薄膜材料デバイス研究会
なら100年会館, 2012年11月2日・3日

 


  11名が参加、発表を行いました

 


   (ポスターセッション/ ショートプレゼンテーション)

 
発表者:田中敬介(M1)
“熱プラズマジェット照射によるガラス基板上a-Si膜の結晶化における残留応力とクラック発生の調査”

発表者:酒池 耕平(D2)
“近赤外半導体レーザ光照射によるSi 膜の転写メカニズムの解明と転写Si 膜の電気特性および欠陥密度評価”

発表者:中村 将吾(M1)
“近赤外半導体レーザ光照射によるポーラスシリコン上へのSi膜の転写及び面方位制御”

発表者:上倉 敬弘 (M1)
“大気圧マイクロ熱プラズマジェットを用いたa-Ge膜結晶化における結晶成長観察”

発表者:水野 翼(M1)
“誘導結合型プラズマ化学気相堆積法を用いた高品質a-Si:Hパッシベーション膜の形成”

発表者:赤澤 宗樹(D1)
“キャリアガス搬送Siパウダーへのレーザ照射による結晶Siの形成”

発表者:藤田 悠二(M2)
“アモルファスシリコン細線及びスリットマスクを用いたマイクロ熱プラズマジェット結晶化における結晶成長制御及びTFT応用”

発表者:小林 義崇 (M2)
“近赤外半導体レーザ光照射によるP ドープ a-Si 膜の転写と同時活性化技術”

発表者:芦原 龍平 (M2)
“大気圧熱プラズマジェット照射によるSiCウェハの急速熱処理”

発表者:小柳俊貴(M2)
“大気圧熱プラズマジェット照射及び高圧水蒸気熱処理による低温堆積SiO2/Si界面の改質及び少数キャリアライフタイムの向上” 








発表者:林 将平 (D2)
“大気圧マイクロ熱プラズマジェット照射によるa-Si膜結晶化メカニズムの解明”

 (オーラルセッション)

発表者:林 将平 (D2)
“大気圧マイクロ熱プラズマジェット照射によるa-Si膜結晶化メカニズムの解明”