花房 宏明 (はなふさ ひろあき)


先端物質科学研究科 量子半導体工学研究室  助教


〒739-8530

広島県 東広島市 鏡山1-3-1

広島大学大学院 先端物質科学研究科 量子半導体工学研究室

TEL: 082-424-7648

FAX: 082-422-7038

E-mail: hanafus@***

お手数ですが***はhiroshima-u.ac.jpに変換してください

 


 2017/9/5更新

生年

 学歴

 

職歴

2012年3月1日~    広島大学 大学院先端物質科学研究科 助教

2011年4月1日~2012年2月29日           東京農工大学 工学部・工学府 特任助教

 

 専門分野

 所属学協会

 


 業績リスト

   学術論文  

  1. R. Nakashima, R. Shin, H. Hanafusa, and S. Higashi, “Generation of ultra high-power thermal plasma jet and its application to crystallization of amorphous silicon films,” Jpn. J. Appl. Phys., 56 (6S2), (2017) 06HE05-1 - 06HE05-4.
  2. H. Hanafusa, R. Ishimaru, and S. Higashi, “High-temperature and high-speed oxidation of 4H-SiC by atmospheric pressure thermal plasma jet,” Jpn. J. Appl. Phys., 56 (4), (2017) 040304-1 - 040304-3.
  3. K. Maruyama, H. Hanafusa, R. Ashihara, S. Hayashi, H. Murakami, and S. Higashi, “High-efficiency impurity activation by precise control of cooling rate during atmospheric pressure thermal plasma jet annealing of 4H-SiC wafer,” Jpn. J. Appl. Phys., 54 (2015) 06GC01-1 - 06GC01-8.
  4. H. Hanafusa, K. Maruyama, S. Hayashi, and S. Higashi, “Estimation of Phosphorus-implanted 4H-SiC Layer Recrystallization by EBSD Pattern Analysis,” Mat. Sci. Forum, 821, pp. 391-394 (2015).
  5. H. Murakami, S. Hamada, T. Ono, K. Hashimoto, A. Ohta, H. Hanafusa, S. Higashi, and S. Miyazaki, “Pre-Amorphization and Low-Temperature Implantation for Efficient Activation of Implanted As in Ge(100),” ECS Trans., 64 (6), (2014), pp. 423-429.
  6. H. Hanafusa. A. Ohta, R. Ashihara, K. Maruyama, T. Mizuno, S. Hayashi, H. Murakami, and S. Higashi, “Properties of Al Ohmic contacts to n-type 4H-SiC employing a Phosphorus-Doped and Crystallized Amorphous-Silicon Interlayer,” Materials Science Forum Vols. 778-780 (2014) pp. 649-652.
  7. H. Hanafusa, N. Hirose, A. Kasamatsu, T. Mimura, T. Matsui, and Y. Suda, “Ge Flat Layer Growth on Heavily Phosphorus-Doped Si(001) by Sputter Epitaxy,” Jpn. J. Appl. Phys., 51(5), (2012) 055502-1-055502-4.
  8. S. Hayashi, Y. Fujita, T. Kamikura, K. Sakaike, M. Akazawa, M. Ikeda, H. Hanafusa, and S. Higashi, “Direct observation of grain growth from molten silicon formed by micro-thermal-plasma-jet irradiation,” Appl. Phys. Lett., 101 ,(2012) 172111-1-172111-4.
  9. Y. Suda, H. Hanafusa, M. Yoshikawa, M. Kanazawa, “SiGe Sputter Epitaxy Technique and Its Application to SiGe Devices,” Procedia Engineering, Volume 36, 2012, Pages 396-403.
  10. H. Hanafusa, N. Hirose, A. Kasamatsu, T. Mimura, T. Matsui, and Y. Suda, “Ge Flat Layer Growth on Heavily Phosphorus-Doped Si(001) by Sputter Epitaxy,” Jpn. J. Appl. Phys. 51 (2012) 055502.
  11. H. Hanafusa, N. Hirose, A. Kasamatsu, T. Mimura, T. Matsui, H. M. H. Chong, H. Mizuta, and Y. Suda, Si/Ge Hole-Tunneling Double-Barrier Resonant Tunneling Diodes Formed on Sputtered Flat Ge Layers, Appl. Phys. Express 4 (2011) 024102.
  12. H. Hanafusa, N. Hirose, A. Kasamatsu, T. Mimura, T. Matsui, H. M. H. Chong, H. Mizuta, and Y. Suda, Strain Distribution Analysis of Sputter-Formed Strained Si by Tip-Enhanced Raman Spectroscopy, Appl. Phys. Express 4 (2011) 025701.
  13. H. Hanafusa, Y. Suda, N. Hirose, A. Kasamatsu, T. Mimura, and T. Matsui, Crystalline Ge Layer Growth on Si(001) by Sputter Epitaxy Method, Book of 1st Int. Workshop on Si based Nano-electronics and –photonics eds by S. Chiussi, P. Alpuim, J. Murota, P. González, J. Serra, and B. León (Netbiblo, Spain, 2009)pp.137-138.
  14. H. Hanafusa, Y. Suda, A. Kasamatsu, N. Hirose, T. Mimura, and T. Matsui, “Strain-Relaxed Si1-xGex and Strained Si Grown by Sputter Epitaxy,” Jpn. J. Appl. Phys., 47 (2007) pp. 3020-3023.

