ひがし せいいちろう
東 清一郎
Seiichiro Higashi

先端物質科学研究科 半導体集積科学専攻 教授



〒739-8530
広島県 東広島市 鏡山1-3-1
広島大学大学院 先端物質科学研究科 量子半導体工学研究室 [研究室HP]
部屋: 先端物質科学研究科 405A

TEL: 082-424-7655
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          国際会議発表

     

        その他の学会発表(new to old

 


     国内学会における招待講演

  1. [招待講演] 東 清一郎、“熱プラズマジェットによる超急速熱処理と半導体デバイス応用”、日本物理学会 第72回年次大会(2017年)18pC34-5 (2017.3.17-20、大阪大学 豊中キャンパス).
  2. [招待講演] 東 清一郎、“超ハイパワー大気圧プラズマジェットによる急速熱処理と単結晶シリコン成長技術への応用”、エコ薄膜研究会(2017.1.30、琉球大学).
  3. [招待講演] 東 清一郎、“大気圧プラズマによるIV 族半導体薄膜の結晶成長と欠陥制御”、第77回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 14p-B7-4(2016.9.13-16、朱鷺メッセ).
  4. [招待講演] 清一郎,「熱プラズマジェット(TPJ)を用いた熱処理技術の開発と電子デバイスプロセスへの応用」 日本真空学会2015年11月研究例会 (2015. 11. 17、広島工業大学広島校舎).
  5. [招待講演] 清一郎, 「大気圧プラズマを用いた急速熱処理技術と半導体デバイスプロセスへの応用」, 平成26年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会 第1回講演会・見学会 講演予稿集 (I-1) (2015. 1. 24、広島大学 東広島キャンパス).
  6. [招待講演] 東 清一郎 半導体薄膜の結晶成長とデバイス応用」第59回物性若手夏の学校 (2014.8.1.  浜名湖ロイヤルホテル).
  7. 東 清一郎,「メニスカス力を用いた単結晶シリコン薄膜転写技術とそのデバイス応用」,電子情報通信学会技術研究報告 シリコン材料・デバイス(2014年4月10日-11日、沖縄青年会館), 信学技報114(1)(2014年4月3日)pp. 11-16.
  8. 清一郎, 「大気圧熱プラズマジェットを用いた急速熱処理技術と半導体デバイスプロセス応用」平成24年度 第1回電子デバイス事業化フォーラム(2012年7月7日)セミナー
  9. 東 清一郎、「DCアーク放電大気圧プラズマジェットによる半導体薄膜結晶成長」 第72回応用物理学会学術講演会 講演予稿集 29p-ZN-4(2011.8.29-9.2、山形大学小白川キャンパス)シンポジウム
  10. 東 清一郎,「大気圧熱プラズマジェットを用いたシリコン膜のマイクロ秒溶融結晶化と高性能TFT作製応用」,電子情報通信学会技術研究報告 シリコン材料・デバイス(2010年4月23日沖縄青年会館), 信学技報110(15),(2010年4月16日)pp. 39-44.
  11. 東 清一郎, 「結晶化・相変化への応用 熱プラズマジェットによるアモルファスシリコンの結晶化」 第31回真空展 VACUUM2009 併設真空トピックス, 日本真空協会9月研究例会, スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会第115回定例研究会(2009.9.16), Sputtering & Plasma Processes, 24 (4), (2009) pp. 11-22.
  12. 東 清一郎,「TFTの基礎」第5回SID日本支部サマーセミナーテキスト(2009年8月3,4日ウェルシティ湯河原(湯河原厚生年金会館))
  13. 東 清一郎, “熱プラズマジェットによるミリ秒急速熱処理とその半導体プロセス応用,” 第44回応用物理学会スクール「安価、簡単、便利 ~大気圧プラズマの基礎と応用~」(2009年4月1日 筑波大学) pp. 57-71.
  14. 東清一郎, “Poly-Si TFT 新たなSi膜結晶化法(熱プラズマジェット法)” シンポジウム「Poly-Si TFT最近の展開と今後」, 第68回応用物理学会学術講演会 講演予稿集No. 0, p. 68 (2007.9.4-8、北海道工業大学).
  15. 東清一郎、“熱プラズマジェットを用いたミリ秒急速熱処理技術のTFT作製プロセス応用,” 半導体界面制御技術第154委員会第58回研究会資料,(首都大学東京, 2007.5.16)pp. 43-51.
  16. 東 清一郎, “短時間局所熱処理技術を用いたアモルファスSi膜の結晶化とデバイス応用”, 第31回アモルファス物質の物性と応用セミナー, (2004年11月25-26日、金沢), pp. 71-83.



