Miyazaki and M. Hirose, “Unified Model of Tunnel Current through Ultra-Thin Gate Oxides,” Abst. of Workshop on Silicon Nanofabrication and Nanodevices (Tokyo, Japan, Sept. 18, 1999) pp. 37-38 [III-2].
  28. S. Miyazaki, Y. Hamamoto, E. Yoshida, M. Ikeda and M. Hirose, “Self-Assembling of Silicon Quantum Dots - Nucleation Site, Size and Areal Density Control,” Proc. of Workshop on Silicon Nanofabrication and Nanodevices (Tokyo, Japan, Sept. 18, 1999) pp. 1-4 [I-1].
  29. [招待講演] 宮崎誠一, シリコン量子ドットの自己組織化形成とフローティングMOSメモリデバイスへの応用, (財)新世代研究所, 半導体量子効果研究科会, 1999年10月18日, 宮島.
  30. [招待講演] 宮崎誠一, CVDによるSiナノクリスタルの成長と発光特性, 化学工学会、’99CVD特別研究会「シリコンナノクリスタルの成長方法と発光特性」, 1999年10月15日, 東京大学・工学部, pp. 6.1-7.
  31. [招待講演] 宮崎誠一, 廣瀬全孝, シリコン量子ドットの自己組織化形成とフローティングゲートMOSメモリの応用, 1999年電子情報通信学会ソサイエティ大会, シンポジウム「自己組織化プロセスとデバイス応用」, 1999年9月9日, 日本大学, SC‐8‐4.
  32. [招待講演] 宮崎誠一, 廣瀬全孝, シリコン量子ドットの自己組織化形成と量子機能制御, 第60回応用物理学会学術講演会, シンポジウム「新しいシリコン系材料の創製と応用」, 1999年9月2日, 甲南大学, 2p-ZM-3, p. 29.
  33. [招待講演] 宮崎誠一, 極微細構造制御とシリコンデバイス, フロンティアプロセス99-プラズマプロセスの今後の展望, 1999年7月30日, 湘南国際村センター内会議場, プラズマプロセスパナシアの会主催, 超先端電子技術開発機構(ASET)共催, p. 1.
  34. [招待講演] 宮崎誠一, シリコン表面・界面の欠陥準位と水素による不活性化 応用物理学会, 結晶工学分科会, 第110回研究会「水素と結晶工学」, 1999年6月3日, 学習院大学, pp. 27-34.
  35. [招待講演] 宮崎誠一, CVD‐化学気相堆積法, 日本学術振興会 薄膜第131委員会 第16回薄膜スクール, 1999年6月30日‐7月2日, 岐阜観光ホテル十八楼, 岐阜, pp. 95-111.
  36. [招待講演] 宮崎誠一, 江藤和宣, 廣瀬全孝, 自己組織化形成シリコン量子ドットからの発光特性, 応用物理学会, シリコンテクノロジー分科会, 第8回研究会「光るシリコン-プロセス・素子技術の進展会」, 1999年4月23日, 東京農工大学, pp. 54-6054.

1998年度

  1. S. Miyazaki, K. Shiba, N. Miyoshi, K. Etoh, A. Kohno and M. Hirose , " Luminescence Study of Self-Assembled, Silicon Quantum Dots " , 1998 Fall Meeting of Mat. Res. Soc. (Boston, Nov. 30-Dec. 4, 1998) p. 102 [F1.10].
  2. A. Kohno, H. Murakami, M. Ikeda, H. Nishiyama, S. Miyazaki and M. Hirose , " Single Electron Charging to a Si Quantum Dot Floating Gate in MOS Structures " , Ext. Abst. of 1998 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (Hiroshima, Sept. 7-10, 1998) pp. 174-175 [C-3-4].
  3. S. A. Ding, M. Ikeda, M. Fukuda, S. Miyazaki and M. Hirose , " Quantum Confinement Effect in Self-Assembled, Nanometer Silicon Dots " , Ext. Abst. of 1998 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (Hiroshima, Sept. 7-10, 1998) pp. 64-65 [C-1-7].
  4. [Invited] M. Hirose, W. Mizubayashi, M. Fukuda and S. Miyazaki, “Tunneling Current and Wearout Phenomena in Sub-5nm Gate Oxides,” 8th Int. Symp. on Silicon Material Sci. Technol. (San Diego, May 4-8, 1998) [No. 329].
  5. [招待講演] 宮崎誠一, 膜堆積過程における化学結合状態およびネットワーク構造の変化 応用物理学会, 薄膜表面物理分科会, 1998年度第3回研究会「プラズマCVD表面反応はどこまで理解・制御されているか?」, 1998年11月26日, 機械振興会館, pp. 4.1-5.
  6. [招待講演] 宮崎誠一, CVD, 日本学術振興会 薄膜第131委員会 第15回薄膜スクール, 1998年7月1‐3日, 伊東ホテルニュー岡部, 伊東, pp. 95-111.