 


 国際会議発表

  1. T. Hieda, H. Hanafusa, S. Higashi, “Investigation on Crack suppression by Thermal-Plasma-Jet Crystallization of Amorphous Silicon Films on Flexible Glass Substrate,” 231st Electrochem. Soc. (ECS) Meeting (New Orleans, LA, USA, May. 28 - Jun.1, 2017). #1019.
  2. T. Hieda, H. Hanafusa, and S. Higashi, “Investigation on Crack Suppression Mechanism in Micro-Thermal-Plasma-Jet Crystallization of Amorphous Silicon Films on Flexible Glass Substrate,” Ext. Abs. Int. Workshop Nanodevice Technologies 2017 (IWNT2017), (Higashi-Hiroshima, Japan, Mar. 2, 2017), pp. 50-51.
  3. T. Taniguchi, H. Hanafusa, and S. Higashi, “Formation of Ohmic Contact for N-type 4H-SiC Layer by Silicon Cap Annealing,” Ext. Abs. Int. Workshop Nanodevice Technologies 2017 (IWNT2017), (Higashi-Hiroshima, Japan, Mar. 2, 2017), pp. 52-53.
  4. J. Inoue, H. Hanafusa, and S. Higashi, “Development of Self-Align Process Technique for 4H-SiC MOSFET with Thermal-Plasma-Jet Annealing,” Ext. Abs. Int. Workshop Nanodevice Technologies 2017 (IWNT2017), (Higashi-Hiroshima, Japan, Mar. 2, 2017), pp. 54-55.
  5. T. Hieda, R. Shin, H. Hanafusa, S. Higashi, “Micro-thermal-plasma-jet Crystallization of Amorphous Silicon Films on Flexible Glass Substrate,” 34th Symposium on Plasma Processing (SPP34) / The 29th Symposium on Plasma Science for Materials (SPSM29), (Hokkaido, Japan, Jan. 16-18, 2017), 17pB5.
  6. R. Nakashima, R. Shin, H. Hanafusa and S. Higashi, “Generation of Ultra High Power Thermal Plasma Jet (Super TPJ) and Its Application to Crystallization of Amorphous Silicon Films,” Proc. Int. Symp. Dry Process (DPS2016), (Sapporo, Japan, Nov. 21-22, 2016), pp. 33-34.
  7. H. Harada, R. Shin, H. Hanafusa, S. Higashi, “Crystallization and Activationof P+ Dope a-Ge Film by Atmospheric Pressure Micro-Thermal-Plasma-Jet,” Ext. Abs. 2016 Int. Conf. Solid State Dev. Mat. (SSDM2016), (Tsukuba, Japan, Sept. 26-29, 2016), pp. 193-194. D-2-03.
  8. H. Hanafusa, R. Ishimaru, S.Higashi, “High-temperature Oxidation of 4H-SiC by Thermal-Plasma-Jet, 11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2016), (Halkidiki, Greece, Sept. 25-29, 2016), pp. 243-244. MoP.15. (p.34)
  9. R. Ishimaru, H. Hanafusa, K. Maruyama, S. Higashi, “Atmospheric Pressure Thermal-Plasma-Jet Oxidation of 4H-SiC,” 68th Annual Gaseous Electronics Conference/9th International Conference on Reactive Plasmas/33rd Symposium on Plasma Processing (ICRP-9/GEC-68/SPP-33), (Honolulu, Hawaii, Oct.12-16, 2015).
  10. H. Hanafusa, K. Maruyama, R. Ishimaru, S. Higashi, “High Efficiency Activation of Phosphorus Atoms in 4HSiC by Atmospheric PressureThermal Plasma Jet Annealing,” 16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2015), (Giardini, Naxos, Italy, Oct. 4 - 9, 2015).
  11. K. Maruyama, H. Hanafusa, S. Hayashi, H. Murakami and S. Higashi, “High-Efficient Activation of Implanted Phosphorus-ion in 4H-SiC by Precise Control of Cooling Rate during Atmospheric Pressure Thermal Plasma Jet Annealing,” Ext. Abs. Int. Workshop Nanodevice Technologies 2015 (IWNT2015), (Higashi-hiroshima, Japan, Mar. 3, 2014), pp. 56-57.
  12. K. Maruyama, H. Hanafusa, H. Murakami, S. Hayashi, and S. Higashi, “Precise Control of Cooling Rate and Efficient Activation of Phosphorus Atoms in 4H-SiC wafer,” Proc. Int. Symp. Dry Process (DPS2014), (Yokohama, Japan, Nov. 27-28, 2014), pp. 111-112.