  和雑誌解説等

  1. 東 清一郎、“熱プラズマジェットを用いた熱処理技術の開発と電子デバイスプロセスへの応用”、Journal of the Vacuum Society of Japan Vol. 60 No. 3. (2017). pp. 77-80.
  2. 東 清一郎,宮崎 誠一,“熱プラズマによるアモルファスシリコンの結晶化,”「講座 熱流を伴う反応性プラズマを用いた材料合成プロセス 3.結晶化・相変化制御への応用」 プラズマ・核融合学会誌, 85 (3), (2009) pp. 119-123.
  3. 東清一郎、加久博隆、岡田竜弥, “DC熱プラズマジェットを用いた超急速熱処理による非晶質シリコン膜の結晶化とそのTFT応用,” 「応用物理」第 75 巻 第 7 号( 2006 年 7 月号) 研究紹介 pp. 882-886.
  4. 東 清一郎, “レーザーアニールにおけるシリコン膜の極短時間溶融・固化現象と膜物性,” レーザー学会誌「レーザー研究」, 31 (1), 「レーザーアニールによるシリコン結晶化技術とそのデバイス応用」解説小特集号 (2003) pp. 26-32.

  

    著書

  1. 「大気圧プラズマの技術とプロセス開発」 沖野 晃俊監修、東 清一郎 他 40名、シーエムシー出版 “熱プラズマジェットを用いた超急速熱処理と半導体プロセス応用“(第Ⅱ編第3章分担執筆)(2011年8月25日)
  2. 「薄膜トランジスタ」浦岡行治、神谷利夫、木村睦、佐野直樹、鮫島俊之、清水耕作、竹知和重、中村雅一、東清一郎、古田守、堀田将、薄膜材料デバイス研究会編, コロナ社(3章分担執筆)(2008年11月21日).
  3. 「低温ポリシリコン薄膜トランジスタの開発-システムオンパネルを目指して-」浦岡 行治監修、東清一郎 他40名、シーエムシー出版 ”熱プラズマジェットを用いた結晶化技術”(第II編第4章分担執筆)(2007.2.28.).
  4. “THIN FILM TRANSISTORS Materials and processes Volume 2 Polycrystalline Silicon Thin Film Transistors”, D. G. Ast, O. Bonnaud, B-D Choi, T. A. Fjeldly, S. J. Fonash, S. Higashi, B. Iniguez, R. Ishihara, J. Jang, Y. Kuo, O-K. Kwon, I. Lee, Y. Lee, T. Mohammed-Brahim, T. Sameshima, M. S. Shur, S. Uchikoga and T. Ytterdal, ed. Y. Kuo, Kluwer Academic Publishers Co., Chapter 10, “Process Integration Issues for Poly-Si TFT Fabrication,” (2004).

    学位論文

S. Higashi: “Low Temperature Process Technologies for Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors” TokyoUniversity of Agriculture and Technology, (2001).

