シリコン材料・デバイス研究会(SDM)

名古屋大学・ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー  2014年6月19日(木)

浜田 慎也(M1):口頭発表
 “Ge基板中のAs高効率活性化と低抵抗浅接合形成”

-感想-
  SDM研究会で発表をさせて頂きました。
  学校外での初めての口頭発表だったので、とても緊張しましたが大変価値のある大きな経験となりました。
  質疑応答も含め様々な意見、コメントをいただくことができたと同時に、
  他の研究グループの方の研究についても知ることができ自分の研究の立ち位置や、
  今盛んに行われている研究など、非常に多くの知見を得ることができました。


応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会

島根大学(松江キャンパス 大学ホール)  2014年7月26日          

廣松 志隆(M1):口頭発表
“Si 挿入層の不純物濃度に依存した4H-SiC のコンタクト特性” Da-6
浜田 慎也(M1):口頭発表
“アモルファス化促進によるGe 中As の高効率活性化” Da-7

-感想-
廣松 志隆(M1):口頭発表
  今年の夏に開催された応物支部講演会が、私の人生初の学外発表でした。
  発表を終えて反省点は多々ありましたが、特に強く感じたことは「事前の準備」の大切さです。
  この「事前」というのは発表本番前ということではなく、予稿の段階でのことです。
  予稿の時点でほぼ発表出来るところまで仕上がっており、残りの期間で研究の補完し発表に臨む。
  こんなことは当たり前であり、ここで述べる程の大層な事でもありません。
  しかし、私が想像していた以上にこの当たり前は難しく、大切であることを痛感しました。
  今後の研究ないしは社会に出た時、この当たり前を着実に行い物事に取り組もうと思います。