  13. H. Murakami, S. Hamada, T. Ono, K. Hashimoto, A. Ohta, H. Hanafusa, S. Higashi, and S. Miyazaki, "Pre-Amorphization and Low-Temperature Implantation for Efficient Activation of Implanted As in Ge(100)," 2014 ECS and SMEQ Joint Int. Meeting, (Cancun, Mexico, Oct. 5-10, 2014), #1803.
  14. H. Hanafusa, K. Maruyama, S. Hayashi, S. Higashi, “Estimation of Phosphorus-implanted 4H-SiC Layer Activation by EBSD pattern analysis,” 10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2014), (Grenoble, France, Sept. 21-25, 2014), WE-P-43.
  15. T. Ono, K. Hashimoto, A. Ohta, H. Murakami, H. Hanafusa, S. Higashi, S. Miyazaki, “Study on As+ Ion Implantation into Ge at Different Substrate Temperatures,” Ext. Abs.2013 Int. Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES- SCIENCE AND TECHNOLOGY –(2013 IWDTF), (Tokyo, Japan, Nov. 7-9, 2013) S6-3, pp. 127-128.
  16. H. Hanafusa, A. Ohta, R. Ashihara, K. Maruyama, T. Mizuno, S. Hayashi, H.Murakami, and S. Higashi, “Contact Property of 4H-SiC with Phosphorus-Doped and Crystallized Amorphous-Silicon Insertion Layer,” Tech. Dig.The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013 (ICSCRM2013), (Miyazaki, Japan, Sept. 29-Oct. 4, 2013), p. 22.
  17. H. Hanafusa, R. Ashihara, K. Maruyama, S. Koyanagi, S. Hayashi, H. Murakami and S. Higashi,“As and Al Activation in SiC Wafer by Atmospheric Thermal Plasma Jet Annealing,”Ext.Abs.2013 Int.Conf. Solid State Dev. Mat.,(SSDM 2013), ( Fukuoka, Japan, Sept.24-27, 2013), pp. 472-473.
  18. K. Maruyama, H. Hanafusa, R. Ashihara, S. Koyanagi, S. Hayashi, H. Murakami, and S. Higashi, “Atmospheric Pressure Thermal Plasma Jet annealing for 4H-SiC and Aluminium Activation,” Proc.  Int. Symp. Dry Process (DPS2013), (Jeju, Korea, Aug. 29-30, 2013), pp. 109-110.
  19. R. Ashihara, H. Hanafusa, H. Murakami, S. Hayashi, and S. Higashi, “Rapid Thermal Annealing of SiC Wafer by Atmospheric Pressure Thermal Plasma Jet Irradiration,” Proc.  Int. Symp. Dry Process (DPS2012), (Tokyo, Japan, Nov.15-16, 2012), pp. 147-148.
  20. S. Hayashi, Y. Fujita, T. Kamikura, K.Sakaike, M. Ikeda, H. Hanafusa and S. Higashi, “Leading Wave Crystallization from Fast Moving Molten Zone Formed by Micro-Thermal-Plasma-Jet Irradiation to Amorphous Silicon Films,” Ext.Abs.2012 Int.Conf. Solid State Dev. Mat., (SSDM2012), (Kyoto, Japan, Sept. 25-27, 2012), pp. 1047-1048.
  21. M. Akazawa, Y. Zhou, K. Sakaike, S. Hayashi, H. Hanafusa, S. Higashi, “Crystallization of Amorphous Silicon Films by High-Frequency Tapping of Molten Silicon Using PiezoActuator,” Proc.AM-FPD 12, (Kyoto, Japan, Jul.4-6, 2012), P-33 , pp. 215-218.
  22. S. Koyanagi, S. Hayashi, T. Mizuno, K. Sakaike, H. Hanafusa, S. Higashi, “Improvement of Low-Temperature-Deposited SiO2 and Si/SiO2 interface Properties by Thermal-Plasma-Jet Annealing and Heat Treatment in High-Pressure H2O Vapor,” 2012 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2012), (Naha, Japan, Jun.27–29, 2012), pp. 95-98.
  23. H. Hanafusa, N. Hirose, A. Kasamatsu, T. Mimura, T. Matsui, H. M. H. Chong, H. Mizuta, and Y. Suda, “Phosphorus Mediated Growth of Ge Layer on Si(001) Substrate,” Ext. Abs. of the 2011 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (Nagoya, 2011) pp. 1430-1431.
  24. Y. Suda, H. Hanafusa, M. Yoshikawa and M. Kanazawa, “SiGe Sputter Epitaxy Technique and Its Application to SiGe Devices,” Int. Union of Materials Research Soc., (Taiwan, 2011) pp. 692(1)-(2).