 

      特許等

      登録特許

   

   国際出願特許 (new to old)

  1. 東 清一郎、木庭 直浩:国際公開番号WO2010/023937、国際出願番号PCT/JP2009/004209、「結晶製造装置、それを用いて製造された半導体デバイスおよびそれを用いた半導体デバイスの製造方法」、国際出願日2009(平成21)年8月28日、出願人:国立大学法人広島大学. 特許登録(中華人民共和国)特許番号ZL200980134165.5、登録日2014年7月30日、(2029年8月28日まで存続)
  2. 東 清一郎:国際公開番号WO2007/004644、国際出願番号PCT/JP2006/313304「温度測定装置及びこれを利用した熱処理装置、温度測定方法」、国際出願日2006(平成18)年7月4日、特願2005-195691優先権主張、優先日2005(平成17)年7月5日、出願人:国立大学法人広島大学. ・特許登録(大韓民国)特許第10-0951305号、登録日2010年3月29日、国際出願日2006年7月4日(2026年7月4日まで存続)・特許登録(中華人民共和国)特許番号ZL200680024509.3、登録公告日2010年8月18日、国際出願日2006年7月4日(2026年7月4日まで存続)
  3. 東 清一郎:国際公開番号WO97/023806、国際出願番号PCT/JP96/03809「アクティブマトリクス基板、アクティブマトリクス基板の製造方法、液晶表示装置、及び電子機器」、国際出願日1996(平成8)年12月26日、特願平7-339749優先権主張、優先日1995(平成7)年12月26日、出願人:セイコーエプソン株式会社.
  4. 東 清一郎:国際公開番号WO96/024123、国際出願番号PCT/JP96/00202「液晶表示装置、液晶表示装置の駆動方法、および液晶表示装置の検査方法」、国際出願日1996(平成8)年2月1日、特願平7-15120優先権主張、優先日1995(平成7)年2月1日、出願人:セイコーエプソン株式会社.



   公開特許(new to old)

 

        プレス発表

 

     外部資金の獲得状況

    [獲得した大型プロジェクト]

 

     [科学研究費補助金] 

      1. 平成28年度科学研究費補助金(基盤研究(B))課題番号:16H04334 「大気圧プラズマジェットを用いたフレキシブル基板上単結晶シリコンCMOS技術」
   研究代表者  H28(2016)年度~H30(2018)年度 H28年度4,420,000円(内直接経費:3,400,000円、間接経費:1,020,000円)

      2.平成27年度科学研究費補助金(挑戦的萌芽研究)課題番号:15K13976  「フレキシブル基板上の異種材料デバイス混載技術に関する研
          究」 研究代表者 H27(2015)年度~H28(2016)年度、直接経費総額3,640,000円 (間接経費840,000円)
       ・H27年度1,820,000円(内直接経費:1,400,000円、間接経費:420,000円)
       ・H28年度1,820,000円(内直接経費:1,400,000円、間接経費:420,000円)

      3. 平成22年度科学研究費補助金(基盤研究(B))課題番号:22360126「マイクロ熱プラズマジェット照射による四族半導体単結晶ナノ薄膜
          成長」 研究代表者 H22(2010)年度~H24(2012)年度、直接経費総額16,120,000円(間接経費3,720,000円)
       ・H22年度6,110,000円(内直接経費:4,700,000円、間接経費:1,410,000円)
        *最先端・次世代研究開発支援プログラム採択によりH22年度で終了

      4.平成19年度科学研究費補助金(基盤研究(B))課題番号:19360187「超急速熱処理における非接触温度測定と不純物の短時間活性化に関
        する研究」 研究代表者 H19(2007)年度~H21(2009)年度、直接経費総額14,000,000円(間接経費4,200,000円)
      ・H19年度8,710,000円(内直接経費:6,700,000円、間接経費:2,010,000円)
      ・H20年度6,500,000円(内直接経費:5,000,000円、間接経費:1,500,000円)
      ・H20年度2,990,000円(内直接経費:2,300,000円、間接経費:690,000円)

 

     [財団等による研究助成]

 

     [民間等との共同研究、技術指導契約]

   (共同研究)

 

     (技術指導)

 