1997年度

  1. M. Hirose, M. Fukuda, W. Mizubayashi and S. Miyazaki, “Characterization of Ultrathin Gate Oxides for Sub-100nm MOSFETs,” Int. Conf. on Characterization and Metrology for ULSI Technology (Gaithersburg MD, March 23-27, 1998) p. S3.2 [Sec.3-2].
  2. A. Kohno, M. Ikeda, H. Murakami, S. Miyazaki and M. Hirose, “Fabrication and Characterization of MOS Capacitors with Self-Assembled Silicon Quantum Dots as a Floating Gate,” 1997 Fall Meeting of Mat. Res. Soc. (Boston, Dec. 1-5, 1997) p. 86 [C5.4].
  3. S. Miyazaki, T. Tamura, T. Maruyama, H. Murakami, A. Kohno and M. Hirose, “Evaluation of Gap States in Hydrogen-Terminated Silicon Surfaces and Ultrathin SiO2/Si Interfaces by Using Photoelectron Yield Spectroscopy,” 1997 Fall Meeting of Mat. Res. Soc. (Boston, Dec. 1-5, 1997) p. 596 [EE.2.4].
  4. A.Kohno, S. Miyazaki, H. Murakami, M. Ikeda and M. Hirose, “Electron Charging to a Silicon-Quantum-Dots Floating Gate in MOS Structures,” Ext. Abst. of 3rd Int. Workshop on Quantum Functional Devices (Maryland, Nov. 5-7, 1997) pp. 99-100 .
  5. [Invited] S. Miyazaki, T. Tamura, T. Murayama, A. Khono and M. Hirose, “Electronic States of Hydrogen-Terminated Silicon Surfaces and SiO2/Si Interfaces,” Abst. of JRCAT Int. Workshop on Sci. and Technol. of Hydrogen-Terminated Silicon Surfaces (Tukuba, Nov. 4-6, 1997) Ses.6.3, pp. 35-36.
  6. S. Miyazaki, A. Tohyama, H. Murakami, T. Tamura, M. Miura and M. Hirose, “Characterization of Ultrathin As-Implanted Layers on Si(100) by Photoelectron Spectroscopy,” Abst. of 4th Int. Symp. on Atomically-Controlled Surfaces and Interfaces (Tokyo, Oct. 27-30, 1997) pp. 329-331 [Z1].
  7. S. Miyazaki, K. Nakagawa, T. Tamura, “Structural Characterization of a-Si:H/a-SiC:H and SiO2/c-Si Interfaces,” Proc. of Japan-China Workshop on Thin Films (Tokyo, Oct. 16-17, 1997) pp. 72-79 [12].
  8. A. Kohno, H. Murakami, M. Ikeda, S. Miyazaki and M. Hirose, “Electron Charging to Si Quantum Dots as a Floating Gate in MOS Capacitors,” Ext. Abst. of 1997 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (Hamamatsu, Sept. 16-19 1997) pp. 566-567 [B-11-11(LN)].
  9. K. Morino, S. Miyazaki and M. Hirose, “Phosphorous Incorporation in Ultrathin Gate Oxides and Its Impact to the Network Structure,” Ext. Abst. of 1997 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (Hamamatsu, Sept. 16-19 1997) pp. 18-19 [A-2-3].
  10. K. Nakagawa, Y. Yoshida, S. Miyazaki and M. Hirose, “Insights into Surface Reactions During a-SiGe:H Deposition and Hydrogen Plasma Annealing as Obtained from Infrared Attenuated Total Reflection Spectroscopy,” 17th Int. Conf. on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors - Sci. & Technol. (Budapest, Aug. 25-29, 1997) p. 217 [Th-B3/3].
  11. [Invited] M. Hirose, W. Mizubayashi, K. Morino, M. Fukuda and S. Miyazaki, “Tunneling Transport and Reliability Evaluation in Extremely Thin Gate Oxides,” NATO Advanced Research Workshop on Fundamental Aspects of Ultrathin Dielectrics on Si-Based Devices (Petersburg, Aug. 4-8, 1997).
  12. Y. Sasaki, J. Maeda, T. Koishi, K. Hashimoto, K. Shibahara, S. Yokoyama, S. Miyazaki and M. Hirose, “High-Speed GaAs Epitaxial Lift-Off and Bonding with High Alignment Accuracy Using Sapphire Plate,” 192nd Electrochem. Soc. Meeting (Paris, Aug. 31-Sept. 5, 1997) p. 2469.
  13. [招待講演] 宮崎誠一, CVD, 日本学術振興会 薄膜第131委員会 第14回薄膜スクール, 1997年7月2‐4日, 琵琶湖ホテル, 大津, pp. 59-71.

