広島大学 大学院先端物質科学研究科 半導体集積科学専攻

研究設備

汎用熱処理炉

アサヒ理化製作所

使用ガス:N2、H2

試料の900℃程度まで加熱可能な汎用アニール炉です。

主にプラズマCVDにより製膜したアモルファスシリコン、ゲルマニウム膜の固相結晶化、脱水素処理に使用しています。

また、デバイス作製後の欠陥低減熱処理にも利用しています。

試料サイズは4inch基板まで搬入可能。