2012 MRS Spring Meeting & Exhibit
Moscone West Convention Center | Marriott Marquis - San Francisco, California,
April 9 - April 13, 2012 
 Activation of Phosphorus Atoms in Amorphous Si Films and Simultaneous Layer Transfer Technique by Near-infrared Semiconductor Diode Laser Irradiation” 
Yoshitaka Kobayashi, Kohei Sakaike, Mitsuhisa Ikeda, and Seiichiro Higashi



2012 MRS Spring Meeting & Exhibit
Moscone West Convention Center | Marriott Marquis - San Francisco, California,
April 9 - April 13, 2012

“Rapid Thermal Annealing by Atmospheric Pressure Micro-thermal–Plasma–jet and Its Application to Thin Film Transistor Fabrication –Crystallization,Doping, and Reliability Improvement”
(Invited)           Seiichiro Higashi

                                                                                                                            
12th International Workshop on Junction Technology,(IWJT2012 )
FuXuan Hotel at Fudan University,Shanghai, China,May 14 - 15, 2012

"Application of Atmospheric Pressure Micro-Thermal-Plasma-Jet to Ultra Rapid Thermal Annealing  for Semiconductor Device Fabrication"
(Invited)          Seiichiro Higashi                       

2012 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications ofAdvanced Semiconductor
Devices(AWAD2012)

Okinawa Seinen-kaikan, Naha, Japan, June 27 – 29, 2012

“Photoexcited Carrier Transfer in NiSi-Nanodots/Si-Quantum-Dots Hybrid Floating Gate in MOS Structures”

“Evaluation of Chemical Composition and Bonding Features of Pt/SiOx/Pt MIM Diodes and Its Impact on Resistance Switching Behavior”

“Improvement of Low-Temperature-Deposited SiO2 and Si/SiO2 interface Properties by Thermal-Plasma-Jet Annealing and Heat Treatment in High-Pressure H2O Vapor”

“Control of Interfacial Reaction of HfO2/Ge Structure by Insertion of Ta Oxide Layer”

THE NINETEENTH INTERNATIONAL WORKSHOP ON ACTIVE-MATRIX FLATPANEL DISPLAYS AND DEVICES — TFT Technologies and FPD Materials—(AM-FPD12)
Ryukoku University Avanti Kyoto Hall, Kyoto, Japan, July 4-6, 2012                

 “Crystallization of Amorphous Silicon Films by High-Frequency Tapping of Molten Silicon Using PiezoActuator”                                               

 “Control of Crystal Growth Orientation by Micro-Thermal-Plasma-Jet Induced Melting and  Solidification of Silicon Films on Porous Silicon Underlayer”

 

  

 2012年度 支部学術講演会   山口大学 常盤キャンパス, 2012年7月28日

“HfO2/Ge界面へのTaOx層挿入による界面反応制御と物性評価”

 

  2012年秋季 第73回 応用物理学会学術講演会   愛媛大学、2012年9月11日~14日

 ゲルマニウムドライ酸化における基板面方位依存性”

“As +イオン注入した4H -SiC 基板の化学結合状態評価 ”

“As+イオン注入したGe(100)の光電子分光分析”

“キャリアガス搬送シリコンパウダーへのレーザ照射による結晶Siの形成”

“ガラス基板上a-Si膜の熱プラズマジェット結晶化におけるクラック発生と残留応力”

“マイクロ熱プラズマジェット照射高速横方向結晶化における スリットマスクを用いたSi結晶成長制御”

“大気圧マイクロ熱プラズマジェット照射によるa-Si膜の Leading Wave Crystallization”

“誘導結合型プラズマ化学気相堆積法を用いたa-Si:H膜による結晶シリコン表面パッシベーョン”

“大気圧マイクロ熱プラズマジェット照射lによるa-Ge膜結晶化過程の直接観察”

“TaOx/p-Ge(100)界面の エネルギーバンドアライメト評価 とAl電極ショットキーダイオードの伝導制御”

“アモルファスSi層を介した金属とGeのコンタクト特性”

“近赤外半導体レーザ照射による転写Si膜の電気特性及び欠陥密度評価”

“近赤外半導体レーザ光照射によるポーラスシリコン上への a-Si 膜の転写と結晶成長制御 (Ⅱ)” 

   2012秋季応物参加者リスト