1996年度

  1. M. Fukuda, K. Nakagawa, S. Miyazaki and M. Hirose, “Resonant Tunneling Through SiO2/Si Quantum Dot/SiO2 Double Barrier Structures,” 1996 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM1996), (Yokohama, Japan, Aug. 26-29, 1996), IV-3, pp. 175-177.
  2. T. Osada, Y. Kawazawa, S. Miyazaki and M. Hirose, “Influence of BHF Treatments on Hydrogen-Terminated Si(100) Surfaces,” 1997 Spring Meeting of Mat. Res. Soc. (San Francisco, March 31-April 4, 1997) p. 277 [P6.3].
  3. W. Mizubayashi, S. Miyazaki and M. Hirose, “Organic Contamination of Silicon Wafer in Clean Room Air and Its Impact to Gate Oxide Integrity,” 1997 Spring Meeting of Mat. Res. Soc. (San Francisco, March 31-April 4, 1997) p. 181 [J4.6/P3.6].
  4. K. Nakagawa, M. Fukuda, S. Miyazaki and M. Hirose, “Self-Assembling of Silicon Quantum Dot and Its Electronic Characterization,” Tech. Dig. of Chemistry and Physics of Small-Scale Structures (Santa Fe, Feb. 9-11, 1997) pp. 21-23 [CSuB4-1].
  5. K. Shibahara, M. Mifuji, K. Kawabata, T. Kugimiya, H. Furumoto, M. Tsuno, S. Yokoyama, M. Nagata, S. Miyazaki and M. Hirose, “Low Resistive Ultra Shallow Junction for Sub 0.1μm MOSFETs Formed by Sb Implantation,” Tech. Dig. of The IEEE Int. Electron Devices Meeting (San Francisco, Dec. 8-11, 1996) pp. 579-682 .
  6. J. Xu, K. Chen, D. Feng, S. Miyazaki and M. Hirose, “Raman and FT-IR Study on Structure and Its Nitrogen Alloy,” 1996 Fall Meeting of Mat. Res. Soc. (Boston, Dec. 2-6, 1996) p. 264 [K3.8].
  7. K. Nakagawa, M. Fukuda, S. Miyazaki and M. Hirose, “Self-Assembling Formation of Silicon Quantum Dots by Low Pressure Chemical Vapor Deposition,” 1996 Fall Meeting of Mat. Res. Soc. (Boston, Dec. 2-6, 1996) p. 432 [Q24.4].
  8. M. Hirose and S. Miyazaki, “Strained Bonds at the SiO2/Si Interfaces and Integrity of Ultrathin Oxides,” Proc. of 2nd Int. Symp. on Advanced Sci. and Technol. of Silicon Materials (Kona-Hawaii, Nov. 25-29, 1996) pp. 378-383 .
  9. Y. Yoshida, Y. Miyoshi, S. Miyazaki and m. Hirose, “Atomic Scale Characterization of a-Si:H/a-SiC:H Interface Structures,” Tech. Dig. of 9th Int. Photovoltaic Sci. and Eng. Conf. (Miyazaki, Nov. 11-15, 1996) pp. 655-656 [C-VIII-5].
  10. S. Miyazaki, J. Schaefer, J. Ristein and L. Ley, “Implication of Hydrogen-Induced Boron Passivation in Wet-Chemically Cleaned Si(111):H,” 2nd Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces (Karuizawa, Oct. 28-Nov. 1, 1996) p. 9 [A1-4].
  11. T. Yoshida, D. Imafuku, S. Miyazaki and M. Hirose, “Influence of Organic Molecule Contamination on Quasi-Breakdown of Ultrathin Gate Oxides,” Proc. of 3rd Int. Symp. on Ultra Clean Processing of Silicon Surfaces (Antwerp, Sept. 23-25, 1996) pp. 305-308.
  12. J. Maeda, Y. Sasaki, K. Shibahara, S. Yokoyama, S. Miyazaki and M. Hirose, “High-Rate GaAs Epitaxial Lift-Off Technique for Optoelectronic Integrated Circuits,” Ext. Abst. of 1996 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (Yokohama, Aug. 26-29, 1996) pp. 643-645 [D-4-3].
  13. M. Fukuda, K. Nakagawa, S. Miyazaki and M. Hirose, “Resonant Tunneling Through SiO2/Si Quantum Dot/SiO2 Double Barrier Structures,” Ext. Abst. of 1996 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (Yokohama, Aug. 26-29, 1996) pp. 175-177 [IV-3].
  14. T. Yoshida, S. Miyazaki and M. Hirose, “Analytical Modeling of Quasi-Breakdown of Ultrathin Gate Oxides under Constant Current Stressing,” Ext. Abst. of 1996 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (Yokohama, Aug. 26-29, 1996) pp. 539-541 [B-5-6].
  15. S. Miyazaki, H. Nishimura and M. Fukuda, L. Ley and J. Ristein, “Structure and Electronic States of Ultrathin SiO2 Thermally-Grown on Si(100) and Si(111) Surfaces,” 8th Int. Conf. on Solid Films and Surfaces (Osaka, July, 1-5, 1996) p. 41 [TuB-4].
  16. S. Miyazaki, A. Mouraguchi and K. Shiba, “Fabrication of Silicon Nanocrystallines by Oxidation/Annealing of Polysilane Films and Their Luminescence Properties,” 1996 Spring Conf. of European Material Research Society (Strasbourg, June 4-7, 1996) p. L-9 [L-V.6].
  17. M. Hirose, J. L. Alay, T. Yoshida and S. Miyazaki, “Electronic Density of States at the Ultrathin SiO2/Si Interfaces,” 3rd Int. Symp. on the Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 Interface (Los Angels, May 5-10, 1996) p. 630 [No. 481].
  18. [招待講演] 宮崎誠一, 福田雅俊, 柴和利, 中川和之, 廣瀬全孝, 香野淳, Si量子ドットの自己組織化形成と室温量子物性, 電子情報通信学会, 電子デバイス研究専門委員会, 単電子デバイス特別ワークショップ, 1997年3月14日, 広島アステールプラザ, 信学技報, ED96‐221, pp. 39-48.
  19. [招待講演] 宮崎誠一, 廣瀬全孝, 極薄シリコン酸化膜の構造と電子状態, 第57回応用物理学会学術講演会, シンポジウム「シリコン自然酸化膜から極薄酸化膜の形成と物理(I)」, 1996年9月9日、九州産業大学, 9p‐E‐4, p. 1236.
  20. [招待講演] 宮崎誠一, 薄膜の伝導機能, 日本学術振興会 薄膜第131委員会 第13回薄膜スクール, 1996年6月26‐28日, 和風ペンジョンひまわり苑, 那須塩原 pp. 43-53.