  ・学位審査
          2004年
      Yudi Darma "Structural and Electrical Characterization of Self-assembled Silicon Quantum Dots with    Germanium Core"
          ( Ge核を有する自己組織化形成Si量子ドットの構造および電気特性評価)(審査委員)

      2005年
    Nihan Kosku "High Rate Growth and Characterization of Crystalline Silicon Films from Inductively-Coupled SiH4 Plasma"
    (「誘導結合型SiH4プラズマからの結晶性シリコン薄膜の高速堆積」)(副査)

          2006年
      牧原 克典 「IV族半導体ナノ結晶の高密度形成と電気的特性評価に関する研究」(High-Density Formation of GroupⅣ
    Semiconductor Nano-Crystal and Its Electrical Characterization)(副査)
    松野 明 "レーザアニールによる半導体極浅接合の形成" (Formation of Ultrashallow Junction by Laser Annealing) (副査)


      2007年
      中川 博  “ゲート絶縁膜/Ⅳ族半導体界面における化学構造制御に関する研究 ”(Characterization and Control of Chemical
    Structures at the Interfaces Between Gate Dielectrics and Group Ⅳ Semiconductors)(副査)
    鈴木 昌人 "(Ba,Sr)TiO3薄膜を用いたSi上モノリシックマッハツェンダ光変調器の低温形成"(Low-Temperature Fabrication of
    Monolithic Mach-Zehnder Optical Modulator on Silicon using (Ba,Sr)TiO3 Film) (副査)
    石川 彰 "ULSI多層配線形成のための銅,低誘電率膜の化学的機械研磨技術の研究"(Chemical Mechanical Polishing of Copper and
    Low-dielectric Materials for ULSI Multilevel Interconnection) (副査)
    木下 啓藏 "LSIデバイス用プロセスプラズマ中の電子衝突反応に関する研究"(Electron impact reactions in processing plasma for
    LSI device fabrications)(副査)
    川原 潤 "プラズマ共重合による低誘電率絶縁膜形成技術の研究"(Plasma-enhanced co-polymerization for low-k film
    deposition)(副査)
      池田 弥央  "シリコン量子ドットの自己組織化形成とフローティングゲートMOSメモリへの応用に関する研究"(Self-Assembling
    Formation of Silicon-Quantum-Dots and Its Application to Floating-Gate MOS Memories) (副査)
    大岡 昌洋 "サブミクロンデバイスのためのコンタクトホールエッチングおよび銅埋め込み技術の研究"(Contact hole etching and Cu
      filling technology for submicron devices) (副査)

        2008年
      大田 晃生 “光電子分光法による金属/Hf系高誘電率絶縁膜ゲートスタック構造の化学構造および電子状態分析”(Characterization of
      Chemical Structure and Electronic State in Metal/Hf-based High-k Gate Stack Structure Using Photoemission Measurements) 
      (副査)
      下山 正 "ULSI多層配線用Cuめっきプロセス技術の研究" (Plating Processes for Copper Interconnect Fabrications on ULSI
      Device)(副査)

        2009年
      加久 博隆  “Crystallization of Amorphous Si Films by Thermal Plasma Jet Induced Rapid Thermal Annealing and Its
      Application to Thin Film Transistor” (熱プラズマジェット照射急速熱処理によるアモルファス Si 膜結晶化と薄膜トランジスタへの応
      用)(主査)
      丹野 裕明 "Study on Crystal Chemistry, Emission and Degradation Mechanism of BaMgAl10O17:Eu2+ Phosphor for Plasma
      Display Panel "(プラズマディスプレイ用青色蛍光体BaMgAl10O17:Eu2+の結晶化学と発光・劣化機構に関する研究)(副査)
      岡田 竜弥  “Formation of Silicon Nanocrystals by Thermal Plasma Jet Induced Millisecond Annealing and Its Application to
      Floating-Gate Memories”(熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理によるシリコンナノ結晶形成とそのフローティングゲートメモリ応用) 
      ( 主査)