  25. Y. Suda, H. Hanafusa, T. Okubo, K. Kunugi, and H. Oohashi, “Si1-xGex GS-MBE and Sputter Epitaxy Techniques and Their Application to Devices eith Low Dimensional Structures,” 5th Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (Sendai, 2010) pp. 7-8.
  26. H. Hanafusa, M. E. Schmidt, H. M. H. Chong, H. Mizuta, and Y. Suda, “Nano-Scale Strain Measurement by Tip Enhanced Raman Spectroscopy,” International Symposium on Atom-scale Silicon Hybrid Nanotechnologies for ‘More than-Moore’ & ‘Beyond CMOS’ Era (Southampton, 2010)
  27. H. Hanafusa, N. Hirose, A. Kasamatsu, T. Mimura, T. Matsui, H. M. H. Chong, H. Mizuta, and Y. Suda, Strained Si with Smooth and Uniformly Strained Surface Formed by Sputter Epitaxy,” Ext. Abs. of the 2010 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (Tokyo, 2010) pp. 185-186.
  28. H. Hanafusa, N. Hirose, A. Kasamatsu, T. Mimura, T. Matsui, H. M. H. Chong, H. Mizuta, and Y. Suda, “Strain Fluctuation of Smooth Strained-Si Formed by Sputter Epitaxy,” ITP Southampton Symposium. (Southampton, UK, 2010).
  29. H. HANAFUSA, Harold M. H. CHONG, Hiroshi MIZUTA, and Yoshiyuki SUDA, “Investigation of the strained properties of the Si-Ge layer by using integrated AFM-Raman and TERS measurement technique,” ITP Santa Barbara Symposium. (Santa Barbara, USA, 2009).
  30. H. Hanafusa, Y. Suda, N. Hirose, A. Kasamatsu, T. Mimura, and T. Matsui, “Crystalline Ge Layer Growth on Si(001) by Sputter Epitaxy Method,” Book of 1st Int. Workshop on Si based Nano-electronics and –photonics eds by S. Chiussi, P. Alpuim, J. Murota, P. González, J. Serra, and B. León (Netbiblo, Spain, 2009) pp. 137-138.
  31. H. Hanafusa and Y. Suda, “Room-Temperature Operated Si/Si1-xGex Hole-Tunneling Symmetrical Double-Quantum-Well RTD Formed by Sputter Epitaxy,” 3rd Int. SiGe Technology and Device Meeting (Taiwan, 2008) pp. 183-184.
  32. Y. Suda, H. Hanafusa and T. Okubo, “Si1-xGex Epitaxy Techniques and Their Application to Low Dimensional Devices,” 4th Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (Sendai, 2008) pp. 73-74.
  33. Y. Suda, T. Yoichi, M. Hirata, H. Hanafusa, H. Ohashi, N. Hirose, and T. Matsui, “Artificially-Positioned Ge Dot Array Formed by Sputter Epitaxy,” Ext. Abs. 5th Int. Sym. On Control of Semiconductor Interface (The Japan Society of Applied Physics, Hachioji, Japan, 2007) pp. 83-84.
  34. H. Hanafusa, Y. Suda, A. Kasamatsu, N. Hirose, T. Mimura, and T. Matsui, “Strain-Relaxed Si1-xGex and Strained Si Grown by Sputter Epitaxy,” Ext. Abs. 2007 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (Tsukuba, 2007) pp. 292-293.
  35. H. Ohhashi, H. Hanafusa, N. Hirose, A. Kasamatsu, T. Mimura, T. Matsui, and Y. Suda, “Ge Thin Film Growth and Low-dimensional Structure Formation by Sputter Epitaxy,” 6th Nano-Materials and Coherent Photo-Science Symp. (TUAT and ECU, 2009) T-8.
  36. H. Hanafusaa, A. Kasamatsub, N. Hiroseb, T. Mimurab, T. Matsuib, and Y. Suda, “SiGe Sputter Epitaxy Technique and Its Application to Low Dimensional Devices,” ITP Rome Symp. (2008).
  37. H. Hanafusa, A. Kasamatsu1, N. Hirose1, T. Mimura1, T. Matsui1, and Y. Suda, “Application of SiGe Sputter Epitaxy method to Low Dimensional Si Devices,” 5th Nano-Materials and Coherent Photo-Science Symp. (TUAT and ECU, 2008).