1995年度

  1. M. Hirose, T. Yoshida, J. L. Alay and S. Miyazaki, “Current Transport and Reliability Issues in Ultrathin Gate Oxides,” Proc. of Semiconductor Technical Symp. - Process Technology (Korea, Jan. 25-26, 1996) pp. 93-77.
  2. S. Miyazaki, A. Mouraguchi and M. Shinohara, “Stable Visible Photoluminescence from Annealed Polysiloxene-Based Thin Films,” 1995 Fall Meeting of Mat. Res. Soc. (Boston, Nov. 27-Dec. 1, 1995) p. 716 [EE.8.9].
  3. K. Okamoto, S. Yamakawa, S. Miyazaki and M. Hirose, “Fine SiO2 Pattern Generation by Electron Beam Direct Writing onto Polysiloxene-Based Thin Films and Its Application to Etch Mask,” Proc. of 1995 Dry Process Symp. (Tokyo, Nov. 1-3, 1995) pp. 135-140 [IV-7].
  4. S. Miyazaki, M. Shinohara, A. Mouraguchi and M. Hirose, “Room Temperature Photoluminescence from Annealed Polysiloxene-Based Films,” Proc. 4th China-Japan Symp. on Thin Films (Jiande Zhejiang, Oct. 24-28, 1995) pp. 16-19.
  5. J. Xu, S. Miyazaki, M. Hirose, K. Chen and D. Feng, “High-Quality a-SiGe:H Produced by Nanometer Deposition and Hydrogen Plasma Annealing,” 4th Int. Conf. on Solid-State and Integrated-Circuit Technology (Beijin, Oct. 24-28, 1995) pp. 447-449.
  6. K. Murayama, H. Komatsu, S. Miyazaki and M. Hirose, “Band Gap of Luminescent Porous Silicon,” Int. Symp on Advanced Luminescent Materials (Chicago, Oct. 8-13, 1995).
  7. J. Xu, K. Shiba, S. Miyazaki, M. Hirose, K. Chen and D. Feng, “Device-Grade a-SiGe:H Alloys Prepared by Nanometer Deposition/H2 Plasma Annealing Method,” 16th Int. Conf. on Amorphous Semiconductors - Sci. & Technol. (Kobe, Sept. 4-8, 1995) p. 125 [Mo-P05-1].
  8. K. Murayama, T. Toyama, S. Miyazaki and M. Hirose, “Excitation Spectrum of Luminescence in a-Si:H/a-Si3N4:H Multilayers,” 16th Int. Conf. on Amorphous Semiconductors - Sci. & Technol. (Kobe, Sept. 4-8, 1995) p. 248 [Th-C11-1].
  9. K. Murayama, H. Komatsu, S. Miyazaki and M. Hirose, “Phonon-Assisted Luminescence Excitation in Porous Silicon,” 16th Int. Conf. on Amorphous Semiconductors - Sci. & Technol. (Kobe, Sept. 4-8, 1995) p. 379 [Fr-A15-3].
  10. K. Yamashita, H. Deki, S. Miyazaki and M. Hirose, “Modulation Doping in a-Si:H/a-Ge:H Multilayer Structures,” 16th Int. Conf. on Amorphous Semiconductors - Sci. & Technol. (Kobe, Sept. 4-8, 1995) p. 251 [Th-C11-4].
  11. M. Ohmura, H. Deki, K. Yamashita, S. Miyazaki and M. Hirose, “Implication of Subband Broadening in the Quantum Well of a-Si:H/a-Ge:H Mulatilayers,” 16th Int. Conf. on Amorphous Semiconductors - Sci. & Technol. (Kobe, Sept. 4-8, 1995) p. 311 [Th-P06-4].
  12. Y. Miyoshi, Y. Yoshida, S. Miyazaki and M. Hirose, “Real Time Observation of Surface Reactions During a-Si:H Deposition or H2 Plasma Annealing by Using FT-IR-ATR,” 16th Int. Conf. on Amorphous Semiconductors - Sci. & Technol. (Kobe, Sept. 4-8, 1995) p. 183 [Tu-B06-2].
  13. T. Doi, T. Numba, A. Uehara, M. Nagata, S. Miyazaki, K. Shibahara, S. Yokoyama, A. Iwata, T. Ae and M. Hirose, “Optically Interconnected Kohonen Net for Pattern Recognition,” Ext. Abst. of 1995 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (Osaka, Aug. 21-24, 1995) pp. 1075-1076 [LB-L7].
  14. T. Namba, A. Uehara, T. Doi, T. Nagata, Y. Kuroda, S. Miyazaki, K. Shibahara, S. Yokoyama, A. Iwata and M. Hirose, “High-Efficiency Micromirrors and Branched Optical Waveguides on Si Chips,” Ext. Abst. of 1995 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (Osaka, Aug. 21-24, 1995) pp. 830-832 [C-5-2].
  15. [招待講演] 宮崎誠一, 廣瀬全孝, 化学洗浄したSi表面の構造および電子状態評価, 第43回応用物理学会関連学術講演会, シンポジウム「水洗浄によるSi清浄・完全表面の形成を目指して」, 1996年3月26日, 東洋大学, 28p‐k‐7, p. 1403.