          2010年
          糸川 寛志  “Heteroepitaxial Growth of Group IV Semiconductor for High-Performance silicon Metal-Oxide-Semiconductor
          Integrated Circuits”(高性能シリコンMOS集積回路のためのⅣ族半導体ヘテロエピタキシャル成長に関する研究) (主査)
          隣 真一"超低誘電率膜を用いた微細多層配線技術の研究"(Study of Fine-pitch Multilevel Interconnects Using Ultralow-k Film)
        (副査)

         2011年度
         斉藤 隆 “Modeling of High Resistive Drift Region in HV-MOSFETs” (高耐圧MOSFETにおける高抵抗ドリフト領域のモデリング) (副査)
         川崎 洋司 “Application of Boron Cluster Ion Implantation to pMOSFET(クラスタボロン注入のpMOSFETへの適用に関する研究) (副査)

         2012年度
         SAHARI, SITI KUDNIE “Native and Thermal Oxidation of Germanium Surfaces”(ゲルマニウム表面の自然および熱酸化) (主査)
         飯塚 貴弘  “Compact Modeling for High-Voltage MOSFETs Based on Internal Potential Decsriptions“(高耐圧MOSFETの内部電位記述に基づくコンパクトモデルの開発に関する研究)(副査)

         2013年度
      馬 晨月  “Development and Verification of Compact Model for NBTI(Negative Bias Temperature Instability) Effect Observed in p-MOSFET”(p-MOSFETにおけるNBTI (Negative Bias Temperature Instability)効果のモデル開発) (副査)
      酒池 耕平   “Transfer of Silicon Layer with Mid-Air Cavity and Its Application to MOSFETs Fabrication”(中空構造シリコン層の転写およびMOSFET作製への応用) (主査) 

        2014年度
     林 将平 “Crystallization of Amorphous Silicon Films by Atmospheric Pressure Micro-Thermal-Plasma-Jet Irradiation and Its Application to Thin-Film Transistors”(大気圧マイクロ熱プラズマジェット照射によるアモルファスシリコン膜の結晶化 
          及び薄膜トランジスタへの応用)   (主査)

        2015年度

赤澤 宗樹   “Local transfer of single crystalline silicon films to glass substrate at low temperature using meniscus force and fabrication of high-performance thin-film transistors” (メニスカス力を利用したガラス基板への単結晶シリコン膜の低温局所転写及び高性能薄膜トランジスタの作製)(主査)

森崎 誠司  “Grain Growth Control by Atmospheric Pressure Micro-Thermal-Plasma-Jet Irradiation on Amorphous Silicon Strips and Its Application to High-Speed CMOS Circuit Fabrication” (アモルファスシリコン細線への大気圧マイクロ熱プラズマジェット照射による結晶成長制御とその高速CMOS回路作製への応用)(主査)

     西田 征男  “Temperature Dependence of Threshold Voltage in Poly-Si/TiN Metal Gate Transistors”(Poly-Si/TiN金属ゲートトランジスタの閾値電圧の温度依存性) (副査)

 

    ・博士課程前期
         2006(平成18)年3月卒 (3人)
     加久 博隆      "熱プラズマジェットを用いた急速熱処理によるアモルファスSi薄膜の結晶化"
     多比良 昌弘  “DRAMキャパシタ用Al系酸化物スタックにおける化学構造評価及び欠陥準位密度計測”
     山下 亜希子  “Ge/Si積層構造のエキシマレーザー溶融結晶化”

        2007(平成19)年3月卒 (3人)
          岡田 竜弥   “熱プラズマジェットを用いた超急速熱処理における基板温度制御とSiOx薄膜からのSi結晶成長”
          酒池 耕平   “近赤外半導体レーザ光照射によるⅣ族半導体膜の急速熱処理とミリ秒時間相変化過程のその場観測”
          辛川 孝行   “VHF誘導結合型プラズマからの微結晶シリコン膜成長初期過程における核発生制御”


