2014年 第75回 応用物理学会秋季学術講演会

北海道大学札幌キャンパス   2014年9月17日~20日   

分科企画シンポジウム
   日時:2014年9月17日(水)14:00~14:30  
   “大気圧熱プラズマ結晶化および単結晶薄膜転写によるガラスおよびプラスティック上の高性能薄膜トランジスタ作製”
   講演者:東 清一郎(教授)

講演奨励賞受賞記念講演
   日時:2014年9月20日(土)10:30~10:45
   “メニスカス力を用いた中空構造SOI 層の低温転写とフレキシブル基板上での単結晶シリコンTFT の作製”
   講演者:酒池 耕平(学振特別研究員)

ポスター発表
   丸山 佳祐(M2) “大気圧熱プラズマジェット照射急速熱処における4H-SiC中の不純物活性化と冷却速度制御”
   石丸 凌輔(M1) “大気圧熱プラズマジェット照射による4H-SiC上SiO2堆積膜の改善”
   花房 宏明(助教)“EBSDパターン明瞭度を用いたリン注入4H-SiC層の結晶性評価”

口頭発表
   中谷 太一(M1) “大気圧マイクロ熱プラズマジェット結晶化Ge膜を用いたTFTの電気特性評価”
   山本 将悟(M2) “マイクロ熱プラズマジェット結晶化によるSi極細線の電気特性評価及び薄膜トランジスタ応用”


-感想-
中谷 太一(M1): 口頭発表 
   学会での口頭発表は初めてだったのでとても緊張しましたが、研究について分かりやすく伝えるために研究成果を見つめ直すことができ、良い経験となりました。
   質疑応答では全ての質問に正確に答えることはできませんでしたが、多くの方に質問、意見を頂き自分の研究の理解を深めることができました。
   9月17日~9月20日に北海道で開催された第75回秋季応用物理学会において、口頭発表をさせて頂きました。

石丸 凌輔(M1): ポスター発表
   第75回秋季応用物理学会に参加し、ポスター発表をさせて頂きました。
   多くの方々から様々な質問や意見を頂き、議論を通して自分の研究に関し新たな視点から考えることができました。
   また、SiC上絶縁膜に関して研究されている方々と情報交換することができ、非常に有意義な時間を過ごすことができました。