1994年度

  1. [Invited] S. Yokoyama, T. Nagata, T. Namba, Y. Kuroda, T. Doi, K. Miyake, S. Miyazaki and M. Hirose, “Optical Interconnection on Silicon LSI Chips,” 3rd Int. Conf. on Optoelectronic Interconnects: Int. Soc. of Optical Eng. (San Jose, Feb. 8-9, 1995).
  2. [Invited] S. Yokoyama, K. Miyake, T. Nagata, H. Sakaue, S. Miyazaki, Y. Horiike, A. Iwata, T. Ae, M. Koyanagi and M. Hirose, “GaAs/Si Optoelectronic Design and Development at Hiroshima University,” Int. Workshop of Semiconductor Characterization: Present Status and Future Needs (Gaithersburg, Jan. 30- Feb. 2, 1995).
  3. S. Miyazaki, H. Shin, K. Okamoto and M. Hirose, “Wide-Gap Polysilane Produced by Plasma-Enhanced CVD at Cryogenic Temperatures,” 1991 Fall Meeting of Mat. Res. Soc. (Boston, Dec. 3-5, 1991) p. 248 [G8.3].
  4. K. Shiba, S. Miyazaki and M. Hirose, “Excitation Time Dependence of Luminescence Decay in Thermally Oxidized Porous Si,” 1994 Fall Meeting of Mat. Res. Soc. (Boston, Nov. 28-Dec. 2, 1994) [E1.6].
  5. [Invited] M. Hirose, S. Miyazaki, Y. Miyoshi and H. Shin, “Real Time Monitoring of Surface Reactions by Attenuated Total Reflection Spectroscopy,” 1994 Fall Meeting of Mat. Res. Soc. (Boston, Nov. 28-Dec. 2, 1994) [E1.2].
  6. H. Deki, M. Shinohara, T. Yamanishi, S. Miyazaki and M. Hirose, “Growth of Nanometer Thick a-Si:H Films on Atomically Flat, Hydrogen-Terminated Si(111) Surfaces and Their Surface Morphologies Studied by AFM,” Proc. of 1994 Symp. on Dry Process (Tokyo, Nov. 10-11, 1994) pp. 163-168 [IV-8].
  7. Y. Miyoshi, S. George, L. Okada, S. Miyazaki and M. Hirose, “In situ Observation of Surface Reactions During Plasma Enhanced CVD using FT-IR-ATR,” Proc. of 1994 Symp. on Dry Process (Tokyo, Nov. 10-11, 1994) pp. 151-156 [IV-6].
  8. H. Nishimura, T. Yamazaki, S. Miyazaki and M. Hirose, “Thermal Desorption and Chemical Stability of Hydrogen-Terminated Si Surfaces Studied by HREELS,” 2nd Int. Symp. on Ultra Clean Processing of Silicon Surfaces (Bruges, Sept. 19-21, 1994) [Sec.10.3].
  9. M. Fukuda, T. Yamazaki, C. H. Bjorkman, S. Miyazaki and M. Hirose, “AFM Characterization of Thermal Oxides Formed on Atomically Flat Si(111) Surfaces,” 2nd Int. Symp. on Ultra Clean Processing of Silicon Surfaces (Bruges, Sept. 19-21, 1994) [Sec.7-4].
  10. C. H. Bjorkman, M. Fukuda, T. Yamasaki, S. Miyazaki and M. Hirose, “A New Insight into Atomic Scale Morphology of H-Terminated Si(100) Surfaces Studied by FT-IR-ATR and Scanning Probe Microscopies,” Ext. Abst. of 1994 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (Yokohama, Aug. 23-26, 1994) pp. 413-415 [A-1-2].
  11. K. Miyake, T. Namba, K. Hashimoto, H. Sakaue, S. Miyazaki, Y. Horiike, S. Yokoyama, M. Konagai and M. Hirose, “Fabrication and Evaluation of Three-Dimensional Optically-Coupled Common Memory,”  Ext. Abst. of 1994 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (Yokohama, Aug. 23-26, 1994) pp. 965-966 [LD-3].
  12. S. Miyazaki, H. Shin, Y. Miyoshi and M. Hirose, “Real-Time Monitoring of Surface Reactions during Plasma-Enhanced CVD of Silicon,” Ext. Abst. of 1994 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (Yokohama, Aug. 23-26, 1994) pp. 724-726 [A-7-3].
  13. T. Nagata, T. Namba, K. Miyake, T. Doi, T. Miyamoto, Y. Kuroda, S. Yokoyama, S. Miyazaki, M. Konagai and M. Hirose, “Single Chip Integration of LED, Waveguide and Micormirrors,” Ext. Abst. of 1994 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (Yokohama, Aug. 23-26, 1994) pp. 90-92 [S-I-7-4].
  14. K. Murayama, S. Miyazaki and M. Hirose, “Excitation and Radiative Recombination Process in Porous Silicon,” 22nd Int. Conf. on the Physics of Semiconductors (Vancouver, Aug. 15-19, 1994) [ThP-066].
  15. T. Yamazaki, C. H. Bjorkman, S. Miyazaki and M. Hirose, “Local Structure of Ultra-Thin (3-25nm) SiO2 Thermally Grown on Si(100) and (111) Surfaces,” 22nd Int. Conf. on the Physics of Semiconductors (Vancouver, Aug. 15-19, 1994) [Fr2-D2].
  16. S. Miyazaki, K. Sakamoto, K. Shiba and M. Hirose, “Photoluminescence from Anodized and Thermally Oxidized Porous Germanium,” 1994 Spring Conf. of European Material Research Society (Strasbourg, May 24-27, 1994) [F-IX.2].