          2008(平成20)年3月卒 (1人)
          寄本 拓也   “熱プラズマジェット結晶化多結晶Si膜の欠陥低減技術とその薄膜トランンジスタ応用”

          2009(平成21)年3月卒 (3人)
          菅川 賢治  “熱プラズマジェット結晶化poly-Si膜を用いたTFT作製プロセス技術の開発と電気特性評価”
          古川 弘和  “ミリ秒時間分解能非接触温度測定技術を用いた高密度熱プラズマジェット照射中のSiウエハ表面温度制御及び極浅接合
                                  形成への応用”
          木庭 直弘  “マイクロ融液滴下技術を用いたミリ秒固化による高結晶性Si膜形成と結晶成長制御”

          2010(平成22)年3月卒 (2人)
          宮﨑 裕介  “リモート水素プラズマ処理によるa-Ge薄膜の結晶化および選択エッチング”
          広重 康夫  “大気圧熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理による低温堆積ゲート絶縁膜の膜質改善とTFT応用”

          2011(平成23)年3月卒 (6人)
          後藤 優太  “SiOx及びTiOxを用いた抵抗変化型メモリの電気特性評価と化学結合状態分析”
          林 将平   “大気圧マイクロ熱プラズマジェット照射によるa-Si膜の結晶化及びTFT応用”
          藤岡 知宏  “原子層制御化学気相堆積(ALD)法によるhigh-k/Geスタック構造の形成と界面化学結合状態分析”
          松本 和也  “大気圧熱プラズマジェット照射急速熱処理における加熱・冷却速度の精密制御によるSiウェハ中不純物の高効率活性化”
          松本 竜弥  “マイクロ融液プロセスによる高結晶性Ge膜形成及び結晶成長制御”
          森澤 直也  “Si量子ドット/NiSiナノドットハイブリッドフローティングゲートを用いた機能メモリデバイス開 発”

          2012(平成24)年3月卒 (3人)
          西田 悠亮 “大気圧熱プラズマジェット照射による低温堆積SiO2膜の化学結合状態変化と電気特性向上に関する研究”
          赤澤 宗樹 “ピエゾアクチュエータを用いたSi融液接触法によるアモルファスSi膜の結晶化技術の開発”
          松原 良平 “マイクロ熱プラズマジェット照射によるポーラスシリコン上a-Si膜の結晶化”

         2013(平成25) 年3月卒(5人)
         芦原 龍平  “大気圧熱プラズマジェット照射によるSiCの急速熱処理及びn型不純物の短時間活性化”
         周 袁    “ピエゾアクチュエータを利用したシリコン融液接触法による不純物活性化及びTFT応用”
         小柳 俊貴  “低温堆積SiNx/SiO2二層膜による結晶シリコン中の少数キャリアライフタイムの向上”
         藤田 悠二  “マイクロ熱プラズマジェット照射高速横方向結晶化におけるスリットマスクを用いた結晶成長制御及びTFT応用”
         小林 義崇  “近赤外半導体レーザ光照射による P ドープ a-Si膜の局所転写と不純物活性化”

         2014(平成26) 年3月卒(5人)
         山根 雅人      “マイクロ熱プラズマジェット高速横方向結晶化におけるアモルファスシリコン交差細線を用いた結晶成長制御”
         水野 翼   “リモート誘導結合型プラズマ化学気相堆積法を用いた低温形成SiNx/SiO2積層膜による結晶シリコン表面パッシベーション”
         田中 敬介  “ガラス基板の熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理における応力解析及びクラック発生メカニズムの解明”
         中村 将吾  “メニスカス力を用いたフレキシブル基板上への単結晶シリコン膜の転写技術の開発”
         上倉 敬弘  “大気圧マイクロ熱プラズマジェット照射によるアモルファスゲルマニウム膜の結晶化及び電気特性評価”

         2015(平成27)年3月卒(2人)
         山本 将悟    “アモルファスシリコン細線へのマイクロ熱プラズマジェット照射による結晶成長制御及び電気特性評価”
         丸山 佳祐    “大気圧熱プラズマジェット照射急速熱処理による4H-SiC中不純物の高効率活性化”

