広島大学 大学院先端物質科学研究科 半導体集積科学専攻

研究設備

プラズマ化学気層堆積装置

アユミ工業

(上左)CCP (上右)ICP (下)remote-ICP

 

 

薄膜形成用プラズマCVD装置です。

CCPではn型アモルファスシリコン膜、ICPではアモルファスシリコン膜、アモルファスゲルマニウム膜

リモートプラズマCVD装置ではSiO2、SiNx膜等の絶縁膜を成膜します。

試料サイズは4inch基板まで成膜可能。