1993年度

  1. C. H. Bjorkman, T. Yamasaki, S. Miyazaki and M. Hirose, “FTIR-ATR Characterization of Ultra-Thin SiO2 Films on Si,” Proc. of Int. Conf. on Advanced Microelectronic Devices and Processing (Sendai, March 3-5, 1994) pp. 431-434 [SP-17].
  2. M. Fukuda, T. Yamazaki, S. Miyazaki and M. Hirose, “AFM Observation of Atom Steps on Chemically Cleaned or Thermally Oxidized Si(111) Surfaces,” Proc. of Int. Conf. on Advanced Microelectronic Devices and Processing (Sendai, March 3-5, 1994) pp. 355-358 [SP-2].
  3. T. Yamasaki, S. Miyazaki, C. H. Bjorkman, M. Hirose, “Infrared Spectra of Ultra-Thin SiO2 Grown on Si Surface,” 1993 Fall Meeting of Mat. Res. Soc. (Boston, Nov. 29-Dec. 3, 1993) p. 104 [Ca8.5].
  4. H. Deki, S. Miyazaki, M. Ohmura and M. Hirose, “Narrow-Bandgap a-Ge:H/a-Si:H Multilayers for Amorphous Silicon-Based Solar Cells,” Tech. Dig. of Int. Photovoltaic Sci. and Eng. Conf. (Nagoya, Nov. 23-26, 1993) pp. 297-298 [A-IV-8].
  5. T. Yamanishi, S. Miyazaki and M. Hirose, “Laser-Induced Hydrogen Desorption from Polysilane and Its Application to Silicon Pattern Generation,” 1st Int. Conf. on Photo-Excited Processes and Applications (Sendai, Oct. 13-15, 1993) p. 88 [O-2].
  6. H. Deki, S. Miyazaki, M. Ohmura and M. Hirose, “Structural and Optical Properties of a-Si:H/a-Ge:H Multilayers,” 15th Int. Conf. on Amorphous Semiconductors - Sci. & Technol. (Cambridge, Sept. 6-10, 1993) p. 334 [Fr-B15/2].
  7. M. Hiroshima, T. Yasaka, S. Miyazaki and M. Hirose, “Electron Tunneling Through Ultra-Thin Gate Oxide Formed on Hydrogen-Terminated Si(100) Surfaces,” Ext. Abst. of 1993 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (Chiba, Aug. 29-Sept. 1, 1993) pp. 624-626 [PC-2-11].
  8. M. Hirose, M. Hiroshima, T. Yasaka, M. Takakura and S. Miyazaki, “Ultra-Thin Gate Oxide Grown on Hydrogen-Terminated Silicon Surfaces,” Abst. of 8th Biannual Conf. on Insulating Films on Semiconductors (Delft, June 2-5, 1993) pp. 1-2 [Mci6-2-93].
  9. [Invited] S. Miyazaki, K. Shiba, K. Sakamoto and M. Hirose, “Photoluminescence Studies on Thermally-Oxidized Porous Silicon,” 183rd Meeting of the Electrochem. Soc. (Honolulu, May 16-21, 1993) No.146.
  10. [Invited] M. Hirose and S. Miyazaki, “Light Emission from Porous Si,” Proc. of 8th Japan-Germany Forum on Information Technology (Weimar, May 3-5, 1993) pp. 1-13 [Sec. 3-4].
  11. [Invited] M. Hirose, T. Yasaka, M. Hiroshima, M. Takakura and S. Miyazaki, “Structural and Electrical Characterization of Ultra-Thin SiO2 Grown on Hydrogen-Terminated Silicon Surfaces,” 1993 Spring Meeting of Mat. Res. Soc. (San Francisco, April 13-15, 1993) p. 456 [Y10.1].