         2016(平成28)年3月卒(2人)
    中川 明俊  “中空構造SOI層のフレキシブル基板上への高効率転写とデバイス応用”
  
    中谷 太一  “大気圧マイクロ熱プラズマジェット結晶化ゲルマニウム膜の電気特性評価及び高性能薄膜トランジスタの作製”
  
     2017(平成29)年3月卒
    竹島 真治  “中空構造SOI層を用いたフレキシブル基板への転写技術におけるパターン微小化
    新 良太   “PH3プラズマ処理及び大気圧マイクロ熱プラズマジェット照射によるシリコン膜中のドーピング濃度制御
    田丸 宏樹  “エキシマレーザーを用いた薄膜Geの溶融結晶化とn型不純物活性化

 

   ・学部生
        2004(平成16)年3月卒 (2人) 
     徳永 達也 "Si(100)基板上Ge薄膜のエキシマレーザー誘起結晶化"
     加久 博隆 "熱プラズマジェットによるアモルファスSi薄膜の結晶化"

        2005(平成17)年3月卒
     岡田 竜弥 "熱プラズマジェットを用いた短時間熱処理における昇降温特性"
     藤井 直人 "熱プラズマジェットアニール処理によるSiOx薄膜からの結晶性Siの形成"
     持留雅志      "NiSi量子ドットの形成および光電子分光分析”

        2006(平成18)年3月卒
     寄本 拓也 "微量ドープSi膜の熱プラズマジェット結晶化"
     坂本 哲尚 "反応性熱プラズマジェットを用いたSi表面酸化技術"
     木庭 直浩 "He添加Ar熱プラズマジェットを用いたミリ秒熱処理技術" 

        2007(平成19) 年3月卒 (3人)
          宮崎 裕介   “VHF-ICPを用いた結晶性Si極薄膜の形成制御”
          古川 弘和   “熱プラズマジェットを用いたミリ秒熱処理によるSi膜中の不純物活性化”
          菅川 賢治   “近赤外半導体レーザ光照射によるシリコン系半導体膜の結晶化制御”

          2008(平成20) 年3月卒 (2人)
          川渕 太陽  “プラズマジェット照射ミリ秒熱処理によるポーラスSi層上a-Si薄膜の結晶化”
          広重 康夫  “マルチホロー電極を用いた反応性スパッタリングによるSiO2膜の低温形成および欠陥低減処理”

          2009(平成21) 年3月卒 (3人)
          松本 和也  “高パワー密度熱プラズマジェット照射ミリ秒急速熱処理によるSiウェハ中Bの活性化”
          林 将平    “熱プラズマラインジェットの開発”
          松本 竜弥  “Siマイクロ融液滴下技術の開発及び高結晶性Siの形成”

          2010(平成22) 年3月卒 (3人)
          赤澤 宗樹  “静電気力による微小Si融液滴下技術の開発”
          中谷 仁美  “熱拡散シミュレーションによるSi融液の結晶化メカニズム解明”
          西田 悠亮  “水素プラズマ前処理によるCVD SiO2/Si界面の改変および電気特性評価”

          2011(平成23) 年3月卒 (5人)
          山根 雅人  “大気圧熱プラズマジェットを用いたミリ秒熱処理によるPtナノドットの形成”
          藤田 悠二  “大気圧マイクロ熱プラズマジェット照射高速横方向結晶化における結晶粒界の観察”
          小柳 俊貴  “マイクロ融液プロセスにより滴下形成した微小シリコンの電気特性評価”
          中元 翔平  “大気圧熱プラズマジェットのパワー密度空間プロファイル測定”
          西垣 慎吾  “Pt/SiOx/Ptキャパシタ構造の抵抗変化型メモリ特性評価”