 


 国内学会・シンポジウム

  1. 中野 航、花房 宏明、東 清一郎、“円筒型回転ステージを用いたフレキシブルガラス基板上アモルファスシリコン膜の大気圧熱プラズマジェット結晶化および連続結晶成長”、2017年度 応用物理・物理系学会中国四国支部 合同学術講演会(Da-9)P.61.(2017.7.29、愛媛大学 城北キャンパス).
  2. 中野 航、稗田 竜己、花房 宏明、東 清一郎、“回転ステージを用いたフレキシブルガラス基板上アモルファスシリコンの大気圧熱プラズマジェット結晶化”、シリコン材料・デバイス研究会[SDM](2017.4.20-4.21、龍郷町生涯学習センター).
  3. 原田 大夢、東 清一郎、花房 宏明、新 良太、“大気圧マイクロ熱プラズマジェットを用いた高移動度n型Ge膜の作製”、第64回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 14a-304-9(2017.3.14-17、パシフィコ横浜).
  4. 中島 涼介、花房 宏明、東 清一郎、“ハイパワー大気圧熱プラズマジェットの加熱特性評価とシリコン薄膜の結晶成長制御”、第64回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 14a-304-6(2017.3.14-17、パシフィコ横浜).
  5. [招待講演]中島 涼介、新 良太、花房 宏明、東 清一郎、“ハイパワー大気圧熱プラズマジェットの生成とアモルファスシリコン結晶化への応用”シリコンテクノロジー分科会 第199回研究集会、pp. 7-12(2017.2.17、東京大学本郷キャンパス).
  6. 寺本 憲司、花房 宏明、東 清一郎、“大気圧熱プラズマジェットの磁場制御とSiCデバイス作製プロセスに向けた大面積熱処理への応用”、先進パワー半導体分科会 第3回講演会 P-78 (pp. 200-201) (2016.11.8-11.9、つくば国際会議場).
  7. 谷口 太一、花房 宏明、東 清一郎、“Si層挿入によるn型4H-SiCにおけるオーミックコンタクト形成要因の調査” 先進パワー半導体分科会 第3回講演会 P-84 (pp. 212-213)(2016.11.8-11.9、つくば国際会議場).
  8. 花房 宏明、東 清一郎、“大気圧熱プラズマジェットを用いた4H-SiC の熱酸化”、薄膜材料デバイス研究会 第13回研究集会、21p-O02 (pp.49-51)(2016.10.21-10.22、龍谷大学 響都ホール 校友会館).
  9. 中島 涼介、新 良太、花房 宏明、東 清一郎、“ハイパワー大気圧熱プラズマジェット照射によるシリコン薄膜の高速溶融結晶化と結晶成長制御”、薄膜材料デバイス研究会 第13回研究集会、21p-P01 (pp.56-58)(2016.10.21-10.22、龍谷大学 響都ホール 校友会館).
  10. 竹島 真治、水上 隆達、山下 知徳、花房 宏明、東 清一郎、“中空構造 SOI 層を用いたフレキシブル基板への転写技術におけるパターン微小化”、薄膜材料デバイス研究会 第13回研究集会、22p-P02 (pp.133-135)(2016.10.21-10.22、龍谷大学 響都ホール 校友会館).
  11. 稗田 竜己、新 良太、花房 宏明、東 清一郎、“フレキシブルガラス基板上アモルファスシリコン膜の熱プラズマジェット結晶化”、第77回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 14p-B7-6(2016.9.13-16、朱鷺メッセ).
  12. 中島 涼介、新 良太、花房 宏明、東 清一郎、“ハイパワー大気圧熱プラズマジェット照射によるシリコン薄膜の高速溶融結晶化”、第77回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 15a-B10-2(2016.9.13-16、朱鷺メッセ).
  13. 寺本 憲司、花房 宏明、東 清一郎、“交番磁場印加による大気圧熱プラズマジェットの走査と半導体基板の加熱”、 第77回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 15a-B7-8(2016.9.13-16、朱鷺メッセ).
  14. 寺本 憲司、花房 宏明、東 清一郎、“外部磁場印加による大気圧熱プラズマジェット噴出方向制御と半導体基板の加熱”、2016年度 応用物理・物理系学会中国四国支部 合同学術講演会(Aa-10)P.21.(2016.7.31、岡山大学 津島キャンパス).
  15. 寺本 憲司、花房 宏明、東 清一郎、“外部磁場による大気圧熱プラズマジェット噴出方向制御”、第35回電子材料シンポジウム(2016.7.6-7.8、ラフォーレ琵琶湖)pp. 227-228.
  16. 中島 涼介、花房 宏明、東 清一郎、“ハイパワー大気圧熱プラズマジェット照射によるシリコン薄膜の高速溶融結晶化と連続結晶成長”、第63回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 20p-S423-4(2016.3.19-22、東工大 大岡山キャンパス).
  17. 花房 宏明、東 清一郎、“大気圧熱プラズマジェット照射を用いたSiC中P不純物高効率活性化層の結晶性評価”、先進パワー半導体分科会 第2回講演会、P-48(pp.142-143)(2015.11.9-11.10、大阪国際交流センター).