1992年度

  1. M. Hirose, K. Okamoto, Z. J. Radzimski and S. Miyazaki, “Ultra-Fine Silicon Structures Fabricated by Electron Beam Induced Modification of Polysilane,” Proc. of Int. Workshop on Electron-Beam Assisted Processes (Nagoya, Jan. 13-14, 1993) pp. 72-77.
  2. M. Hirose and S. Miyazaki, “Characterization of TCO/Window Layer Interfaces - Effect of Impurity Diffusion Barrier,” Proc. 5th Int. "Sunshine" Workshop on Solar Cells (Tokyo, Dec. 8-9, 1992) pp. 69-76.
  3. S. Miyazaki, K. Shiba, K. Sakamoto and M. Hirose, “Intense Visible Luminescence from Thermally Oxidized Porous Silicon,” 1992 Fall Meeting of Mat. Res. Soc. (Boston, Nov. 30-Dec. 4 1992) p. 230 [F13.7].
  4. S. Miyazaki, K. Sakamoto, K. Shiba and M. Hirose, “Metastability of Luminescent Porous Silicon,” 1992 Fall Meeting of Mat. Res. Soc. (Boston, Nov. 30-Dec. 4 1992) p. 232 [F14.11].
  5. H. Shin, M. Hashimoto, K. Okamoto, S. Miyazaki and M. Hirose, “High-Fluidity Deposition of Si By Plasma Enhanced CVD of Si2H6,” Proc. of 1992 Symp. on Dry Process (Tokyo, Oct. 29-30, 1992) pp. 188-185 [IV-4].
  6. M. Tkakura, A. Kajiyama, S. Miyazaki and M. Hirose, “Leakage Current Reduction in Shallow p+n Junctions Produced by Cryogenic Temperature BF2+ Ion Implantations,” Ext. Abst. of 3rd Int. Conf. on Solid State and Integrated Circuit Technol. (Beijing, Oct. 18-24, 1992) pp. 124-126.
  7. [Invited] M. Hirose, T. Yasaka, M. Takakura and S. Miyazaki, “Chemical Bonding and Oxidation of HF or BHF Treated Silicon Surfaces,” 1st Int. Symp on Ultra Clean Processing of Silicon Surfaces (Leuven, Sept. 17-19, 1992).
  8. H. Okano, H. Takata, T. Nakano, T. Tanaka, S. Miyazaki, M. Hirose, H. Taukamoto, S. Yokoyama, T. Aibara and M. Koyanagai , “Parallel Data Inspection Operation in Three-Dimensional Content Addressable Memory with Optical Interconnection,”  Ext. Abst. of 1992 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (Tsukuba, Aug. 26-28, 1992) pp. 592-594 [B-5-1].
  9. K. Shiba, K. Sakamoto, S. Miyazaki and M. Hirose, “Intense Luminescence from Thermally-Oxidized Porous Silicon,” Ext. Abst. of 1992 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (Tsukuba, Aug. 26-28, 1992) pp. 699-700 [LD-6].
  10. [Invited] M. Hirose, H. Shin and S. Miyazaki, “A New Horizon of Plasma Enhanced CVD for Future Electron Devices,” Ext. Abst. of 1992 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (Tsukuba, Aug. 26-28, 1992) pp. 13-16 [A-1-1].
  11. K. Okamoto, H. Shin, K. Shiba, S. Miyazaki and M. Hirose, “Sub-Half-Micron Silicon Pattern Generation by Electron Beam Direct Writing on Polysilane Films,” Dig. of Papers 5th Inter. Micro Process Conf. (Kawasaki, July 13-16, 1992) pp. 194-195.
  12. T. Yamanishi, S. Miyazaki and M. Hirose, “Laser-Induced Modification of Silicon at Low Temperatures,” Proc. of 2nd Int. Conf. on Laser Advanced Materials Processing (Nagaoka, June 7-12, 1992) pp. 1147-1151.
  13. [Invited] M. Hirose, T. Takakura, T. Yasaka and S. Miyazaki, “Native Oxide Growth and Hydrogen Bonding Features on Chemically Cleaned Silicon Surfaces,” 2nd Int. Symp. on the Phys. and Chem. of SiO2 and the Si-SiO2 Interface (St. Louis, May 17-22, 1992) p. 154C.
  14. M. Tkakura, T. Yasaka, S. Miyazaki and M. Hirose, “Chemical Structure of Native Oxide Grown on Hydrogen-Terminated Silicon Surfaces,” 1992 Spring Meeting of Mat. Res. Soc. (San Francisco, April 12-16, 1992) p. 48 [B2.9].
  15. T. Yasaka, M. Takakura, K. Sawara, S. Uenaga, H. Yasutake, S. Miyazaki and M. Hirose, “Cleaning and Oxidation of Heavily Doped Si Surfaces,” 1992 Spring Meeting of Mat. Res. Soc. (San Francisco, April 12-16, 1992) p. 56 [B6.4].

