2014年 薄膜材料デバイス研究会 第11回研究集会

龍谷大学 アバンティ響都ホール   2014年10月31日~11月1日   

口頭発表
   赤澤 宗樹(D3)「メニスカス力局所転写技術を利用したガラス基板上単結晶シリコン薄膜トランジスタの作製」31R02
ポスター発表
   森崎 誠司(D3)「a-Siパターンを用いた大気圧熱プラズマジェット結晶成長の制御による薄膜トランジスタの特性ばらつき評価」31P23
   中川 明俊(M1)「圧力制御によるフレキシブル基板上への中空構造SOI層の転写」01P18
   石丸 凌輔(M1)「大気圧熱プラズマジェット照射による4H-SiC上SiO2堆積膜の急速熱処理」01P22
   丸山 佳祐(M2)「大気圧熱プラズマジェット照射急速熱処理中の冷却速度制御と4H-SiC中不純物活性」31P21


-感想-
赤澤 宗樹(D3): 口頭及びポスター発表    
   10月31日から2日間開催された「薄膜材料デバイス研究会」に参加しました。
   初日に口頭発表、二日目にポスター発表を行い、自身の研究内容を会議の参加者に広くアピール出来ました。
   口頭発表はバンケットであったため初めのうちは少し緊張しましたが、皆さんリラックスして聴いて下さいましてこちらも落ち着いて発表出来ました。
   また、ポスター発表を見に来て下さった方には様々な観点からアドバイスを頂きました、今後の研究に活かしたいと思います。
   最後に、参加者の皆様に発表内容を評価して頂き、スチューデントアワードを受賞することが出来ました。
   今後の研究活動の励みにしたいと思います。