  18. 花房 宏明、石丸 凌輔、東 清一郎、“大気圧熱プラズマジェット照射による高温イオン注入した4H-SiC中Pイオンの高効率活性化”、第76回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 15p-1A-7(2015.9.13-16、名古屋国際会議場).
  19. 石丸 凌輔、花房 宏明、東 清一郎、“大気圧熱プラズマジェットを用いた4H-SiCの熱酸化”、第76回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 16a-1A-5(2015.9.13-16、名古屋国際会議場).
  20. 丸山 佳祐、花房 宏明、林 将平、村上 秀樹、東 清一郎、“大気圧熱プラズマジェット照射急速熱処理の冷却速度制御による4H-SiC中Pの高効率活性化”、 第62回応用物理学会学術講演会 講演予稿集、14a-B4-4 (2015.3.11-14、東海大学 湘南キャンパス).
  21. 浜田 慎也、村上 秀樹、小野 貴寛、大田 晃生、花房 宏明、東 清一郎、宮崎 誠一、“Ge中のn型不純物高効率活性化”、平成26年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会 第1回講演会・見学会 講演予稿集 P8 (2015. 1. 24、広島大学 東広島キャンパス).
  22. 花房 宏明、丸山 圭祐、林 将平、東 清一郎、“電子線後方散乱法を用いたリン注入4H-SiCの結晶性評価”、平成26年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会 第1回講演会・見学会 講演予稿集 P20 2015. 1. 24、広島大学 東広島キャンパス)
  23. 丸山 佳祐、花房 宏明、村上 秀樹、林 将平、東 清一郎、“大気圧熱プラズマジェット照射急速熱処理中の冷却速度制御と4H-SiC中不純物活性”、薄膜材料デバイス研究会 第11回研究集会、31P21 (pp. 128-129)(2014.10.31-11.1、龍谷大学 響都ホール 校友会館).
  24. 石丸 凌輔、花房 宏明、丸山 佳祐、廣松 志隆、林 将平、東 清一郎、“大気圧熱プラズマジェット照射による4H-SiC上SiO2堆積膜の急速熱処理”、薄膜材料デバイス研究会 第11回研究集会、01P22 (pp. 201-202)(2014.10.31-11.1、龍谷大学 響都ホール 校友会館).
  25. 石丸凌輔、花房宏明、丸山佳祐、廣松志隆、林将平、東清一郎、“大気圧熱プラズマジェット照射急速熱処理による4H -SiCSiO2堆積膜の改善”、第6回薄膜太陽電池セミナー2014P172014.10.15-16、広島大学霞キャンパス).
  26. 丸山 佳祐、花房 宏明、村上 秀樹、林 将平、東 清一郎、“大気圧熱プラズマジェット照射急速熱処における4H-SiC 中の不純物活性化と冷却速度制御”、第75回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 19a-PB5-62014.9.17-20、北海道大学 札幌キャンパス).
  27. 花房 宏明、丸山 佳祐、林 将平、東 清一朗、“EBSD パターン明瞭度を用いたリン注入4H-SiC 層の結晶性評価”、第75回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 19a-PB5-52014.9.17-20、北海道大学 札幌キャンパス).
  28. 石丸 凌輔、花房 宏明、丸山 佳祐、廣松 志隆、林 将平、東 清一郎、“大気圧熱プラズマジェット照射による4H-SiC SiO2堆積膜の改善”、第75回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 19a-A19-82014.9.17-20、北海道大学 札幌キャンパス).
  29. 廣松 志隆、花房 宏明、丸山 佳祐、石丸 凌輔、東 清一郎、“Si 挿入層の不純物濃度に依存した4H-SiC のコンタクト特性”、2014年度 応用物理・物理系学会中国四国支部 合同学術講演会(Da-6)P.59.(2014.7.26、島根大学).
  30. 浜田 慎也、村上 秀樹、小野 貴寛、大田 晃生、花房 宏明、東 清一郎、宮崎誠一、“アモルファス化促進によるGe As の高効率活性化”、2014年度 応用物理・物理系学会中国四国支部 合同学術講演会(Da-7)P.60.(2014.7.26、島根大学).
  31. 浜田 慎也、村上 秀樹、小野 貴寛、橋本 邦明、大田 晃生、花房 宏明、東 清一郎、宮崎誠一、“Ge基板中のAs高効率活性化と低抵抗浅接合形成”、電子情報通信学会技術研究報告、  信学技報11488pp. 27-30.2014619日、名古屋大学・ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー).
  32. 水野 翼、林 将平、池田 弥央、花房 宏明、東 清一郎、“低温堆積SiNx/SiO2積層膜を用いた結晶シリコン表面パッシベーションによる少数キャリアライフタイムの向上、第5回薄膜太陽電池セミナー、P1-62013.11.14-11.15、名古屋大学 野依記念学術交流館).
  33. 丸山 佳祐、花房 宏明、村上 秀樹、林 将平、東 清一郎、“大気圧熱プラズマジェット照射急速熱処理による4H-SiCAl活性化”、薄膜材料デバイス研究会 第10回研究集会、01P08 (pp. 137-138)(2013.10.31-11.2、龍谷大学 アバンティ響都(きょうと)ホール).