     2012(平成24)年3月卒 (5人)
     上倉 敬弘 “スリットノズルを用いた大気圧熱プラズマジェットによるシリコン薄膜の結晶成長制御”
     藤本 健一 “マイクロノズルによる熱プラズマジェットの高パワー密度化”
     田中 敬介 “ガラス基板のミリ秒熱処理中の非接触温度測定に基づく応力解析及びクラック発生メカニズムの解明”
     水野 翼  “プラズマCVDアモルファスシリコン膜による結晶シリコン表面パッシベーションと少数キャリアライフタイムの向上”
     中村 将吾 “近赤外半導体レーザ光照射によるポーラスシリコン上へのシリコン膜の転写と結晶成長制御”

          2013(平成25)年3月卒 (6人)
          丸山 佳祐  “大気圧熱プラズマジェット照射急速熱処理によるSiCウェハ中のP型不純物活性化”
          呂 逸    “結晶シリコン表面パッシベーションによる少数キャリアライフタイムの向上と太陽電池応用”
          山中 僚大  “異方性エッチングを用いたテクスチャ構造形成による光閉じ込め効果の向上と太陽電池応用”
          山本 将悟  “ナノメートル幅アモルファスシリコン細線を用いたマイクロ熱プラズマジェット照射高速横方向結晶化における結晶粒界制御”
          櫻井 翼   “毛管接着による中空構造シリコン膜の低温転写”
          福永 貴司  “急速熱処理による低温転写アモルファスシリコン膜の結晶化”

          2014(平成26)年3月卒(4人)
          池田 智   “メニスカス力によるフレキシブル基板上へのAl/SOI積層構造の転写”
          中川 明俊  “圧力制御によるフレキシブル基板上への中空構造SOI層の転写”
          中谷 太一  “大気圧マイクロ熱プラズマジェット照射溶融シリコンの微細基板パターンを用いた結晶成長制御”
          平松 和樹  “ガラス基板上への中空構造SOI層の転写および歩留り改善方法の検討”

          2015(平成27)年3月卒(4人)
          新 良太     “PH3プラズマ処理及びマイクロ熱プラズマジェット結晶化によるシリコン膜中の不純物濃度制御”
          笠原 拓也    “アモルファスシリコン細線のマイクロ熱プラズマジェット結晶化による薄膜トランジスタ特性の ばらつき低減”
          竹島 真治    “低温転写技術におけるシリコン/PET界面の化学結合状態評価”
          中畑 佑太    “低温転写技術を用いたPET基板上水素化アモルファスシリコンフォトセンサーの作製”

         2016 (平成28)年3月卒(5人) 
    金丸翼   リモート誘導結合型プラズマ化学気相堆積法を用いた有機発光デバイス向けSiNx封止膜の低温形成に関する研究
    中島涼介 ハイパワー大気圧熱プラズマジェット照射によるSi薄膜の高速結晶化と連続結晶成長
    原田大夢 大気圧マイクロ熱プラズマジェットを用いたP+ドープa-Ge膜の結晶化及び活性化
    水上隆達 中空構造SOI層の低温転写における欠陥発生要因の対策と転写率の向上に関する研究
    山下 知徳  “イオン注入不純物分布の制御による中空構造SOI層の高効率低温転写に関する研究”

  

   2017年(平成29)年3月卒(5人)
   長澤 聡  “フレキシブル基板上の異種デバイス混載に向けた水素化アモルファスシリコンフォトセンサーの作製”
   近藤 史康  “中空構造SOI層の低温転写技術を用いたフローティングゲートメモリ作製プロセス技術に関する研究”
   中野 航  “回転ステージを用いたフレキシブルガラス基板上アモルファスシリコン膜の大気圧熱プラズマジェット結晶化”
   原田 敏彰  “光学測定による大気圧熱プラズマジェットの空間プロファイル測定技術に関する研究”
   魏 銘源  “リモート誘導結合型プラズマ化学気相堆積法を用いた有機発光デバイス向けSiNx封止膜の低温形成”

     社会貢献