 

1991年度

  1. K. Sawara, T. Yasaka, S. Miyazaki and M. Hirose, “Effect of Pure Water Rinse on HF or BHF Treated Silicon Surfaces,” Tech. Dig. of Int. Workshop on Sci. and Technol. For Surface Reaction Process (Tokyo, Jan. 22-24, 1992) pp. 93-94 [23PC-06].
  2. S. Miyazaki, T. Yasaka, K. Okamoto, K. Shiba, K. Sakamoto and M. Hirose, “Structural Characterization of Porous Silicon Fabricated by Electrochemical and Chemical Dissolution of Si Wafers,” 1991 Fall Meeting of Mat. Res. Soc. (Boston, Dec. 3-5, 1991) [AA].
  3. [Invited] M. Hirose, T. Yasaka, K. Kanda and S. Miyazaki, “Oxidation Mechanism of HF-Treated Silicon Surfaces,” Proc. of Symp on Advanced Sci. and Technol. of Silicon Materials (Kona, Nov. 25-29, 1991) pp. 333-338], 00.
  4. H. Shin, K. Okamoto, S. Miyazaki and M. Hirose, “Effect of Substrate Bias on Silicon Thin Film Growth in Plasma Enhanced CVD at Cryogenic Temperatures,” Proc. of 1991 Symp on Dry Process (Tokyo, Oct. 23-24, 1991) pp. 151-156 [VI-2].
  5. [Invited] M. Hirose, T. Yasaka, K. Kanda, M. Takakura and S. Miyazaki, “Behavior of Hydrogen and Fluorine Bonds on Chemically Cleaned Silicon Surfaces,” 2nd Int. Symp. on Cleaning Technology in Semiconductor Device Manufacturing (Phenix, Oct. 13-18, 1991): J. Electrochem. Soc. [404C].
  6. H. Shin, H. Ichihashi, S. Miyazaki and M. Hirose, “High-Fluidity CVD of Silicon Oxide from Si4 + O2 Plasma,” Ext. Abst. of 1991 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (Yokohama, Aug. 27-29, 1991) pp. 201-203 [S-D-9].
  7. M. Takakura, T. Kinoshita, T. Uranishi, S. Miyazaki, N. Koyanagi and M. Hirose, “BF2+ Ion Implantation into Very-Low-Temperature Si Wafer,” Ext. Abst. of 1991 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (Yokohama, Aug. 27-29, 1991) pp. 219-221 [PB2-1].
  8. T. Yasaka, K. Kanda, K. Sawara, S. Miyazaki and M. Hirose, “Chemical Stability of HF-Treated Si(100) Surfaces,” Ext. Abst. of 1991 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (Yokohama, Aug. 27-29, 1991) pp. 487-489 [S-B-3].
  9. H. Shin, S. Miyazaki and M. Hirose, “A New Deposition Mode in Plasma-Enhanced Cryogenic CVD,” 14th Int. Conf. on Amorphous Semiconductors - Sci. & Technol. (Garmisch-Partenkirchen, Aug. 19-23, 1991) p. 275 [Th-E1-6].
  10. K. Murayama, S. Miyazaki and M. Hirose, “Phonon Interaction in the Photoluminescence of a-Si:H/a-Si3N4:H Multilayers,” 14th Int. Conf. on Amorphous Semiconductors - Sci. & Technol. (Garmisch-Partenkirchen, Aug. 19-23, 1991) p. 221 [Th-C2-3].
  11. S. Miyazaki, K. Yamada and M. Hirose, “Optical and Electrical Properties of a-Si3N4:H/a-Si:H Superlattices Prepared by Plasma-Enhanced Nitridation Technique,” 14th Int. Conf. on Amorphous Semiconductors - Sci. & Technol. (Garmisch-Partenkirchen, Aug. 19-23, 1991) p. 73 [Mo-E2-1].
  12. H. Shin, S. Miyazaki, H. Ichihashi and M. Hirose, “Silicon Film Growth at Cryogenic Temperatures from Silane Plasma,” Proc. of Int. Seminar on Reactive Plasma (Nagoya, June 17-19, 1991) pp. 201-204.
  13. [Invited Plenary] M. Hirose, H. Shin, S. Miyazaki and Y. Horiike, “New Trends in Plasma Etching and CVD,” Proc. of 8th Int. Colloquium on Plasma Processes (Antibes, June 10-13, 1991) pp. 105-112.
  14. T. Yasaka, M. Takakura, S. Miyazaki and M. Hirose, “Layer-by-Layer Oxidation of Silicon,” 1991 Spring Meeting of Mat. Res. Soc. (Anaheim, April 29-May 3, 1991) [A4.7].