  34. 水野 翼、林 将平、池田 弥央、花房 宏明、東 清一郎、“リモート誘導結合型プラズマ化学気相堆積法を用いた低温堆積SiNx/SiO2積層膜による結晶シリコン表面パッシベーション”、 薄膜材料デバイス研究会 第10回研究集会、31P03 (pp. 33-35)(2013.10.31-11.2、龍谷大学 アバンティ響都(きょうと)ホール).
  35. 丸山 佳祐、花房 宏明、村上 秀樹、林 将平、東 清一郎、“4H-SiCへの大気圧熱プラズマジェット照射によるAlの活性化”、第74回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 17a-B3-32013.9.16-20、同志社大学 京田辺キャンパス).
  36. 小野 貴寛、大田 晃生、花房 宏明、村上 秀樹、東 清一郎、宮崎 誠一、“ゲルマニウムへの低温As+イオン注入による活性化率向上”、第74回応用物理学会学術講演会 講演予稿集20p-B4-82013.9.16-20、同志社大学 京田辺キャンパス).
  37. 小野 貴寛、大田 晃生、花房 宏明、村上 秀樹、東 清一郎、宮崎 誠一、“As+イオン注入したゲルマニウム層の化学分析 -イオン注入温度依存性- ”、第60回応用物理学会学術講演会講演予稿集 28p-G6-8 (2013.3.27-30、神奈川工科大学).
  38. 芦原 龍平、花房 宏明、村上 秀樹、林 将平、小柳 俊貴、丸山 佳祐、東 清一郎、“大気圧熱プラズマジェット照射によるSiCウェハ中不純物の短時間活性化”、第60回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 29p-PB4-11 (2013.3.27-30、神奈川工科大学).
  39. 花房 宏明、芦原 龍平、丸山 佳祐、水野 翼、林 将平、村上 秀樹、東 清一郎、“P添加アモルファスSi結晶化層を介した金属とSiCのコンタクト特性”、第60回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 29p-PB4-18 (2013.3.27-30、神奈川工科大学).
  40. 小柳 俊貴、林 将平、水野 翼、池田 弥央、花房 宏明、東 清一郎、“低温堆積SiNx/SiO2二層膜による結晶シリコン表面パッシベーション”、第60回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 29a-A4-7 (2013.3.27-30、神奈川工科大学).
  41. 村上 秀樹、芦原 龍平、丸山 佳祐、花房 宏明、宮崎 誠一、東 清一郎、“不純物イオン注入 SiC 基板の高効率活性化と化学結合状態評価”、ゲートスタック研究会 第18回研究会 材料・プロセス・評価の物理、pp. 119 – 122. (2013.1.25-1.26、ニューウェルシティー湯河原).
  42. 小野 貴寛、大田 晃生、花房 宏明、村上 秀樹、東 清一郎、宮崎 誠一、“X線光電子分光によるAs+イオン注入したGeの化学結合状態分析”、ゲートスタック研究会 第18回研究会 材料・プロセス・評価の物理、pp. 171 – 174. (2013.1.25-1.26、ニューウェルシティー湯河原).
  43. 中村 将吾、酒池 耕平、小林 義崇、林 将平、花房 宏明、東 清一郎、“近赤外半導体レーザ光照射によるポーラスシリコン上へのSi膜の転写及び面方位制御”、薄膜材料デバイス研究会 第9回研究集会、2P09(p.81-p.83)(2012.11.2-11.3、なら100年会館).
  44. 水野 翼、林 将平、花房 宏明、小柳 俊貴、池田 弥央、小林 義崇、 藤田 悠二、村上 秀樹、東 清一郎、“誘導結合型プラズマ化学気相堆積法を用いた高品質a-Si:Hパッシベーション膜の形成”、薄膜材料デバイス研究会 第9回研究集会、2P19(p.97-p.99)(2012.11.2-11.3、なら100年会館).
  45. 赤澤 宗樹、周 袁、酒池 耕平、林 将平、池田 弥央、花房 宏明、東 清一郎、“キャリアガス搬送Siパウダーへのレーザ照射による結晶Siの形成”、薄膜材料デバイス研究会 第9回研究集会、3P02(p.161-p.163)(2012.11.2-11.3、なら100年会館).
  46. 芦原 龍平、花房 宏明、村上 秀樹、林 将平、東 清一郎、“大気圧熱プラズマジェット照射によるSiCウェハの急速熱処理”、薄膜材料デバイス研究会 第9回研究集会、3P10(p.176-p.177)(2012.11.2-11.3、なら100年会館).
  47. 小柳 俊貴、林 将平、水野 翼、花房 宏明、東 清一郎、“大気圧熱プラズマジェット照射及び高圧水蒸気熱処理による低温堆積SiO2/Si界面の改質及び少数キャリアライフタイムの向上”、薄膜材料デバイス研究会 第9回研究集会、3P20(p.190-p.193)(2012.11.2-11.3、なら100年会館).
  48. 中村 将吾、酒池 耕平、小林 義崇、林 将平、花房 宏明、東 清一郎、“近赤外半導体レーザ光照射によるポーラスシリコン上へのa-Si膜の転写と結晶成長制御(II)、”第73回応用物理学会学術講演会 講演予稿集14a-F6-112012.9.11-14、愛媛大学・松山大学).
  49. 水野 翼、林 将平、小柳 俊貴、花房 宏明、池田 弥央、小林 義崇、藤田 悠二、村上 秀樹、東 清一郎、“誘導結合型プラズマ化学気相堆積法を用いたa-Si:H膜による結晶シリコン表面パッシベーション”、第73回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 12a-F6-62012.9.11-14、愛媛大学・松山大学).
  50. 赤澤 宗樹、周  袁、酒池 耕平、林 将平、池田 弥央、花房 宏明、東 清一郎、“キャリアガス搬送シリコンパウダーへのレーザ照射による結晶Siの形成”、第73回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 12a-F5-42012.9.11-14、愛媛大学・松山大学).
  51. 酒池 耕平、小林 義崇、中村 将吾、林 将平、赤澤 宗樹、池田 弥央、花房 宏明、東清一郎、“近赤外半導体レーザ光照射による転写 Si 膜の電気特性及び欠陥密度評価”、第73回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 14a-F6-102012.9.11-14、愛媛大学・松山大学).
  52. 林 将平、藤田 悠二、上倉 敬弘、池田 弥央、花房 宏明、東 清一郎、“大気圧マイクロ熱プラズマジェット照射によるa-Si膜のLeading Wave Crystallization”、第73回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 12a-F5-72012.9.11-14、愛媛大学・松山大学).
  53. 花房 宏明、酒池 耕平、小林 義崇、中村 将吾、林 将平、村上 秀樹、東 清一郎、“アモルファスSi層を介した金属とGeのコンタクト特性”、 第73回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 13a-F5-112012.9.11-14、愛媛大学・松山大学).
  54. 花房 宏明、広瀬 信光、笠松 章史、三村 高志、松井 敏明、須田 良幸、“スパッタエピタキシー法で形成したGe薄膜の平坦化機構”、 第72回応用物理学会学術講演会 講演予稿集31a-P15-32011.8.29-9.2 山形大学 小白川キャンパス).
  55. 花房 宏明、広瀬 信光、笠松 章史、三村 高志、松井 敏明、須田 良幸、“スパッタ法による平坦Ge擬似基板を用いたSi/Ge RTDの作製”、第58回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 (2011.3.24-27、神奈川工科大学).
  56. H. HanafusaN. HiroseA. KasamatsuT. MimuraT. MatsuiH. M. H. ChongH. Mizutaand Y. Suda, “Flat Ge and Strained-Si Layers Formed by Sputter Epitaxy for High-Speed Devices,” 東京農工大学・電気通信大学「ナノ未来材料とコヒーレント光科学」第7回合同シンポジウム(東京、2010p.45
  57. 花房 宏明, 広瀬 信光, 笠松 章史, 三村 高志, 松井 敏明, Harold M. H. Chong, 水田 博, 須田良幸、“スパッタエピタキシー法による均一歪を有する平坦歪Si層の形成”、第71回応用物理学会学術講演会 講演予稿集14p-ZQ-2 2010.9.14-17、長崎大学 文教キャンパス).
  58. 花房 宏明、広瀬 信光、笠松 章史、三村 高志、松井 敏明、Harold M. H. Chong、水田 博、須田 良幸、“スパッタエピタキシー法で形成したGe薄膜の応力解析”、第71回応用物理学会学術講演会、講演予稿集14p-ZQ-72010.9.14-17、長崎大学 文教キャンパス).
  59. 大橋 弘幸、花房 宏明、広瀬 信光、笠松 章史、三村 高志、松井 敏明、須田 良幸、“スパッタエピタキシ-法によるGe薄膜成長と低次元構造の作成”、電気通信大学・東京農工大学第6回合同シンポジウム、p.18、(東京,2009).
  60. 花房 宏明、須田 良幸、広瀬 信光、笠松 章史、三村 高志、松井 敏明、“スパッタエピタキシー法によるGe薄膜の形成”、 第70回応用物理学会学術講演会 講演予稿集10a-P6-8、(2009.9.8-11、富山大学).
  61. 須田 良幸、花房 宏明、大窪 隆文、“Si1-xGexエピタキシー技術と低次元デバイスへの応用”、EFM-08-33 (電子材料研究会、電気学会、2008pp.47-50.
  62. 花房 宏明、須田 良幸、笠松 章史、広瀬 信光、三村 高志、松井 敏明、“スパッタエピタキシー法による歪緩和Si1-xGexバッファおよび歪Si層の形成”、第68回応用物理学会学術講演会、講演予稿集 4a-E-8、(2007.9.4-8、 北海道工業大学).
  63. 花房 宏明、前川 裕隆、須田 良幸、笠松 章史、広瀬 信宏、三村 高志、松井 敏明、“スパッタエピタキシー法による歪緩和Si1-xGex膜の形成”、54回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集27p-N-6 2007.3.27-30. 青山学院大学 相模原キャンパス).
  64. [招待講演]須田 良幸、前川 裕隆、佐野 嘉洋、高橋 陽一、小林 忠正、花房 宏明、“SiGe系量子効果デバイス”、信学技法,ED2006-243 SDM2006-231 (2007) pp.17-22.
  65. 須田 良幸、花房 宏明、小林 忠正、高橋 陽一、前川 裕隆、“スパッタエピタキシー技術と量子効果デバイスへの応用”、電子材料研究会,電気学会,EFM06-18 (2006)  pp. 15-18.
  66. 中嶋 邦人、花房 宏明、永吉 浩、“RTPプロセスによる太陽電池セルの製作”、51回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 28p-P4-16 2004.3.28-31、東京工科大学).